У К А З
ПРЕЗИДЕНТА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль
В целях защиты национальных интересов, выполнения международных обязательств Российской Федерации и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" п о с т а н о в л я ю:
1. Утвердить прилагаемый Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль.
2. Установить, что коды единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Таможенного союза, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю.
3. Признать утратившими силу: Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881); Указ Президента Российской Федерации от 1 декабря 2005 г. N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201); Указ Президента Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 10, ст. 912); Указ Президента Российской Федерации от 4 декабря 2008 г. N 1726 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 50, ст. 5893).
4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.
Президент Российской Федерации Д.Медведев
Москва, Кремль 17 декабря 2011 года N 1661 ____________________
УТВЕРЖДЕН Указом Президента Российской Федерации от 17 декабря 2011 года N 1661
С П И С О К товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль
РАЗДЕЛ 1
-----------|----------------------------------------|-------------- N пункта | Наименование* | Код ТН ВЭД** -----------|----------------------------------------|--------------
КАТЕГОРИЯ 1. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ОБОРУДОВАНИЕ И СНАРЯЖЕНИЕ
1.1. Системы, оборудование и компоненты
1.1.1. Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные 3919 90 900 0 материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;
1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры или 3921 90 900 0 сополимеры, изготовленные из винилиденфторидных (CAS 75-38-7) материалов, определенных в пункте 1.3.9.1, имеющие форму листа или пленки толщиной более 200 мкм;
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, 3919 90 900 0 диафрагмы или мембраны, отвечающие всем следующим условиям: а) изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурное звено; и б) специально разработанные для использования в летательных аппаратах, авиационно-космических средствах или ракетах
1.1.2. Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:
1.1.2.1. Состоящие из органической матрицы и 3926 90 910 0; материалов, определенных в пункте 3926 90 980 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или
1.1.2.2. Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или углеродных 3801; нитевидных материалов, имеющих все 3926 90 910 0; следующие характеристики: 3926 90 980; а) удельный модуль упругости, 6903 10 000 0 6 превышающий 10,15 х 10 м; и б) удельную прочность при растяжении, превышающую 4 17,7 х 10 м; или
Примечание. Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к частично изготовленным конструкциям, включающим максимум двухмерное сплетение нитей и специально разработанным для следующего использования: а) в печах для отпуска металлов термообработкой; б) в оборудовании для производства кремниевых булей
1.1.2.2.2. Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3
Примечания: 1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее: 2 а) площадь, не превышающую 1 м ; б) длину, не превышающую 2,5 м; и в) ширину более 15 мм. 2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования: а) в спортивных товарах; б) в автомобильной промышленности; в) в станкостроительной промышленности; г) в медицинских целях. 3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования
Особое примечание. В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3
1.1.3. Изделия из неплавких ароматических 3919 90 900 0; полиимидов в виде пленки, листа, 3920 99 900 0 ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик: а) толщину более 0,254 мм; или б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами
Примечание. Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат
Особое примечание. Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3
1.1.4. Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:
1.1.4.1. Противогазы, коробки противогазов с 9020 00 000 0 фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты: а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях; б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих: альфа-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (СА) (CAS 5798-79-8); [(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1); 2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (омега-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4); дибенз-(b,f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8); 10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9); N-нонилморфолин (МРА) (CAS 5299-64-9);
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и обувь, 3926 20 000 0; специально разработанные или 4015 19 900 0; модифицированные для защиты от 4015 90 000 0; любого из нижеприведенных поражающих 6204 23; факторов: 6210 40 000 0; а) бактериологических (биологических) 6210 50 000 0; агентов или токсинов, которые могут 6216 00 000 0; быть использованы в военных целях; 6401 92; б) радиоактивных материалов, которые 6401 99 000 0; могут быть использованы в военных 6402 91; целях; или 6402 99 100 0; в) токсичных химикатов, используемых 6402 99 930 0; в химическом оружии; 6404 19 900 0
1.1.4.3. Системы, специально разработанные 9027 10 100 0; или модифицированные для обнаружения 9027 10 900 0; или распознавания любого из 9027 80 170 0; нижеприведенных поражающих факторов, 9027 80 970 0; а также специально разработанные для 9027 90 800 0; них компоненты: 9030 10 000 0; а) бактериологических (биологических) 9030 89 300 0; агентов или токсинов, которые могут 9030 89 900 0; быть использованы в военных целях; 9030 90 850 0 б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии
1.1.4.4. Электронное оборудование, разработанное 9027 10 100 0; для автоматического обнаружения или 9027 30 000 0; распознавания наличия следов взрывчатых 9027 80 170 0; веществ (ВВ) с использованием методов 9027 90 800 0; их обнаружения (например, поверхностной 9030 89 300 0 акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)
Техническое примечание. Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости
Примечание. Пункт 1.1.4.4 не применяется: а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования; б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля
Примечание. Пункт 1.1.4 не применяется: а) к персональным радиационным дозиметрам; б) к снаряжению или системам, конструктивно или функционально ограниченным определением факторов риска в целях обеспечения безопасности в местах проживания или в гражданских областях, включающих: горное дело; работу в карьерах; сельское хозяйство; фармацевтическую промышленность; медицинскую промышленность; ветеринарию; охрану окружающей среды; сбор и утилизацию отходов; пищевую промышленность
Технические примечания: 1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность. 2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки
1.1.5. Бронежилеты и специально разработанные 6211 43 900 0 для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и неравноценные им по характеристикам
Примечания: 1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты. 2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств
Особое примечание. Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10
1.1.6. Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:
1.1.6.1. Дистанционно управляемые транспортные средства;
1.1.6.2. Подрыватели (разрушители) 8424 30; 8424 89 000 9; 8479 89 970 9
Техническое примечание. Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом
Примечание. Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором
1.1.7. Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:
1.1.7.1. Запускающие устройства (запальные 8543 70 900 9; системы), разработанные для приведения 9306 90 900 0 в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;
1.1.7.2. Электродетонаторы взрывчатого 3603 00 900 вещества, такие как:
1.1.7.2.1. Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);
1.1.7.2.2. Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);
1.1.7.2.3. Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);
1.1.7.2.4. Инициаторы со взрывающейся фольгой
Технические примечания: 1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель". 2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")
1.1.8. Заряды, устройства и компоненты: 3604 90 000 0
1.1.8.1. Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики: а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;
1.1.8.2. Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты: а) заряд ВВ более 40 г/м; и б) ширину, равную или больше 10 мм;
1.1.8.3. Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;
1.1.8.4. Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг
Техническое примечание. Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва
Примечание. К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси _____________ * См. общее примечание к настоящему Списку. ** Здесь и далее код ТН ВЭД - код единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Таможенного союза.
