ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 19 августа 2014 г. N 829
МОСКВА
О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 "О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130; 2011, N 38, ст. 5383; 2013, N 18, ст. 2266; 2014, N 5, ст. 503).
Председатель Правительства Российской Федерации Д.Медведев __________________________
УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 19 августа 2014 г. N 829
ИЗМЕНЕНИЯ, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
1. В паспорте Программы:
а) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей, цифры "62" заменить цифрами "56", цифры "112" заменить цифрами "110", слово "реструктуризация" заменить словом "реконструкция";
б) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "175600,705" заменить цифрами "172103,3593"; в абзаце втором цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207", цифры "62686,506" заменить цифрами "61861,2257", цифры "41969,79" заменить цифрами "40891,295"; в абзаце третьем цифры "70944,409" заменить цифрами "69350,8386";
в) в абзаце двенадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6".
2. В абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II:
а) в предложении третьем цифры "96" заменить цифрами "93";
б) предложение пятое изложить в следующей редакции: "Также к 2015 году в 13 организациях Министерства образования и науки Российской Федерации, Федерального космического агентства и Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, будут созданы центры проектирования, а в 15 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры "175600,705" заменить цифрами "172103,3593";
б) в абзаце втором цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207";
в) в абзаце третьем цифры "62686,506" заменить цифрами "61861,2257";
г) в абзаце четвертом цифры "41969,79" заменить цифрами "40891,295";
д) в абзаце пятом цифры "70944,409" заменить цифрами "69350,8386";
е) в абзаце седьмом цифры "32215,149" заменить цифрами "31856,5436".
4. В разделе VI:
а) в абзаце шестом цифры "66746,5" заменить цифрами "68686,2";
б) в абзаце седьмом цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6";
в) в абзаце девятом цифры "1,57" заменить цифрами "1,6".
5. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
"ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 19 августа 2014 г. N 829)
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
--------------------------------------|---------|-----|-------|-------|--------|--------|-------|-------|-------|------- | Единица |2007 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 |измерения|год | год | год | год | год | год | год | год | год --------------------------------------|---------|-----|-------|-------|--------|--------|-------|-------|-------|-------
Индикатор
Достигаемый технологический уровень мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 электроники
Показатели
Увеличение объемов продаж изделий млрд. 19 58 70 95 130 170 210 250 300 электронной и радиоэлектронной рублей техники
Количество разработанных базовых - 3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 210 230 250 260-270 технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - 1 8 10 14 29 29 30 35 43 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - - - - 1 1 1 3 4 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - - - - - 1 2 3 5 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - 1 1 2 2 3 4 4 4 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - 1 5 8 18 22 32 39 95 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - - - - - - - - 1 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - - - - - - 1 1 8 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов реконструкции и - - - - - - - - - 6 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество завершенных поисковых - 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)
Количество реализованных мероприятий - 4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)
Количество создаваемых рабочих мест - 450 1020- 1800- 3000- 3800- 4100- 4400- 4700- 5000- (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000
___________________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 19 августа 2014 г. N 829)
ПЕРЕЧЕНЬ мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------|-------------|----------------------------------------------------------------------------------------------|------------------------------------ | 2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - |-----------|-----------|----------|--------|-----------|----------|-------------|-------------| | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | ------------------------------------|-------------|-----------|-----------|----------|--------|-----------|----------|-------------|-------------|------------------------------------
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой технологии производства мощных _______ __ ______ производства мощных сверхвысокочастотных 84 44 40 сверхвысокочастотных транзисторов на основе транзисторов на основе гетероструктур материалов гетероструктур материалов группы группы А В А В для бортовой и наземной 3 5 3 5 аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
2. Разработка базовой технологии 202 30,5 39,5 53,25 31,8 46,95 создание базовой технологии производства монолитных ___ ____ ____ _____ ____ _____ производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем 134 20 26 35,5 21,2 31,3 сверхвысокочастотных микросхем и и объемных приемо-передающих объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой и наземной 3 5 аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
3. Разработка базовой технологии 212,75 141,75 71 создание технологии производства производства мощных ______ ______ __ мощных транзисторов сверхвысокочастотных 134,75 87,75 47 сверхвысокочастотного диапазона полупроводниковых приборов на на основе нитридных основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации (2009 год)
4. Разработка базовой технологии 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии производства и библиотеки элементов для ___ __ ____ _____ ___ ___ на основе нитридных проектирования и производства 375 17 65 109 80 104 гетероэпитаксиальных структур монолитных интегральных схем мощных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного монолитных интегральных схем диапазона на основе нитридных с рабочими частотами до 20 ГГц гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
5. Разработка базовой технологии 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии производства _______ ______ ____ производства компонентов для сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 сверхвысокочастотных интегральных компонентов и схем диапазона 2-12 ГГц с высокой сложнофункциональных блоков степенью интеграции для для сверхвысокочастотных аппаратуры радиолокации и связи интегральных схем высокой бортового и наземного применения, степени интеграции на основе а также бытовой и автомобильной гетероструктур "кремний - электроники (2009 год), германий" разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
6. Разработка базовой технологии 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии производства ______ ___ ____ ______ производства сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 интегральных схем диапазона интегральных схем высокой 2-12 ГГц с высокой степенью степени интеграции на основе интеграции для аппаратуры гетероструктур "кремний - радиолокации и связи бортового и германий" наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
7. Разработка аттестованных 448,408 253 195,408 разработка аттестованных библиотек _______ ___ _______ библиотек сложнофункциональных сложнофункциональных блоков 308,75 169 139,75 блоков для проектирования для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных и сверхвысокочастотных интегральных радиочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами схем на основе гетероструктур до 150 ГГц, разработка комплектов "кремний - германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
8. Разработка базовых технологий 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий проектирования ______ __ _____ _____ ____ ____ проектирования на основе кремний-германиевых 142 30 52 39,3 11,3 9,4 аттестованной библиотеки сверхвысокочастотных и сложнофункциональных блоков радиочастотных интегральных широкого спектра схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных интегральных библиотеки сложно- схем на SiGe с рабочими частотами функциональных блоков до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
9. Разработка базовых технологий 114,9 60 54,9 создание базовых технологий производства элементной базы _____ __ ____ производства элементной базы для для ряда силовых герметичных 74 40 34 высокоплотных источников модулей высокоплотных вторичного электропитания источников вторичного сверхвысокочастотных приборов и электропитания вакуумных и узлов аппаратуры (2009 год), твердотельных разработка комплектов сверхвысокочастотных приборов документации в стандартах единой и узлов аппаратуры системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