Таблица к пункту 1.1.8 Перечень взрывчатых веществ
----|--------------------------------------------------------------- N | Наименование взрывчатых веществ пун-| кта | ----|--------------------------------------------------------------- 1. Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6- динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)
2. Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)
3. Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6- динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)
4. Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4); клатраты (соединения/включения) вещества CL-20
5. 2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (СР) (CAS 70247-32-4)
6. 1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)
7. Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)
8. 1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)
9. 2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS 194486-77-6)
10. 3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6'-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)
11. Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)
12. Фуразаны:
а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);
б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)
13. Октоген (HMX) и его производные:
a) циклотетраметилентетранитрамин (НМХ; октоген; октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин; 1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);
б) дифтораминированные аналоги октогена;
в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]- октанон-3 (тетранитросемигликольурил; кето-бициклический октоген; К-55) (CAS 130256-72-3)
14. Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)
15. Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)
16. Имидазолы:
а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);
б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);
в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);
г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);
д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)
17. 1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)
18. 3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)
19. Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех
20. 2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)
21. Гексоген (RDH) и его производные:
а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; Т4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5- триазациклогексан) (CAS 121-82-4);
б) кето-гексоген (Keto-RDX; К-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6- триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)
22. Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)
23. Триаминотринитробензол (ТАТВ) (CAS 3058-38-6)
24. 3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро- 1,5-диазоцин (TEDDZ)
25. Тетразолы:
а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);
б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)
26. Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)
27. 1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)
28. 1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)
29. Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)
30. 1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)
31. Триазины:
а) 2-окси-4,6-динитроамино-s-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);
б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)
32. Триазолы:
а) 5-азидо-2-нитротриазол;
б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);
в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);
г) бис(динитротриазол)амин (BDNTA);
д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);
е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);
ж) 2-нитротриазол 5-динитрамид (NTDNA) (CAS 75393-84-9);
з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);
и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);
к) тетранитробензотриазолобензотриазол (ТАСОТ) (CAS 25243-36-1)
33. ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)
34. Органические ВВ, не поименованные в настоящем перечне, вызывающие детонационное давление 25 ГПа (250 кбар) или более и могущие оставаться стабильными при температуре 523 К (250°C) или выше в течение 5 минут или более
35. Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5 % (CAS 9004-70-0)
36. Нитрогликоль (CAS 628-96-6)
37. Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)
38. Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)
39. 2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)
40. Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)
41. Триацетонтрипероксид (ТАТР) (CAS 17088-37-8)
42. Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)
43. Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)
-------------|--------------------------------------|-------------- N пункта | Наименование* | Код ТН ВЭД** -------------|--------------------------------------|-------------- 1.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование
1.2.1. Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, 8445 40 000; специально разработанные для 8445 90 000 1 производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;
1.2.1.2. Машины для выкладки ленты, в которых 8445 40 000; движения, связанные с 8445 90 000 1 позиционированием и укладкой ленты или ее слоев, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов;
1.2.1.3. Многокоординатные ткацкие машины или 8446 21 000 0; машины для плетения, включая 8447 90 000 приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры
Техническое примечание. Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;
1.2.1.4. Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:
1.2.1.4.1. Оборудование для превращения 8456 10 00; полимерных волокон (таких как 8456 90 000 0; полиакрилонитриловые, вискозные, 8515 80 990 0 пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;
1.2.1.4.2. Оборудование для химического 8419 89 989 0 осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;
1.2.1.4.3. Оборудование для получения 8445 90 000 9 тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем 8514 10 800 0; термообработки волокон 8514 20 100 0; алюминийсодержащих прекурсоров в 8514 20 800 0; волокна оксида алюминия; 8514 30 190 0; 8514 30 990 0; 8514 40 000 0
1.2.1.5. Оборудование для производства 8451 80 800 9; препрегов, определенных в 8477 59 100 0; пункте 1.3.10.5, методом горячего 8477 59 800 0 плавления;
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:
1.2.1.6.1. Системы рентгеновской томографии для 9022 12 000 0; трехмерного обнаружения дефектов; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0
1.2.1.6.2. Установки ультразвуковой 9031 80 380 0 дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;
1.2.1.7. Машины для выкладки жгута, в которых 8445 40 000; движения, связанные с 8445 90 000 1 позиционированием и укладкой жгута или его слоев, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов
Техническое примечание. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки
1.2.2. Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2
1.2.3. Инструменты, пресс-формы, матрицы или 8207 30 100 0 арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего: а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств; б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3
1.3. Материалы
Техническое примечание. Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам: а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары; б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет): 1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры; 2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии. Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты
1.3.1. Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:
1.3.1.1. Материалы для поглощения 3815 19; электромагнитных волн в области 3910 00 000 9 8 12 частот от 2 х 10 Гц до 3 х 10 Гц
Примечания: 1. Пункт 1.3.1.1 не применяется: а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель; б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности; в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики: 1) изготовленным из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +-15%, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°C); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +-15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°C)
Техническое примечание. Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;
2) прочность при растяжении менее 2 7 х 106 Н/м ; и
3) прочность при сжатии менее 2 14 х 106 Н/м ; г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики: 3 удельный вес более 4,4 г/см ; и максимальную рабочую температуру 548 К (275°C). 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 3815 19; 14 3910 00 000 9 частотах, превышающих 1,5 х 10 Гц, 14 но ниже, чем 3,7 х 10 Гц, и непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением 2 менее 100 Ом/м , полученные на основе любого из следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 3909 30 000 0
1.3.1.3.2. Полипиррола; 3911 90 990 0
1.3.1.3.3. Политиофена; 3911 90 990 0
1.3.1.3.4. Полифенилен-винилена; или 3911 90 990 0
1.3.1.3.5. Политиенилен-винилена 3919 90 900 0
Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом
Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3
1.3.2. Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:
1.3.2.1. Алюминиды:
1.3.2.1.1. Алюминиды никеля, содержащие 7502 20 000 9 от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;
1.3.2.1.2. Алюминиды титана, содержащие 10% (по 8108 20 000; весу) или более алюминия и по крайней 8108 90 300 9; мере один дополнительный легирующий 8108 90 500 9; элемент; 8108 90 600 2; 8108 90 600 8; 8108 90 900 9
1.3.2.2. Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:
1.3.2.2.1. Никелевые сплавы с: 7502 20 000 9 а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650°C); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550°C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;
1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы с: 8112 92 310 0; а) ресурсом длительной прочности 8112 99 300 0 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800°C); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700°C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;
1.3.2.2.3. Титановые сплавы с: 8108 20 000; а) ресурсом длительной прочности 8108 90 300 9; 10 000 часов или более при напряжении 8108 90 500 9; 200 МПа и температуре 723 К (450°C); 8108 90 600 2; или 8108 90 600 8; б) малоцикловой усталостью 10 000 8108 90 900 9 циклов или более при температуре 723 К (450°C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;
1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом 7601 20; прочности при растяжении: 7604 29 100 9; а) 240 МПа или выше при температуре 7608 20 810 9; 473 К (200°C); или 7608 20 890 9 б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25°C);
1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104 а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;
1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:
1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих по составу систем:
Техническое примечание. Х в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам
1.3.2.3.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 7504 00 000 9 для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в 9 процессе производства) на 10 частиц сплава;
1.3.2.3.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или 8112 92 310 0 Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);
1.3.2.3.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или 8108 20 000 5 Ti-X-Al);
1.3.2.3.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или 7603 Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или
1.3.2.3.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или 8104 30 000 0 Mg-X-Al); и
1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов: а) вакуумное распыление; б) газовое распыление; в) центробежное распыление; г) скоростная закалка капли; д) спиннингование расплава и последующее измельчение; е) экстракция расплава и последующее измельчение; или ж) механическое легирование;
1.3.2.3.3. Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;
1.3.2.4. Легированные материалы, 7504 00 000 9; характеризующиеся всем нижеследующим: 7505 12 000 9; а) изготовлены из любых систем, 7506; определенных в пункте 1.3.2.3.1; 7603 20 000 0; б) имеют форму неизмельченных чешуек, 7604 29 100 9; ленты или тонких стержней; и 7606 12 910 9; в) изготовлены в контролируемой среде 7606 92 000 0; любым из следующих методов: 7607 19; скоростная закалка капли; 8104 30 000 0; спиннингование расплава; или 8104 90 000 0; экстракция расплава 8108 20 000; 8108 90 300 9; 8108 90 500 9; 8112 92 200 9; 8112 92 310 0; 8112 99 300 0
Примечание. Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам для подложек, предназначенных для нанесения покрытий
Технические примечания: 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов. 2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (К ), равном единице. t Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.3. Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную 8505 11 000 0; проницаемость 120 000 или более и 8505 19 100 0; толщину 0,05 мм или менее 8505 19 900 0
Техническое примечание. Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие 2803 00; любую из следующих характеристик: 2846 90 000 0 а) магнитострикцию насыщения более -4 5 х 10 ; или б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или
1.3.3.3. Ленты из аморфных или 7226 11 000 0; нанокристаллических сплавов, имеющие 7506; все следующие характеристики: 8105 а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу); б) магнитную индукцию насыщения (B ) s 1,6 Т или более; и в) любое из нижеследующего: толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление -4 2 х 10 Ом х см или более
Техническое примечание. К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции
1.3.4. Урано-титановые сплавы или 2844 10 900 0; вольфрамовые сплавы с матрицей на 8101 94 000 0; основе железа, никеля или меди, 8101 96 000 0; имеющие все следующие характеристики: 8101 99 100 0; 3 8101 99 900 0; а) плотность выше 17,5 г/см ; 8108 20 000; б) предел упругости выше 880 МПа; 8108 90 300 9; в) предел прочности при растяжении 8108 90 500 9; выше 1270 МПа; и 8108 90 600 2; г) относительное удлинение более 8% 8108 90 600 8; 8108 90 900 9
1.3.5. Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:
1.3.5.1. Проводники из сверхпроводящих 8544 композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное: а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и б) имеющих площадь поперечного -4 2 сечения менее 0,28 х 10 мм (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);
1.3.5.2. Проводники из сверхпроводящих 8544 композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное: а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31°C); и б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96°С) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 2 1750 А/мм по всему сечению проводника;
1.3.5.3. Проводники из сверхпроводящих 8544 композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 К (-158,16°C)
Техническое примечание. Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы:
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов:
1.3.6.1.1. Синтетические кремнийуглеводородные 3910 00 000 9 масла, имеющие все следующие характеристики: а) температуру воспламенения выше 477 К (204°C); б) температуру застывания 239 К (-34°C) или ниже; в) индекс вязкости 75 или более; г) термостабильность при температуре 616 К (343°C) или выше; или
Техническое примечание. Для целей пункта 1.3.6.1.1 кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод
1.3.6.1.2. Хлорофторуглероды, имеющие все 2812; следующие характеристики: 2826; а) температуру воспламенения не 2903 41 000 0; имеют; 2903 42 000 0; б) температуру самовоспламенения выше 2903 43 000 0; 977 К (704°С); 2903 44; в) температуру застывания 219 К 2903 45; (-54°C) или ниже; 3819 00 000 0; г) индекс вязкости 80 или более; и 3824 71 000 0 д) температуру кипения 473 К (200°C) или выше
Техническое примечание. Для целей пункта 1.3.6.1.2 хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор
Техническое примечание. Для целей пункта 1.3.6.1: а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте; б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте; в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте; г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом: 20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (Cu - 60%, Zn - 39%, Sn - 0,75%). Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 +- 6) К [(371 +- 6)°C] и выдерживается в течение шести часов. Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполнены все следующие требования: потеря веса каждым шаром не превышает 2 10 мг/мм его поверхности; изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38°C), не превышает 25%; и суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40; д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальном эквиваленте;
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые 2909 30 900 0; эфиры или тиоэфиры или их смеси, 2930 90 850 0 содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийорганические 3910 00 000 9 жидкости, имеющие кинематическую 2 вязкость менее 5000 мм /с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25°C);
1.3.6.3. Амортизаторные или флотационные 2903 46 900 0; жидкости, отвечающие всему 3904 69 900 0 следующему: а) имеющие чистоту более 99,8%; б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего: дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8); полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или полибромтрифторэтилена;
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости 2903 41 000 0; для электроники, имеющие все 2903 42 000 0; следующие характеристики: 2903 45 100 0; а) содержащие 85% (по весу) или 3824 90 980 9 более любого из следующих веществ или любой из их смесей: мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров; перфторалкиламинов; перфторциклоалканов; или перфторалканов; б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25°C); в) жидкое состояние при температуре 273 К (0°C); и г) содержащие 60% (по весу) или более фтора
1.3.7. Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:
1.3.7.1. Исходные материалы из простых или 2850 00 900 0 сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические 2850 00 900 0 материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности
Примечание. Пункт 1.3.7.2 не применяется к абразивам;
1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849; керамика-керамика со стеклянной или 2850 00; оксидной матрицей, армированной 8803 90 200 0; волокнами, имеющими все следующие 8803 90 300 0; характеристики: 8803 90 900 0; а) изготовлены из любых нижеследующих 9306 90 материалов: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N; или Si-O-N; и б) имеют удельную прочность при 3 растяжении, превышающую 12,7 х 10 м;
1.3.7.4. Композиционные материалы типа 2849 20 000 0; керамика-керамика с непрерывной 2849 90 100 0; металлической фазой или без нее, 2850 00 200 0; включающие частицы, нитевидные 8113 00 200 0; кристаллы или волокна, в которых 8113 00 900 0 матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора
Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;
1.3.7.5. Следующие материалы-предшественники 3910 00 000 9 (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, определенных в пункте 1.3.7.3: а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния); б) полисилазаны (для производства нитрида кремния); в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);
1.3.7.6. Композиционные материалы типа 6903; керамика-керамика с оксидными или 6914 90 900 0 стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем: а) AL O (CAS 1344-28-1); или 2 3 б) Si-C-N
Примечание. Пункт 1.3.7.6 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000°C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000°C) за 100 ч
1.3.8. Нефторированные полимерные вещества:
1.3.8.1. Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 2925 19 950 0
1.3.8.1.2. Ароматические полиамид-имиды (PAI), 3908 90 000 0 имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (T ) выше g 563 К (290°C);
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 3911 90 990 0
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие 3907 20 990 0; температуру перехода в стеклообразное 3907 91 900 0 состояние (T ) выше 513 К (240°C) g
Особое примечание. Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические 3907 91 900 0 сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250°C), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-2 (2004), метод А, или его национальным 2 эквивалентом при нагрузке 1,80 Н/мм , и состоящие из: а) любых из следующих соединений: фенилена, бифенилена или нафталена; или метил, третбутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и б) любой из следующих кислот: терефталевой кислоты (CAS 100-21-0); 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты (CAS 16712-64-4); или 4-гидроксибензойной кислоты (CAS 99-96-7);
1.3.8.3. Полиариленовые кетоны; 3907 99
1.3.8.4. Полиариленовые сульфиды, где 3911 90 190 0 ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;
1.3.8.5. Полибифениленэфирсульфоны, имеющие 3911 90 190 0 температуру перехода в стеклообразное состояние (T ) выше 513 К (240°C) g
Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (T ) для материалов, g определенных в пункте 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте. Кроме того, для ароматических полиамид-имидов (PAI), указанных в пункте 1.3.8.1.2, температура перехода в стеклообразное состояние (T ) определяется на g образце, первоначально отвержденном при минимальной температуре 310°C в течение 15 минут
1.3.9. Необработанные фторированные соединения:
1.3.9.1. Сополимеры винилидена фторида 3904 69 900 0 (1,1-дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания;
1.3.9.2. Фторированные полиимиды, содержащие 3904 69 900 0 10% (по весу) или более связанного фтора;
1.3.9.3. Фторированные фосфазеновые 3904 69 900 0 эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора
1.3.10. Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.1. Органические волокнистые или 5402 11 000 0; нитевидные материалы, имеющие 5404 12 000 0; все следующие характеристики: 5404 19 000 0; а) удельный модуль упругости более 5501 10 000 1; 6 5503 11 000 0 12,7 х 10 м; и б) удельную прочность при растяжении 4 более 23,5 х 10 м
Примечание. Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные 6815 10 100 0 материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости более 6 14,65 х 10 м; и б) удельную прочность при растяжении 4 более 26,82 х 10 м
Техническое примечание. Свойства материалов, описанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться в соответствии с методами 12-17 (SRM 12-17), рекомендуемыми Ассоциацией поставщиков современных композиционных материалов (SACMA), международным стандартом ISO 10618 (2004), 10.2.1, метод А, или их национальным эквивалентом для испытания волокон, и должны основываться на усредненных значениях большого количества измерений
Примечание. Пункт 1.3.10.2 не применяется: а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее: 2 площадь, не превышающую 1 м ; длину, не превышающую 2,5 м; и ширину более 15 мм; б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или 8101 96 000 0; нитевидные материалы, имеющие все 8101 99 900 0; следующие характеристики: 8108 90 300 9; а) удельный модуль упругости, 8108 90 900 9 6 превышающий 2,54 х 10 м; и б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649°C)
Примечание. Пункт 1.3.10.3 не применяется: а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее 6 10 х 10 м; б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов; в) к волокнам бора; г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770°C);
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:
1.3.10.4.1. Состоящие из любого из нижеследующих материалов:
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, определенных в пункте 5402 11 000 0; 1.3.8.1; или 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 11 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0
1.3.10.4.1.2. Материалов, определенных в 5402 20 000 0; пунктах 1.3.8.2 - 1.3.8.5; или 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0