10. Разработка базовых технологий 126,913 79,513 47,4 создание базовых конструкций и производства ряда силовых _______ ______ ____ технологии производства герметичных модулей 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных, высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и сверхвысокочастотных приборов узлов аппаратуры на основе и узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
11. Разработка базовых конструкций 226 151,2 74,8 создание технологии массового и технологии производства ___ _____ ____ производства ряда корпусов мощных корпусов мощных 152 102 50 сверхвысокочастотных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки (2009 год), транзисторов X-, C-, S-, L- и разработка комплектов P-диапазонов из малотоксичных документации в стандартах единой материалов с высокой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
12. Разработка базовых конструкций 83,5 13 40,5 30 создание базовых конструктивных теплоотводящих элементов ____ __ ____ __ рядов элементов систем охлаждения систем охлаждения 55 8 27 20 аппаратуры Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных приборов наземных, корабельных Х- и С-диапазонов и воздушно-космических комплексов на основе новых материалов
13. Разработка базовой технологии 109 64 45 создание технологии массового производства теплоотводящих ___ __ __ производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения 62 32 30 элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов аппаратуры Х- и С-диапазонов Х- и С-диапазонов на основе наземных, корабельных и новых материалов воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
14. Разработка базовых технологий 13 13 создание технологии массового производства суперлинейных __ __ производства конструктивного ряда кремниевых 8 8 сверхвысокочастотных транзисторов сверхвысокочастотных S- и L-диапазонов для техники транзисторов связи, локации и контрольной S- и L-диапазонов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно-параметрического _____ _____ __ конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых 115,9 69,9 46 ряда сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S- и транзисторов S- и L-диапазонов для техники L-диапазонов связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
16. Разработка технологии 32 18 14 разработка метрологической измерений и базовых __ __ __ аппаратуры нового поколения для конструкций установок 22 12 10 исследования и контроля автоматизированного измерения параметров полупроводниковых параметров нелинейных моделей структур, активных элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных полупроводниковых структур, интегральных схем в производстве мощных транзисторов и и при их использовании сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства
17. Исследование и разработка 149,416 84,916 64,5 создание технологии базовых технологий для _______ ______ ____ унифицированных создания нового поколения 102 59 43 сверхширокополосных приборов мощных вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового диапазона и гибридных малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования сверхвысокочастотного (2009 год), разработка комплектов диапазона, в том числе документации в стандартах единой циркуляторов и фазовращателей, системы конструкторской, вентилей, высокодобротных технологической и резонаторов, перестраиваемых производственной документации, фильтров, микроволновых ввод в эксплуатацию приборов со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения
18. Разработка базовых конструкций 118,45 77,5 40,95 разработка конструктивных рядов и и технологии производства ______ ____ _____ базовых технологий производства нового поколения мощных 85,3 58 27,3 сверхширокополосных приборов вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового диапазона и гибридных малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования сверхвысокочастотного (2011 год), разработка комплектов диапазона, в том числе документации в стандартах единой циркуляторов и фазовращателей, системы конструкторской, вентилей, высокодобротных технологической и резонаторов, перестраиваемых производственной документации, фильтров, микроволновых ввод в эксплуатацию приборов со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения
19. Исследование и разработка 110,5 65,5 45 создание технологических процессов и базовых технологий _____ ____ __ процессов производства нанопленочных малогабаритных 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2008 год), создание базовой монтажа и технологии получения сверхбыстродействующих сверхбыстродействующих (до (до 150 ГГц) приборов на 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с наногетероструктурах с квантовыми квантовыми дефектами эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
20. Разработка базовых конструкций 84,5 50 34,5 создание конструктивных рядов и и технологии производства ____ __ ____ базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных 53 30 23 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2011 год), разработка комплектов монтажа документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
21. Разработка базовой технологии 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии сверхвысокочастотных _______ ______ ______ производства элементов и p-i-n диодов, матриц, узлов 88 42 46 специальных элементов и блоков управления и портативных портативной аппаратуры фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств волн на основе связи, радиолокационных станций, магнитоэлектронных радионавигации, измерительной твердотельных и техники, автомобильных радаров, высокоскоростных цифровых охранных и сигнальных устройств приборов и устройств с (2009 год), разработка комплектов функциями адаптации и документации в стандартах единой цифрового диаграммообразования системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
22. Разработка базовых технологий 2323,262 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 210,129 224,55 создание конструктивных рядов и создания мощных вакуумных ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ _______ ______ базовых технологий проектирования сверхвысокочастотных устройств 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)
23. Разработка базовых технологий 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых конструкций и создания мощных твердотельных ________ _______ _______ _______ ______ ______ ______ _______ _______ технологий изготовления сверхвысокочастотных устройств 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 сверхвысокочастотных мощных на базе нитрида галлия приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3-4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
24. Исследование перспективных 1046,46 160,2 99,5 274,5 298,88 213,38 исследование технологических типов сверхвысокочастотных _______ _____ _____ _____ ______ ______ принципов формирования приборов и структур, 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 перспективных разработка технологических сверхвысокочастотных приборов и принципов их изготовления структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
25. Разработка перспективных 1017,375 49,2 331,7 221,4 238,375 176,7 создание полного состава методов проектирования и ________ ____ _____ _____ _______ _____ прикладных программ моделирования 680,525 32,8 224,7 147,6 157,625 117,8 проектирования и оптимизации сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной сверхвысокочастотной компонентной базы, включая электронной компонентной базы проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
Всего по направлению 1 9694 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 857,259 753,004 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ _______ _______ 6405,611 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 570,211 502
Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26. Разработка базовой технологии 106,65 60 46,65 создание технологии изготовления радиационно стойких ______ __ _____ микросхем на структурах "кремний сверхбольших интегральных схем 79,65 38 41,65 на сапфире" диаметром 150 мм уровня 0,5 мкм на структурах (2009 год), разработка правил "кремний на сапфире" диаметром проектирования базовых библиотек 150 мм элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
27. Разработка базовой технологии 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии изготовления радиационно стойких ______ ____ ______ ____ ____ микросхем с размерами элементов сверхбольших интегральных схем 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 0,35 мкм на структурах "кремний уровня 0,35 мкм на структурах на сапфире" диаметром 150 мм "кремний на сапфире" диаметром (2013 год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы
28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание технологического базиса проектирования и _______ ___ _______ (технология проектирования, конструктивно-технологических 164 87 77 базовые технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих на структурах "кремний на устройств, постоянных изоляторе" с проектной нормой до запоминающих устройств, 0,25 мкм (2009 год) сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм
29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание технологического базиса проектирования и ______ _____ ______ ____ ____ (технология проектирования, конструктивно-технологических 235 54,3 110,7 52,6 17,4 базовые технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих на структурах "кремний на устройств, постоянных изоляторе" с проектной нормой до запоминающих устройств, 0,18 мкм сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм
30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание технологического технологических процессов ______ __ _____ процесса изготовления изготовления радиационно 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и базовой пьезоэлектрической и технологии создания, изготовления магниторезистивной памяти с и аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,35 мкм пассивной электронной и пассивной радиационно компонентной базы (2009 год) стойкой элементной базы
31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического технологических процессов ______ ____ ______ ____ ____ процесса изготовления изготовления радиационно 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) пьезоэлектрической и и создания, изготовления и магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной пассивной радиационно стойкой компонентной базы (2013 год) элементной базы
32. Разработка технологии "кремний 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда _______ ______ ______ цифровых процессоров, лицензионно-независимых 73 38 35 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных полевых перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых преобразователей интегральных схем цифровых в радиационно стойком исполнении процессоров обработки для создания специальной сигналов, микроконтроллеров и аппаратуры нового поколения схем интерфейса
33. Разработка технологии структур 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии с ультратонким слоем кремния _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и изготовления на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)
34. Разработка базовой технологии 92,669 51 41,669 разработка конструкции и модели и приборно-технологического ______ __ ______ интегральных элементов и базиса производства 73,15 40 33,15 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", типа "система на кристалле" с радиационно стойкой силовой расширенным температурным электроники для аппаратуры диапазоном, силовых транзисторов питания и управления и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)
35. Разработка элементной базы 74,471 36,2 38,271 создание ряда микронанотриодов радиационно стойких ______ ____ ______ и микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 50,6 26,1 24,5 радиационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры микронанотриодов космического базирования
36. Создание информационной базы 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса моделей радиационно стойкой _____ ____ ____ ____ _____ расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы, 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 электронной компонентной базы для содержащей модели интегральных определения технически компонентов, функционирующих в обоснованных норм испытаний условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы
37. Разработка библиотек 847,488 105 184,5 251,2 195,038 111,75 создание технологии стандартных элементов и _______ ___ _____ _____ _______ ______ проектирования и изготовления сложнофункциональных блоков 565,025 70 123 167,5 130,025 74,5 микросхем и сложнофункциональных для создания радиационно блоков на основе ультратонких стойких сверхбольших слоев на структуре "кремний на интегральных схем сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)
38. Разработка расширенного ряда 921,488 187,5 185 141,25 216,75 190,988 разработка расширенного ряда радиационно стойких _______ _____ ___ ______ ______ _______ цифровых процессоров, сверхбольших интегральных схем 613,825 125 123 94 144,5 127,325 микроконтроллеров, оперативных для специальной аппаратуры запоминающих программируемых связи, обработки и передачи и перепрограммируемых устройств, информации, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
39. Разработка и совершенствование 834,4801 75 275 210,75 128,1551 145,575 разработка комплекса моделей методов моделирования и ________ __ ___ ______ ________ _______ расчета радиационной стойкости проектирования радиационно 555,9867 50 183 140,5 85,4367 97,05 электронной компонентной базы для стойкой элементной базы определения технически обоснованных норм испытаний
40. Разработка и совершенствование 916,75 180 191 177,5 189,75 178,5 создание технологического базиса базовых технологий и ______ ___ ___ _____ ______ _____ (технология проектирования, конструкций радиационно 602 120 123 113,5 126,5 119 базовые технологии), позволяющего стойких сверхбольших разрабатывать радиационно стойкие интегральных схем на сверхбольшие интегральные схемы структурах "кремний на на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на сапфире" с проектной нормой не изоляторе" с топологическими менее 0,18 мкм (2014 год), нормами не менее 0,18 мкм создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)
Всего по направлению 2 5829,2381 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 980,6 729,6931 626,813 _________ _______ _______ _______ ______ ______ _____ ________ _______ 3856,1867 292,1 245,95 161,7 819,6 780 652,5 486,4617 417,875
Направление 3. Микросистемная техника
41. Разработка базовых технологий 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий микроэлектромеханических _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов систем 117,9 105,9 12 технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
42. Разработка базовых конструкций 423,712 87,239 73,473 108 82,5 72,5 разработка базовых конструкций и микроэлектромеханических _______ ______ ______ ___ ____ ____ комплектов необходимой систем 263,8 42,1 49,7 72 55 45 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
43. Разработка базовых технологий 202,784 122,356 44,428 36 создание базовых технологий микроакусто- _______ _______ ______ __ (2009 год) и комплектов электромеханических систем 132,15 78,55 29,6 24 необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники
44. Разработка базовых конструкций 411,574 52 103,825 88,5 167,249 разработка базовых конструкций и микроакустоэлектромеханических _______ __ _______ ____ _______ комплектов необходимой систем 258,8 28 60,3 59 111,5 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов
45. Разработка базовых технологий 37 37 создание базовых технологий микроаналитических систем __ __ изготовления элементов 25 25 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно- коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
46. Разработка базовых конструкций 134 47 60 27 создание базовых конструкций микроаналитических систем ___ __ __ __ микроаналитических систем, 78 20 40 18 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах
47. Разработка базовых технологий 42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий микрооптоэлектромеханических ______ ______ ______ выпуска трехмерных оптических и систем 27 10,2 16,8 акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год)
48. Разработка базовых конструкций 109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых конструкций и микрооптоэлектромеханических _______ _____ ______ __ комплектов конструкторской систем 70 21 31 18 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения
49. Разработка базовых технологий 55,008 55,008 создание базовых технологий микросистем анализа магнитных ______ ______ изготовления микросистем анализа полей 36 36 магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)
50. Разработка базовых конструкций 153,518 39,518 93 21 разработка базовых конструкций и микросистем анализа магнитных _______ ______ __ __ комплектов конструкторской полей 98,018 22,018 62 14 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях
51. Разработка базовых технологий 123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в радиочастотных _______ ______ ______ производстве базовых технологий микроэлектромеханических 80,662 28,45 52,212 изготовления радиочастотных систем микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)
52. Разработка базовых конструкций 142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых конструкций и радиочастотных _______ ____ ______ ____ комплектов конструкторской микроэлектромеханических 96 25 42 29 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий
53. Разработка методов и средств 38,915 38,915 создание методов и средств обеспечения создания и ______ ______ контроля и измерения параметров и производства изделий 22,8 22,8 характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
54. Разработка перспективных 1077 345 315 256,5 160,5 создание базовых технологий технологий и конструкций ____ ___ ___ _____ _____ выпуска трехмерных оптических и микрооптоэлектромеханических 718 230 210 171 107 акустооптических функциональных систем для оптической элементов, аппаратуры, систем отображения микрооптоэлектромеханических изображений, научных систем для коммутации и модуляции исследований и специальной оптического излучения (2012 год), техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации оптического излучения (2015 год)
55. Разработка и совершенствование 791,25 150 262,5 142,5 112,5 123,75 создание методов и средств методов и средств контроля, ______ ___ _____ _____ _____ ______ контроля и измерения параметров и испытаний и аттестации изделий 527,5 100 175 95 75 82,5 характеристик изделий микросистемотехники микросистемотехники
56. Разработка перспективных 868,5 360 253,5 156,75 98,25 создание перспективных технологий технологий и конструкций _____ ___ _____ ______ _____ изготовления элементов микроаналитических систем для 579 240 169 104,5 65,5 микроаналитических систем, аппаратуры контроля и чувствительных к газовым, обнаружения токсичных, химическим и биологическим горючих, взрывчатых и компонентам внешней среды, наркотических веществ предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)
Всего по направлению 3 4795,3 476,964 466,233 442,103 465 1050 986,75 525,75 382,5 _______ _______ _______ _______ ___ ____ ______ ______ _____ 3130,63 306,9 268,73 285 310 700 654,5 350,5 255
Направление 4. Микроэлектроника
57. Разработка технологии и 308,667 219,3 89,367 разработка комплекта развитие методологии _______ _____ ______ нормативно-технической проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 документации по проектированию микроэлектроники: изделий микроэлектроники, разработка и освоение создание отраслевой базы данных с современной технологии каталогами библиотечных элементов проектирования универсальных и сложнофункциональных блоков с микропроцессоров, процессоров каталогизированными результатами обработки сигналов, аттестации на физическом уровне, микроконтроллеров и "системы разработка комплекта на кристалле" на основе нормативно-технической и каталогизированных технологической документации по сложнофункциональных блоков и взаимодействию центров библиотечных элементов, в том проектирования в сетевом режиме числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм
58. Разработка и освоение базовой 34,569 22,7 11,869 разработка комплекта технологии производства ______ ____ ______ технологической документации и фотошаблонов с технологическим 22,7 14,7 8 организационно-распорядительной уровнем до 0,13 мкм в целях документации по взаимодействию обеспечения информационной центров проектирования и центра защиты проектов изделий изготовления фотошаблонов микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)
59. Разработка семейств и серий 852,723 350,836 501,887 разработка комплектов изделий микроэлектроники: _______ _______ _______ документации в стандартах единой универсальных микропроцессоров 490,2 190,1 300,1 системы конструкторской, для встроенных применений, технологической и универсальных микропроцессоров производственной документации, для серверов и рабочих изготовление опытных образцов станций, цифровых процессоров изделий и организация серийного обработки сигналов, производства сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода - вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемопередатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания
60. Разработка базовых серийных 2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов технологий изделий ________ ________ ______ ___ документации в стандартах единой микроэлектроники: 1299 592,3 616,7 90 системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной документации, преобразователей на частотах изготовление опытных образцов выше 100 МГц с разрядностью изделий и организация серийного более 14-16 бит, производства микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов
61. Разработка технологии и 545,397 304,9 240,497 разработка комплектов освоение производства изделий _______ _____ _______ документации в стандартах единой микроэлектроники с 308,8 168,3 140,5 системы конструкторской, технологическим уровнем технологической документации и 0,13 мкм ввод в эксплуатацию производственной линии
62. Разработка базовой технологии 939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов формирования многослойной ______ ___ ___ ___ ______ документации в стандартах единой разводки (7-8 уровней) 587,3 102 240 99 146,3 системы конструкторской, сверхбольших интегральных технологической и схем на основе Al и Cu производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
63. Разработка технологии и 519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов организация производства _______ _______ _______ _____ документации в стандартах единой многокристальных 288,9 101 110,9 77 системы конструкторской, микроэлектронных модулей для технологической и мобильных применений с производственной документации, использованием полимерных и ввод в эксплуатацию металлополимерных микроплат производственной линии и носителей
64. Разработка новых методов 133,8 67 66,8 разработка технологической и технологических испытаний _____ __ ____ производственной документации, изделий микроэлектроники, 133,8 67 66,8 ввод в эксплуатацию гарантирующих их повышенную специализированных участков надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов
65. Разработка современных методов 243,77 131,9 111,87 разработка комплектов анализа отказов изделий ______ _____ ______ документации, включая микроэлектроники с применением 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые методики, ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию (ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.)
66. Разработка базовых 1170,325 310 354,45 285 220,875 создание технологии сверхбольших субмикронных технологий ________ ___ ______ ___ _______ интегральных схем, уровней 0,065 - 0,045 мкм 773,55 200 236,3 190 147,25 создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров
67. Исследование технологических 1372,075 383 383,45 334,875 270,75 создание технологии сверхбольших процессов и структур для ________ ___ ______ _______ ______ интегральных схем технологических субмикронных технологий 894,45 245 245,7 223,25 180,5 уровней 65-45 нм, организация уровней 0,032 мкм опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год)
68. Разработка перспективных 1372,376 166,05 402,7 318 288,38 197,246 создание технологий и конструкций технологий и конструкций ________ ______ _____ ___ ______ _______ перспективных изделий изделий интеллектуальной 902,946 110,7 261,8 212 192,25 126,196 интеллектуальной силовой силовой электроники для микроэлектроники для применения в применения в аппаратуре аппаратуре промышленного и бытового и промышленного бытового назначения, применения, на транспорте, в создание встроенных интегральных топливно-энергетическом источников питания комплексе и в специальных (2013-2015 годы) системах
69. Разработка перспективных 1649,14 300 356,4 205 413,25 374,49 разработка перспективной технологий сборки сверхбольших _______ ___ _____ ___ ______ ______ технологии многокристальных интегральных схем в 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 микроэлектронных модулей для многовыводные корпуса, в том мобильных применений с числе корпуса с матричным использованием полимерных и расположением выводов, и металлополимерных микроплат и технологий многокристальной носителей (2015 год) сборки, включая создание "систем в корпусе"
Всего по направлению 4 11378,645 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1321,505 1063,361 _________ ________ ________ _______ ______ ______ _______ ________ ________ 7196,176 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 881 703,606
Направление 5. Электронные материалы и структуры
70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических производства новых __ __ __ материалов на основе диэлектрических материалов на 49 32 17 ромбоэдрической модификации основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с подложек из повышенной теплопроводностью поликристаллического алмаза и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов
71. Разработка технологии 93,663 46,233 47,43 создание технологии производства производства ______ ______ _____ гетероэпитаксиальных структур гетероэпитаксиальных структур 54,24 22,62 31,62 и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных транзисторов на основе соединений А В для обеспечения нитридных соединений А В для 3 5 3 5 разработок и изготовления мощных полупроводниковых сверхвысокочастотных монолитных приборов и интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов (2011 год) монолитных интегральных схем