1.3.10.4.2. Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3
Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;
1.3.10.5. Волокнистые или нитевидные материалы, 3801; полностью или частично пропитанные 3926 90 980 5; смолой или пеком (препреги), 6815 10 100 0; волокнистые или нитевидные материалы, 6815 10 900; покрытые металлом или углеродом 6815 99 900 0; (преформы), или углеродные 7019 11 000 0; волокнистые преформы, имеющие все 7019 12 000 0; следующее: 7019 19; а) имеющие любое из следующего: 7019 40 000 0; 1) неорганические волокнистые или 7019 51 000 0; нитевидные материалы, определенные в 7019 52 000 0; пункте 1.3.10.3; или 7019 59 000 0 2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее: удельный модуль упругости, 6 превышающий 10,15 х 10 м; и удельную прочность при растяжении, 4 превышающую 17,7 х 10 м; и б) имеющие любое из следующего: 1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или 2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA T ), равную 453 К g (180°C) или выше, а также феноло- альдегидный полимер; или 3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA T ), равную 505 К g (232°C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером
Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA T ) для материалов, определенных g в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07, или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом
Примечания: 1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3. 2. Пункт 1.3.10.5 не применяется: а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее: 2 площадь, не превышающую 1 м ; длину, не превышающую 2,5 м; и ширину более 15 мм; б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2
1.3.11. Следующие металлы и соединения:
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами 8104 30 000 0; менее 60 мкм сферической, пылевидной, 8109 20 000 0 сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов
Техническое примечание. При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2-7%)
Примечание. Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.2. Бор или его сплавы, приведенные ниже, 2804 50 100 0; с размерами частиц 60 мкм или менее: 2849 90 100 0; а) бор чистотой 85% по весу или 3824 90 980 9 выше; б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше
Примечание. Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.3. Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4); 2925 29 000 0
1.3.11.4. Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7) 2925 29 000 0
1.3.12. Следующие материалы:
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 2844 20 510 0; изотопа плутония-238 более 50% (по 2844 20 590 0; весу) 2844 20 990 0
Примечание. Пункт 1.3.12.1 не применяется: а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее; б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2. Предварительно обогащенный 2844 40 200 0; нептуний-237 в любой форме 2844 40 300 0
Примечание. Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее
Техническое примечание. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла
Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3
1.4. Программное обеспечение
1.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2
1.4.2. Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц
Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2
1.4.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;
1.5. Технология
1.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства компонентов из фторированных соединений, определенных в пункте 1.1.1.2 или 1.1.1.3, конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3
Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3
1.5.2. Иные нижеследующие технологии:
1.5.2.1. Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;
1.5.2.2. Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;
1.5.2.3. Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов:
1.5.2.3.1. Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным: а) любой из следующих композиций: простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия; простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой); простые или сложные карбиды кремния или бора; или простые или сложные нитриды кремния; б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем: 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и в) являющихся любым из следующего: 1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм; 2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или 3) имеющих все следующее: пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5; нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и непрерывные или рубленные волокна диаметром менее 10 мкм;
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1
Примечание. Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства абразивных материалов;
1.5.2.4. Технологии производства ароматических полиамидных волокон;
1.5.2.5. Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;
1.5.2.6. Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3 или 1.3.7.4
Примечание. Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов
Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;
1.5.2.7. Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4
Техническое примечание. Для целей пункта 1.5.2.7 под термином "библиотека" (параметрическая техническая база данных) понимается совокупность технической информации, обращение к которой может улучшить рабочие характеристики соответствующего оборудования или систем
КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
2.1. Системы, оборудование и компоненты
2.1.1. Подшипники качения или подшипниковые системы и их составные части:
2.1.1.1. Шариковые и неразъемные роликовые 8482 10 100 9; радиальные и радиально-упорные 8482 10 900; подшипники качения, имеющие все 8482 30 000 9; допуски, определенные производителем, 8482 40 000 9; в соответствии с классом точности 4 8482 50 000 9; или лучше по международному стандарту 8482 91 900 0; ISO 492 или его национальному 8482 99 000 0 эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия
Примечание. Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;
2.1.1.2. Активные магнитные подшипниковые 8483 30 380 9; системы, характеризующиеся хотя бы 8483 30 800 8; одним из нижеперечисленных качеств: 8505 11 000 0; а) выполнены из материала с магнитной 8505 19 100 0; индукцией 2 Т или более и пределом 8505 19 900 0; текучести выше 414 MПа; 8505 90 100 0; б) являются полностью 8505 90 900 0 электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177°C) и выше, позиционные датчики
Примечание. Пункт 2.1.1 не применяется к шарикам с допусками, определенными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)
2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование
Технические примечания: 1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой). 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают: а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках; б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей; в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов. 3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения". 4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения. 5. Заявленная точность позиционирования для каждой модели станка, полученная в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом, может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков. Заявленная точность позиционирования означает значение точности, представленное в качестве показателя точности станков модели конкретного исполнения специально уполномоченному федеральному органу исполнительной власти в области экспортного контроля. Определение заявленной точности позиционирования: а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке; б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997); в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO; г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта _ средняя величина A становится _ _ заявленной величиной (Aх, Ay ...) для всех станков данной модели; д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего раздела, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей; е) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, _ характеризуется показателем A, для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования
2.2.1. Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:
Примечания: 1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3. 2. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих деталей: а) коленчатых или распределительных валов; б) режущих инструментов; в) червяков экструдеров; г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий. 3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3
Особое примечание. Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все 8458; следующие характеристики: 8464 90 800 0; а) точность позиционирования вдоль 8465 99 100 0 любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления
Примечание. Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз, имеющим все следующие характеристики: а) контроллер станка, ограниченный для применения в офтальмологических целях и основанный на программном обеспечении для частичного программируемого ввода данных; и б) отсутствие вакуумного патрона;
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из 8459 31 000 0; следующих характеристик: 8459 51 000 0; а) имеющие все следующие 8459 61; характеристики: 8464 90 800 0; точность позиционирования вдоль любой 8465 92 000 0 линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из 8460 11 000; следующих характеристик: 8460 19 000 0; а) имеющие все следующие 8460 21; характеристики: 8460 29; точность позиционирования вдоль любой 8464 20 950 0; линейной оси со всеми доступными 8465 93 000 0 компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления
Примечание. Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам: а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим всеми следующими характеристиками: предназначенным лишь для круглого шлифования; и максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм; б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; в) плоскошлифовальным станкам;
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки 8456 30 (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, 8424 30 900 0; керамики или композиционных 8456 10 00; материалов, имеющие все следующие 8456 90 000 0 характеристики: а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов: струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее: возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;
2.2.1.6. Сверлильные станки для сверления 8458; глубоких отверстий или токарные 8459 21 000 0; станки, модифицированные для 8459 29 000 0 сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм, и специально разработанные для них компоненты
2.2.2. Станки с числовым программным 8464 20 110 0; управлением для чистовой обработки 8464 20 190 0; (финишные станки) асферических 8464 20 950 0; оптических поверхностей с выборочным 8465 93 000 0 снятием материала, имеющие все следующие характеристики: а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм; б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм; в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и г) использующие любой из следующих процессов: магнитореологической чистовой обработки (МРЧО); электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО); чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц; чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или жидкоструйной чистовой обработки
Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.2: а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем; б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем; в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала; г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке; д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала
2.2.3. Станки с числовым программным 8461 40 710 0; управлением или станки с ручным 8461 40 790 0 управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R = 40 или c более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328
2.2.4. Горячие изостатические прессы, 8462 99 имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500°C); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения
Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой
2.2.5. Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:
2.2.5.1. Производственное оборудование для 8419 89 989 0 химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;
2.2.5.2. Производственное оборудование ионной 8543 10 000 0 имплантации с током пучка 5 мА или более;
2.2.5.3. Технологическое оборудование для 8543 70 900 9 физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или б) управляемое компьютером контрольно- измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
2.2.5.4. Производственное оборудование 8419 89 300 0; плазменного напыления, обладающее 8419 89 98 любой из следующих характеристик: а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;
2.2.5.5. Производственное оборудование 8419 89 300 0; осаждения распылением, обеспечивающее 8419 89 98 2 плотность тока 0,1 мА/мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;
2.2.5.6. Производственное оборудование 8543 70 900 9 катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;
2.2.5.7. Производственное оборудование, 8543 70 900 9 способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего: а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или б) оптических характеристик
Примечание. Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента
2.2.6. Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:
2.2.6.1. Координатно-измерительные машины 9031 80 320 0; (КИМ) с компьютерным управлением или 9031 80 340 0 числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины (E ) в любой 0,MPE точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)
Техническое примечание. (E ) лучшей компоновки КИМ, O,MPE определенная производителем (например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;
2.2.6.2. Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:
2.2.6.2.1. Приборы для измерения линейных 9031 49 900 0; перемещений, имеющие любую из 9031 80 320 0; следующих составляющих: 9031 80 340 0; 9031 80 910 0
Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики: линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +-1 К; в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: содержащие лазер; и сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при температуре 20°C +-1°C все следующие характеристики: разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и способность достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха, равной или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах); или г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
Примечание. Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;
2.2.6.2.2. Приборы для измерения угловых 9031 49 900 0; перемещений с погрешностью измерения 9031 80 320 0; по угловой координате, равной или 9031 80 340 0; меньше (лучше) 0,00025 градуса 9031 80 910 0
Примечание. Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;
2.2.6.3. Оборудование для измерения чистоты 9031 49 900 0 поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)
Примечание. Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их
2.2.7. Роботы, имеющие любую из 8479 50 000 0; нижеперечисленных характеристик, и 8537 10 100 0; специально разработанные для них 8537 10 910 9; устройства управления и рабочие 8537 10 990 0 органы: а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления
Техническое примечание. Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);
б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях
Примечание. Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением; в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, 3 выдерживающие более 5 х 10 Гр 5 (по кремнию) [5 х 10 рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м
2.2.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:
2.2.8.1. Линейные измерительные элементы 9031 обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) -3 [800 + (600 х L х 10 )] нм (L - эффективная длина в миллиметрах)
Особое примечание. Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;
2.2.8.2. Угловые измерительные элементы 9031 обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 градуса
Особое примечание. Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;
2.2.8.3. Составные поворотные столы или 8466 качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, определенного в пункте 2.2, или выше
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные 8462 21 100; станки, которые в соответствии с 8462 21 800; технической документацией 8463 90 000 0 производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и б) усилие на валке/ролике более 60 кН
Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам
2.3. Материалы - нет
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2
2.4.2. Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления
Примечания: 1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы станков, не определенных в категории 2. 2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункт 2.4.1
2.5. Технология
2.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4
2.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2
2.5.3. Иные нижеследующие технологии:
2.5.3.1. Технологии разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;
2.5.3.2. Технологии производственных процессов металлообработки:
2.5.3.2.1. Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов: а) формообразования в условиях сверхпластичности; б) диффузионной сварки; или в) гидравлического прессования прямого действия;
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры: а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; скорость деформации; температура; давление; б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; температура; давление; в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: давление; время цикла; г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: температура; давление; время цикла;
2.5.3.3. Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
2.5.3.4. Технологии разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;
2.5.3.5. Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;
2.5.3.6. Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней
Особое примечание. Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6 должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки. Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий
----------------|------------------------|------------------------- Процесс | Подложки | Получаемое покрытие нанесения | | покрытия (1)* | | ----------------|------------------------|------------------------- 1. Химическое cуперсплавы алюминиды на поверхности осаждение из внутренних каналов паровой фазы (CVD) керамика (19) и силициды, карбиды, стекла с малым диэлектрические слои коэффициентом линейного (15), алмаз, расширения (14) алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, силициды, карбиды, композиционные тугоплавкие металлы, материалы с смеси перечисленных выше керамической или материалов (4), металлической диэлектрические слои матрицей (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
металлокерамический карбиды, вольфрам, карбид вольфрама (16), смеси перечисленных выше карбид кремния (18) материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом
2.1. Физическое суперсплавы сплавы на основе осаждение из силицидов, сплавы на паровой фазы, основе алюминидов (2), полученной MСrAlX (5), нагревом модифицированный диоксид электронным циркония (12), силициды, пучком алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла диэлектрические слои с малым коэффициентом (15) линейного расширения (14)
коррозионно-стойкие MCrAlX (5), стали (7) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
углерод-углерод, силициды, карбиды, композиционные тугоплавкие металлы, материалы с смеси перечисленных выше керамической или материалов (4), металлической матрицей диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбиды, вольфрам, карбид вольфрама (16), смеси перечисленных выше карбид кремния (18) материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
материалы окон датчиков диэлектрические слои (15) (9)
титановые сплавы (13) бориды, нитриды
2.2. Ионно- керамика (19) и стекла диэлектрические слои ассистированное с малым коэффициентом (15), алмазоподобный физическое линейного расширения углерод (17) осаждение из (14) паровой фазы, полученной углерод-углерод, диэлектрические слои (15) резистивным композиционные нагревом материалы с (ионное керамической или осаждение) металлической матрицей
металлокерамический диэлектрические слои (15) карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое керамика (19) и стекла силициды, осаждение из с малым коэффициентом диэлектрические слои паровой фазы, линейного расширения (15), алмазоподобный полученной (14) углерод (17) лазерным нагревом углерод-углерод, диэлектрические слои (15) композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
металлокерамический диэлектрические слои (15) карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое суперсплавы сплавы на основе осаждение из силицидов, сплавы на паровой фазы, основе алюминидов (2), полученной MCrAlX (5) катодно-дуговым разрядом полимеры (11) и бориды, карбиды, нитриды, композиционные алмазоподобный углерод материалы с (17) органической матрицей
3. Твердофазное углерод-углерод, силициды, карбиды, смеси диффузионное композиционные перечисленных выше насыщение (10) материалы с материалов (4) керамической или металлической матрицей
титановые сплавы (13) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и силициды, оксиды сплавы (8)
4. Плазменное суперсплавы MCrAlX (5), напыление модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель- графитовый материал, истираемый никель- хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево- кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
тугоплавкие металлы и алюминиды, силициды, сплавы (8) карбиды
коррозионно-стойкие MCrAlX (5), стали (7) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель- графитовый материал, истираемый никель-хром- алюминиевый сплав, истираемый алюминиево- кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение тугоплавкие металлы и оплавленные силициды, шликера сплавы (8) оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
углерод-углерод, силициды, карбиды, смеси композиционные перечисленных выше материалы с материалов (4) керамической или металлической матрицей
6. Осаждение суперсплавы сплавы на основе распылением силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла силициды, платина, с малым коэффициентом смеси перечисленных выше линейного расширения материалов (4), (14) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
углерод-углерод, силициды, карбиды, композиционные тугоплавкие металлы, материалы с смеси перечисленных выше керамической или материалов (4), металлической матрицей диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбиды, вольфрам, карбид вольфрама (16), смеси перечисленных выше карбид кремния (18) материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17)
тугоплавкие металлы и алюминиды, силициды, сплавы (8) оксиды, карбиды
7. Ионная высокотемпературные присадки хрома, тантала имплантация подшипниковые стали или ниобия
титановые сплавы (13) бориды, нитриды
бериллий и его сплавы бориды
металлокерамический карбиды, нитриды карбид вольфрама (16) _____________ * См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, Х - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22-24% (по весу) хрома, 10-12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21-23% (по весу) хрома, 10-12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20°C).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20°C).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20°C) -7 -1 коэффициент линейного расширения 10 K или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами. Технические примечания к таблице: Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку. Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии. Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757°C) до 1375 К (1102°C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20°C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением. Некоторые пояснения к таблице. Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