72. Разработка базовой технологии 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии производства метаморфных ______ ______ ____ производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 49,8 32 17,8 псевдоморфных структур на псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных монолитных электроники диапазона интегральных схем диапазона 60-90 ГГц 60-90 ГГц (2009 год)
73. Разработка технологии 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных производства спинэлектронных _______ ______ __ __ магнитных материалов и магнитных материалов, 82 16 30 36 микроволновых структур со радиопоглощающих и спиновым управлением для создания мелкодисперсных ферритовых перспективных микроволновых материалов для сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления
74. Разработка технологии 76,4 50,1 26,3 создание технологии массового производства высокочистых ____ ____ ____ производства высокочистых химических материалов 47,3 31 16,3 химических материалов (аммиака, (аммиака, арсина, фосфина, арсина, фосфина, тетрахлорида тетрахлорида кремния) для кремния) для выпуска обеспечения производства полупроводниковых подложек полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, нитрида галлия, арсенида фосфида индия, кремния галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур и гетероэпитаксиальных на их основе (2009 год) структур на их основе
75. Разработка технологии 62,07 12 35,07 15 создание технологии производства производства _____ __ _____ __ поликристаллических алмазов и их поликристаллических алмазов и 45,38 12 23,38 10 пленок для мощных их пленок для теплопроводных сверхвысокочастотных приборов конструкций мощных выходных (2012 год) транзисторов и сверхвысокочастотных приборов
76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии изготовления разработка технологии __ __ __ новых микроволокон на основе изготовления новых 38 24 14 двухмерных диэлектрических и микроволокон на основе металлодиэлектрических микро- и двухмерных диэлектрических и наноструктур для новых классов металлодиэлектрических микро- микроструктурных приборов, и наноструктур, а также магниторезисторов, осцилляторов, полупроводниковых нитей с устройств оптоэлектроники наноразмерами при вытяжке (2009 год) стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника
77. Разработка технологии 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой пленочной выращивания слоев ______ ___ ______ __ технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 39 3 18 18 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металлооксидной комплексированных устройств полупроводниковой технологией для микросистемной техники разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)
78. Разработка методологии и 63,657 42,657 21 создание технологии травления и базовых технологий создания ______ ______ __ изготовления кремниевых многослойных кремниевых 38 24 14 трехмерных базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических систем "жертвенных" и "стопорных" с использованием "жертвенных" и диффузионных и диэлектрических "стопорных" слоев для серийного слоев для производства силовых производства элементов приборов и элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических (2009 год) кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния
79. Разработка базовых технологий 45,85 29,35 16,5 создание технологии получения получения алмазных _____ _____ ____ алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 22 11 11 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, алмазных покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для функциональных свойств конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)
80. Исследование и разработка 136,716 57,132 79,584 создание технологии изготовления технологии роста _______ ______ ______ гетероструктур и эпитаксиальных эпитаксиальных слоев карбида 88,55 38 50,55 структур на основе нитридов для кремния, структур на основе создания радиационно стойких нитридов, а также формирования сверхвысокочастотных и силовых изолирующих и коммутирующих приборов нового поколения слоев в приборах экстремальной (2009 год) электроники
81. Разработка технологии 159,831 52 107,831 создание технологии производства производства радиационно _______ __ _______ структур "кремний на сапфире" стойких сверхбольших 90 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной интегральных схем на приборного слоя до 0,1 мкм и ультратонких топологическими нормами до 0,18 гетероэпитаксиальных мкм для производства электронной структурах кремния на компонентной базы специального и сапфировой подложке для двойного назначения (2009 год) производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения
82. Разработка технологии 138,549 54 84,549 создание технологии производства производства высокоомного _______ __ ______ радиационно облученного кремния и радиационно облученного 89,7 36 53,7 пластин кремния до 150 мм для кремния, слитков и пластин выпуска мощных транзисторов и кремния диаметром до 150 мм сильноточных тиристоров нового для производства силовых поколения (2009 год) полупроводниковых приборов
83. Разработка технологии 90,4 38,5 51,9 разработка и промышленное производства кремниевых ____ ____ ____ освоение получения подложек и структур для 58,9 24 34,9 высококачественных подложек и силовых полупроводниковых структур для использования в приборов с глубокими производстве силовых высоколегированными слоями р- полупроводниковых приборов с и n-типов проводимости глубокими высоколегированными и скрытыми слоями носителей с слоями и скрытыми слоями повышенной рекомбинацией носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год)
84. Разработка технологии 220,764 73,964 146,8 создание технологии производства производства электронного _______ ______ _____ пластин кремния диаметром до кремния, кремниевых пластин 162 48 114 200 мм и эпитаксиальных структур диаметром до 200 мм уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм
85. Разработка методологии, 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии конструктивно-технических ______ _____ _____ __ __ корпусирования интегральных схем решений и перспективной 161 38 83 20 20 и полупроводниковых приборов на базовой технологии основе использования многослойных корпусирования интегральных кремниевых структур со сквозными схем и полупроводниковых токопроводящими каналами, приборов на основе обеспечивающей сокращение состава использования многослойных сборочных операций и формирование кремниевых структур со трехмерных структур (2013 год) сквозными токопроводящими каналами
86. Разработка технологии 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой технологии производства гетероструктур _______ ______ ___ __ __ производства гетероструктур SiGe SiGe для разработки 143 13 90 20 20 для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год)
87. Разработка технологии 46,745 28,745 18 создание технологии выращивания и выращивания и обработки, в том ______ ______ __ обработки пьезоэлектрических числе плазмохимической, новых 34 22 12 материалов акустоэлектроники и пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)
88. Разработка технологий 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии массового производства соединений А В ______ ______ __ __ ____ производства исходных материалов 3 5 58 12 22 15 9 и структур для перспективных и тройных структур для приборов лазерной и производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том лазерных диодов, числе производства сверхмощных высокоэффективных светодиодов лазерных диодов (2010 год), белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов, белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов инфракрасного диапазона (2011 год), фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год)
89. Исследование и разработка 45,21 30,31 14,9 создание технологии производства технологии получения _____ _____ ____ принципиально новых материалов гетероструктур с вертикальными 30 22 8 полупроводниковой электроники на оптическими резонаторами на основе сложных композиций для основе квантовых ям и перспективных приборов лазерной и квантовых точек для оптоэлектронной техники производства вертикально (2009 год) излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения
90. Разработка технологии 32,305 24,805 7,5 создание технологии производства производства современных ______ ______ ___ компонентов для компонентов для 17 12 5 специализированных специализированных электронно-лучевых (2010 год), фотоэлектронных приборов, в электронно-оптических и том числе катодов и газо- отклоняющих систем (2010 год), поглотителей, стеклооболочек и деталей из электронно-оптических и электровакуумного стекла отклоняющих систем, различных марок (2011 год) стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок
91. Разработка технологии 39,505 27,505 12 создание технологии производства производства особо тонких ______ ______ __ особо тонких гетерированных гетерированных нанопримесями 32 20 12 нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических электронно-оптических преобразователей и преобразователей и фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного приемников инфракрасного диапазона и солнечных диапазона, солнечных элементов и элементов с высокими других приложений (2009 год) значениями коэффициента полезного действия
92. Разработка базовой технологии 42,013 24,013 18 создание технологии производства монокристаллов ______ ______ __ монокристаллов AlN для AlN для изготовления 24 12 12 изготовления изолирующих и изолирующих и проводящих проводящих подложек для создания подложек для гетероструктур полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)
93. Разработка базовой технологии 44,599 29,694 14,905 создание базовой технологии производства ______ ______ ______ вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 29,2 19,85 9,35 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и др.) для порошков и нитридов металлов для производства вакуумно-плотной промышленного освоения нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового заданными оптическими поколения (2009 год), в том числе свойствами микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники
94. Разработка базовой технологии 25,006 22,006 3 создание технологии производства производства полимерных и ______ ______ _ полимерных и композиционных гибридных 13 11 2 материалов с использованием органо-неорганических поверхностной и объемной наноструктурированных модификации полимеров защитных материалов для наноструктурированными электронных компонентов нового наполнителями для создания поколения прецизионных и изделий с высокой механической, сверхвысокочастотных термической и радиационной резисторов, терминаторов, стойкостью при работе в условиях аттенюаторов и длительной эксплуатации и резисторно-индукционно- воздействии комплекса специальных емкостных матриц, стойких к внешних факторов (2011 год) воздействию комплекса специальных внешних факторов
95. Исследование и разработка 1365,875 225 269 309 306,375 256,5 создание базовой технологии перспективных ________ ___ ___ ___ _______ _____ производства гетероструктур, гетероструктурных и 910,25 150 179 206 204,25 171 структур и псевдоморфных структур наноструктурированных на подложках InP для материалов с экстремальными перспективных полупроводниковых характеристиками для приборов и сверхвысокочастотных перспективных электронных монолитных интегральных схем приборов и радиоэлектронной диапазона 60-90 ГГц (2012 год), аппаратуры специального создание технологии получения назначения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)
96. Исследование и разработка 1254,0188 435 300 259,5188 259,5 создание нового класса экологически чистых материалов _________ ___ ___ ________ _____ конструкционных и технологических и методов их использования в 836,0125 290 200 173,0125 173 материалов для уровней технологии производстве электронной 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения компонентной базы и высокого процента выхода годных радиоаппаратуры, включая изделий, экологических бессвинцовые композиции для требований по международным сборки стандартам (2012 год, 2015 год)
97. Разработка перспективных 1333,625 404 352,5 292,125 285 создание перспективных технологий технологий получения ленточных ________ ___ _____ _______ ___ производства компонентов для материалов (полимерные, 889,75 270 235 194,75 190 специализированных металлические, плакированные электронно-лучевых, и другие) для радиоэлектронной электронно-оптических и аппаратуры и сборочных отклоняющих систем, операций электронной стеклооболочек и деталей из компонентной базы электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)
Всего по направлению 5 6316,1928 621,754 658,169 365,251 717 1260 1035 858,0188 801 _________ _______ _______ _______ ___ ____ ____ ________ 4131,0825 407,85 431,6 177,62 478 840 690 572,0125 534
Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
98. Разработка технологии выпуска 30,928 18 12,928 разработка расширенного ряда прецизионных ______ __ ______ резонаторов с повышенной температуростабильных 20 12 8 кратковременной и долговременной высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания резонаторов на поверхностно контрольной аппаратуры и техники акустических волнах до 1,5 ГГц связи двойного назначения с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс
99. Разработка в лицензируемых и 78,5 32 33 13,5 создание технологии и конструкции нелицензируемых международных ____ __ __ ____ акустоэлектронных пассивных и частотных диапазонах 860 МГц и 45 14 22 9 активных меток-транспондеров для 2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических пассивных и активных приложениях на транспорте, акустоэлектронных в торговле и промышленности меток-транспондеров, в том (2010 год, 2011 год) числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом
100. Разработка базовой конструкции 30,5 17 13,5 создание технологии и промышленной технологии ____ __ ____ проектирования и базовых производства пьезокерамических 19,5 11 8,5 конструкций пьезоэлектрических фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных поверхностного монтажа корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)
101. Разработка технологии 37,73 37,73 создание базовой технологии проектирования, базовой _____ _____ акустоэлектронных приборов для технологии производства и 23 23 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, промежуточной частоты с тропосферных и радиорелейных высокими характеристиками для линий связи, цифрового современных систем связи, интерактивного телевидения, включая высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры, высокочастотные устройства радиолокационных станций, частотной селекции на спутниковых навигационных систем поверхностных и (2008 год) приповерхностных волнах и волнах Гуляева - Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц
102. Разработка технологии 97,416 35,001 62,415 создание технологии производства проектирования и базовой ______ ______ ______ высокоинтегрированной электронной технологии производства 60,9 22 38,9 компонентной базы типа "система в функциональных законченных корпусе" для вновь устройств стабилизации, разрабатываемых и модернизируемых селекции частоты и обработки сложных радиоэлектронных систем и сигналов типа "система в комплексов (2010 год) корпусе"
103. Разработка базовой конструкции 63 21 21 21 создание базовой технологии и технологии изготовления __ __ __ __ (2013 год) и базовой конструкции высокочастотных резонаторов и 42 14 14 14 микроминиатюрных высокодобротных фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и телекоммуникационных и связи навигационных систем
104. Разработка технологии и 35 35 создание нового поколения базовой конструкции __ __ оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 23 23 обеспечения задач предотвращения матричными приемниками аварий и контроля высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений
105. Разработка базовой технологии 35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии унифицированных ______ ______ ____ нового поколения приборов электронно-оптических 21,9 10 11,9 контроля тепловых полей для задач преобразователей, теплоэнергетики, медицины, микроканальных пластин, поисковой и контрольной пироэлектрических матриц и аппаратуры на транспорте, камер на их основе с продуктопроводах и в охранных чувствительностью до 0,1 К и системах (2009 год) широкого инфракрасного диапазона
106. Разработка базовой технологии 82 45 37 создание базовой технологии создания интегрированных __ __ __ (2008 год) и конструкции новых гибридных фотоэлектронных 53 30 23 типов приборов, сочетающих высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные высокоразрешающих приборов и технологии, в целях получения усилителей для задач экстремально достижимых космического мониторинга и характеристик для задач контроля специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного научной и метрологической назначения аппаратуры
107. Разработка базовых технологий 96,537 48,136 48,401 создание базовой технологии мощных полупроводниковых ______ ______ ______ (2008 год) и конструкций лазерных диодов (непрерывного 64 30 34 принципиально новых мощных и импульсного излучения), диодных лазеров, предназначенных специализированных лазерных для широкого применения в полупроводниковых диодов, изделиях двойного назначения, фотодиодов и лазерных медицины, полиграфического волоконно-оптических модулей оборудования и системах открытой для создания аппаратуры и оптической связи систем нового поколения
108. Разработка и освоение базовых 56,5 16 30 10,5 разработка базового комплекта технологий для лазерных ____ __ __ ____ основных оптоэлектронных навигационных приборов, 37 10 20 7 компонентов для лазерных включая интегральный гироскопов широкого применения оптический модуль лазерного (2010 год), создание комплекса гироскопа на базе технологий обработки и сверхмалогабаритных кольцевых формирования структурных и полупроводниковых лазеров приборных элементов, оборудования инфракрасного диапазона, контроля и аттестации, оптоэлектронные компоненты для обеспечивающих новый уровень широкого класса инерциальных технико-экономических показателей лазерных систем управления производства движением гражданских и специальных средств транспорта
109. Разработка базовых конструкций 22 22 создание базовой технологии и технологий создания __ __ твердотельных квантово-электронных 15 15 чип-лазеров для лазерных приемо-передающих модулей для дальномеров, твердотельных малогабаритных лазерных лазеров с пикосекундными дальномеров нового поколения длительностями импульсов для на основе твердотельных установок по прецизионной чип-лазеров с обработке композитных материалов, полупроводниковой накачкой, для создания элементов и изделий технологических лазерных микромашиностроения и в установок широкого производстве электронной спектрального диапазона компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)
110. Разработка базовых технологий 66,305 56,27 10,035 создание технологии получения формирования конструктивных ______ _____ ______ широкоапертурных элементов на узлов и блоков для лазеров 43 37 6 основе алюмоиттриевой нового поколения и технологии легированной керамики композитных создания полного комплекта составов для лазеров с диодной электронной компонентной базы накачкой (2008 год), для производства лазерного высокоэффективных устройства определения наличия преобразователей частоты опасных, взрывчатых, лазерного излучения, организация отравляющих и наркотических промышленного выпуска оптических веществ в контролируемом изделий и лазерных элементов пространстве широкой номенклатуры
111. Разработка базовых технологий, 35 17 18 разработка расширенной серии базовой конструкции и __ __ __ низковольтных организация производства 35 17 18 катодолюминесцентных и других интегрированных дисплеев с широким диапазоном катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и дисплеев двойного назначения свойств по условиям применения со встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных управлением систем
112. Разработка технологии и 38,354 23,73 14,624 создание ряда принципиально новых базовых конструкций ______ _____ ______ светоизлучающих приборов с высокояркостных светодиодов и 29 16 13 минимальными геометрическими индикаторов основных цветов размерами, высокой надежностью и свечения для систем подсветки устойчивостью к механическим и в приборах нового поколения климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения
113. Разработка базовой технологии 100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии и конструкции оптоэлектронных _______ ______ _____ __ производства нового поколения приборов (оптроны, оптореле, 59 10 37 12 оптоэлектронной высокоэффективной светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной корпусах для поверхностного компонентной базы для монтажа промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)
114. Разработка схемотехнических 51,527 24 27,527 создание технологии новых классов решений и унифицированных ______ __ ______ носимой и стационарной базовых конструкций и 33,5 16 17,5 аппаратуры, экранов отображения технологий формирования информации коллективного твердотельных видеомодулей на пользования повышенных емкости и полупроводниковых формата (2009 год) светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой
115. Разработка базовой технологии 57,304 31,723 25,581 создание технологии массового изготовления высокоэффективных ______ ______ ______ производства солнечных элементов солнечных элементов на базе 37 20 17 для индивидуального и использования кремния, коллективного использования в полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития технологии и технологии солнечной энергетики в "литого" кремния жилищно-коммунальном хозяйстве прямоугольного сечения для обеспечения задач энергосбережения (2009 год)
116. Разработка базовой технологии 32 18 14 создание технологии массового и освоение производства __ __ __ производства нового класса оптоэлектронных реле с 19 12 7 оптоэлектронных приборов для повышенными техническими широкого применения в характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре поверхностного монтажа (2009 год)
117. Комплексное исследование 136,7 50 63 23,7 создание базовой технологии и разработка технологий _____ __ __ ____ массового производства экранов с получения новых классов 71,8 22 34 15,8 предельно низкой удельной органических (полимерных) стоимостью для информационных и люминофоров, пленочных обучающих систем (2010 год, транзисторов на основе 2011 год) "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления с катушки на катушку
118. Разработка базовых конструкций 145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и конструкции и технологии активных матриц и _______ __ ______ ______ активно-матричных органических драйверов плоских экранов на 100,5 30 8,5 62 электролюминесцентных, основе аморфных, жидкокристаллических и поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и интегральных структур на климатическим воздействиям различных подложках и создание (2010 год) на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения
119. Разработка базовой конструкции 85,004 41,004 20 24 создание технологии и базовых и технологии крупноформатных ______ ______ __ __ конструкций полноцветных полноцветных газоразрядных 46 10 20 16 газоразрядных видеомодулей видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)
120. Разработка технологии 63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов и ______ ______ ______ ______ сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем 42 16 12 14 гибридных интегральных схем цифроаналоговых и цифроаналоговых и аналого-цифровых аналого-цифровых преобразователей преобразователей на их основе с параметрами, превышающими в металлокерамических корпусах уровень существующих для аппаратуры двойного отечественных и зарубежных назначения изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)
121. Разработка базовой технологии 72 30 30 12 разработка расширенного ряда особо стабильных и особо __ __ __ __ сверхпрецизионных резисторов с точных резисторов широкого 48 20 20 8 повышенной удельной мощностью диапазона номиналов, рассеяния, высоковольтных прецизионных датчиков тока для высокоомных резисторов для измерительной и контрольной измерительной техники, приборов аппаратуры и освоение их ночного видения и аппаратуры производства контроля (2013 год)
122. Разработка технологии и 149,019 10,5 18,519 24,75 45 50,25 создание базовой технологии и базовых конструкций резисторов _______ ____ ______ _____ __ _____ конструкции резисторов с и резистивных структур нового 100 7 13 16,5 30 33,5 повышенными значениями поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности монтажа, в том числе в чип-исполнении на основе резисторов с повышенными многослойных монолитных структур характеристиками, (2010 год, 2013 год) ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции
123. Разработка технологий 46,93 36,001 10,929 создание базовой технологии формирования интегрированных _____ ______ ______ производства датчиков на резистивных структур с 30,95 24 6,95 резистивной основе с высокими повышенными техническими характеристиками и технико-эксплуатационными надежностью (2009 год) характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки
124. Создание групповой технологии 59,011 30,006 29,005 создание технологии автоматизированного ______ ______ ______ автоматизированного производства производства толстопленочных 39 20 19 чип- и микрочип-резисторов чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)
125. Разработка новых базовых 126 24 27 75 создание базовой технологии технологий и конструктивных ___ __ __ __ производства конденсаторов с решений изготовления 83 16 17 50 качественно улучшенными танталовых характеристиками с электродами из оксидно-полупроводниковых и неблагородных металлов при оксидно-электролитических сохранении высокого уровня конденсаторов и надежности (2010 год) чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками
126. Разработка комплексной базовой 29,801 22,277 7,524 создание базовых технологий технологии и организация ______ ______ _____ конденсаторов и ионисторов на производства конденсаторов с 18 13 5 основе полимерных материалов с органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и повышенными удельными энергоемких накопительных характеристиками и ионисторов конденсаторов с повышенной с повышенным током разряда удельной энергией (2009 год)
127. Разработка технологии, базовых 94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и базовых конструкций высоковольтных ______ ____ ______ ____ конструкций нового поколения (быстродействующих, мощных) 62 15 26 21 выключателей для радиоэлектронной вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными поколения с предельными тактико-техническими характеристиками для характеристиками и надежностью радиотехнической аппаратуры с (2011 год) высокими сроками службы