--------------|--------------------------------------|-------------- N пункта | Наименование* | Код ТН ВЭД** --------------|--------------------------------------|--------------
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания: 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.10, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования. 2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пункте 3.1.1.1.10, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования
Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с отдельными пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пунктом 3.1.1.1.10
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542 или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 3 а) суммарную дозу 5 х 10 Гр 5 (по кремнию) [5 х 10 рад] или выше; 6 б) мощность дозы 5 х 10 Гр 8 (по кремнию)/с [5 х 10 рад/с] или выше; или в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии 13 2 в 1 МэВ) 5 х 10 н/см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542 микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны, или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125°C); б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55°C); или в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55°C) до 398 К (125°C)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, 8542 31 900 1; микросхемы микроЭВМ, микросхемы 8542 31 900 9; микроконтроллеров, изготовленные на 8542 39 900 9 полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
3.1.1.1.4. Следующие интегральные схемы аналого- 8542 31 900 3; цифровых преобразователей (АЦП) и 8542 31 900 9; цифроаналоговых преобразователей 8542 39 900 5; (ЦАП): 8542 39 900 9 а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 300 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную 14 бит или меньше, со скоростью на выходе более 125 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 20 млн. слов в секунду
Технические примечания: 1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования. 2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности АЦП. 3. Скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. 4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе любого канала. 5. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, выходные сигналы объединяются и скоростью на выходе является максимальная объединенная общая скорость на выходе всех выходных сигналов. 6. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с). 7. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду. 8. Многоканальные АЦП определяются как устройства, которые объединяют более одного АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП имел отдельный аналоговый вход. 9. АЦП с временным разделением каналов определяются как устройства, имеющие блоки с многоканальными АЦП, которые производят выборку одного и того же аналогового входного сигнала в различное время таким образом, чтобы при объединении выходных сигналов осуществлялись эффективный выбор аналогового входного сигнала и его преобразование на более высокую скорость выборки;
б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: 1) разрешающую способность 10 бит или более с приведенной скоростью обновления 3,5 миллиарда выборок в секунду или более; или 2) разрешающую способность 12 бит или более с приведенной скоростью обновления, равной 1,25 миллиарда выборок в секунду или более, и имеющие любое из следующего: время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезировании аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоты аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц
Технические примечания: 1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе. 2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты. 3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более -3 дБпш (полная шкала). 4. Приведенная скорость обновления для ЦАП: а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП; б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как: скорость ввода данных; скорость ввода слов; скорость ввода выборок; максимальная общая скорость пропускания шины; максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;
3.1.1.1.5. Электронно-оптические и оптические 8542 интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) световоды;
3.1.1.1.6. Программируемые пользователем 8542 39 900 5 логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальное количество цифровых входов/выходов более 200; или б) количество логических элементов (вентилей) в системе более 230 000
Примечание. Пункт 3.1.1.1.6 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
Технические примечания: 1. Программируемые пользователем логические устройства известны также как программируемые пользователем логические элементы (вентили) или программируемые пользователем логические матрицы. 2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом;
3.1.1.1.7. Интегральные схемы для нейронных 8542 сетей;
3.1.1.1.8. Заказные интегральные схемы, функции 8542 31 900 3; которых неизвестны или изготовителю 8542 31 900 9; неизвестен статус контроля 8542 39 900 5; аппаратуры, в которой будут 8542 39 900 9 использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: а) более 1500 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.9. Цифровые интегральные схемы, иные, 8542 нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.10. Процессоры быстрого преобразования 8542 31 900 1; Фурье, имеющие расчетное время 8542 31 900 9; выполнения комплексного N-точечного 8542 39 900 9 сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log N)/20 480 мс, 2 где N - количество точек
Техническое примечание. В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс
Примечания: 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1. 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы;
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0 непрерывного действия: а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц; б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540 71 000 0 коэффициентом усиления более 17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000 0 разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток 2 плотностью, превышающей 5 А/см
Примечания: 1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) частота не превышает 31,8 ГГц; и б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения. 2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики: а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые 8542 31 900 3; интегральные схемы (ММИС) - усилители 8542 33 000; мощности, имеющие любую из следующих 8542 39 900 5; характеристик: 8543 90 000 1 а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%; б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт; д) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; или е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт
Примечания: 1. Контрольный статус MMИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности. 2. Примечания 1 и 2 к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к MMИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;
3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые 8541 21 000 0; транзисторы, имеющие любую из 8541 29 000 0 следующих характеристик: а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие среднюю выходную мощность более 0,1 нВт
Примечание. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 70 900 9 усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%; б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт; г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт; или е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность P (Вт), большую, чем результат от деления 2 величины 150 (Вт х ГГц ) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) 2 в квадрате, то есть: P > 150/f или в единицах размерности 2 2 [(Вт) > (Вт х ГГц )/(ГГц) ]; относительную ширину полосы частот 5% или более; и любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см х ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d