128. Разработка технологий создания 50,599 24,803 25,796 создание технологии изготовления газонаполненных высоковольтных ______ ______ ______ коммутирующих устройств для высокочастотных коммутирующих 33,5 16,5 17 токовой коммутации цепей в устройств для токовой широком диапазоне напряжений и коммутации цепей с повышенными токов для радиоэлектронных и техническими характеристиками электротехнических систем (2009 год)
129. Разработка полного комплекта 26,5 26,5 создание технологии выпуска электронной компонентной базы ____ ____ устройств грозозащиты в для создания модульного 17,5 17,5 индивидуальном, промышленном и устройства грозозащиты зданий гражданском строительстве, и сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных требований по международным объектов (2008 год) стандартам
130. Разработка базовых конструкций 55 46 9 создание базовой технологии и технологий изготовления __ __ _ формирования высококачественных малогабаритных переключателей 37 31 6 гальванических покрытий, с повышенными сроками службы технологии прецизионного для печатного монтажа формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)
131. Комплексное исследование и 741,505 80,55 181 172,5 172,08 135,375 комплексное исследование и разработка пленочных _______ _____ ___ _____ ______ _______ разработка технологий получения технологий изготовления 494,67 53,7 121 115 114,72 90,25 новых классов органических высокоэкономичных светоизлучающих диодов (ОСИД), крупноформатных гибких и особо полимерной пленочной основы и плоских экранов технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год)
132. Исследование перспективных 740,8875 75 217,5 156,75 171,075 120,5625 создание технологии формирования конструкций и технологических ________ __ _____ ______ _______ ________ нового поколения оптоэлектронных принципов формирования 493,925 50 145 104,5 114,05 80,375 комплексированных приборов, оптоэлектронных и квантовых обеспечивающих создание "системы структур и приборов нового на кристалле" с оптическими поколения входами-выходами (2014 год, 2015 год)
133. Разработка перспективных 707,55 255 247,5 82,5 122,55 создание перспективной технологии технологий промышленного ______ ___ _____ ____ ______ изготовления солнечных элементов изготовления солнечных 471,7 170 165 55 81,7 на основе четверных соединений высокоэффективных элементов нитридов металлов III группы (2015 год)
Всего по направлению 6 4375,9265 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 660 425,655 378,4875 _________ _______ _______ _______ _____ _____ ___ _______ ________ 2869,345 456 365,35 336,9 235 500 440 283,77 252,325
Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции
134. Разработка базовых технологий 4141,433 130,715 167,733 127,015 630 1058 707,55 665,7 654,72 создание на основе современной и создания рядов ________ _______ _______ _______ ___ ____ ______ _____ ______ перспективной отечественной приемо-передающих 2715,25 90,1 113,6 87,7 420 691 471,7 435,3 405,85 электронной компонентной унифицированных электронных элементной базы и последних модулей для аппаратуры связи, достижений в разработке радиолокации, алгоритмов сжатия телекоммуникаций, бортовых видеоизображений радиотехнических средств приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами диапазона частот до 100 ГГц, скорости передачи информации до 100 Гбит/с, создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области, разработка новых технологий
135. Разработка базовых технологий 2961,6528 91,404 159,155 101,29 465 797 706,8 305,675 335,3288 создание на основе базовых создания нового класса _________ ______ _______ ______ ___ ___ _____ _______ ________ технологий и современной унифицированных электронных 1963,5475 61,1 104,9 56,4 310 540 471,2 196,395 223,5525 отечественной твердотельной модулей для обработки компонентной электронной базы аналоговых и цифровых сигналов унифицированных электронных на основе устройств модулей нового поколения для функциональной электроники, обработки аналоговых и цифровых приборов обработки сигналов сигналов радиолокационных систем аналого-цифровых и и других радиотехнических систем цифроаналоговых в высокочастотных и преобразователей, сенсоров и сверхвысокочастотных диапазонах, преобразователей освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем
136. Разработка базовых технологий 1599,0388 47,185 77,477 63,783 285 453 247,5 199,3275 225,7613 создание рядов унифицированных создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ ________ ________ электронных модулей для систем электронных модулей для систем 1068,6425 32,5 42,2 45,55 190 313 162 132,885 150,5075 телеметрии, управления, телеметрии, управления, радиолокационных, навигации (угловых и линейных робототехнических, перемещений, ориентации, телекоммуникационных систем и стабилизации, навигации (ориентации, позиционирования, наведения, стабилизации, позиционирования, радиопеленгации, единого наведения, радиопеленгации, времени) единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения
137. Разработка базовых технологий 3010,4329 60,024 89,053 63,082 540 977 447 433,4324 400,8415 создание на основе современной и создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ________ ________ перспективной отечественной электронных модулей 1992,1499 40 53,5 42,04 360 658 296 279,9824 262,6275 электронной компонентной базы процессоров, скоростного и унифицированных электронных сверхскоростного ввода-вывода модулей широкой номенклатуры для данных, шифрования и применения в различных дешифрования данных, информационных системах, в том интерфейсов обмена, систем числе унифицированных электронных сбора и хранения информации, модулей шифрования и дешифрования периферийных устройств, систем данных, разработка базовых идентификации и управления технологий и конструкций доступом, конверторов, унифицированных электронных информационно-вычислительных модулей систем радиочастотной систем идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с
138. Разработка базовых технологий 1969,3185 49,076 64,824 81,236 270 437 500,9 258,499 307,7835 разработка на основе создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ _______ ________ перспективных отечественных электронных цифровых модулей 1312,529 32,7 43,2 46,5 180 303 329,6 172,34 205,189 сверхбольших интегральных схем для перспективных типа "система на кристалле" магистрально-модульных базового ряда электронных модулей архитектур для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов
139. Разработка базовых технологий 2029,9439 72,091 92,753 61,381 330 536 312,9 318,8432 305,9757 создание на основе современной и создания ряда унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ ________ ________ перспективной отечественной электронных модулей для 1347,3459 35,5 61,9 40,8 220 364 208,6 212,5621 203,9838 электронной компонентной базы контрольно-измерительной, рядов унифицированных электронных метрологической и поверочной модулей, обеспечивающих аппаратуры, аппаратуры возможность создания по тестового контроля, модульному принципу диагностики блоков контрольно-измерительной, радиоэлектронной аппаратуры, метрологической и поверочной для стандартных и встроенных аппаратуры, аппаратуры тестового систем контроля и измерений контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций, создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений
140. Разработка базовых технологий 2921,0238 58,5 95,178 91,262 480 860 421,05 519,3 395,7388 разработка базовых технологий создания нового поколения _________ ____ ______ ______ ___ ___ ______ ______ ________ создания системообразующих унифицированных рядов средств 1934,6725 41 62 55 320 574 280,7 338,15 263,8225 унифицированных рядов средств электропитания и (систем, источников, сервисных преобразователей устройств) и преобразователей электроэнергии для электроэнергии нового поколения радиоэлектронных систем и межвидового и межведомственного аппаратуры гражданского и применения, в том числе средств двойного назначения электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания унифицированных рядов источников электропитания, преобразователей электрической энергии, источников и систем бесперебойного электропитания, фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов, модулей защиты от сетевых помех, адаптеров
141. Разработка оптимизированной 2731,3303 43 84,225 90 525 920 424 289,9995 355,1058 разработка системы базовых системы базовых несущих _________ __ ______ __ ___ ___ ___ ________ ________ несущих конструкций, конструкций первого, второго и 1809,5588 28 54,5 57 350 612 295 193,333 219,7258 изготавливаемых на основе третьего уровней для наземной, прогрессивных технологий и морской, авиационной и обеспечивающих техническую космической радиоэлектронной совместимость со всеми видами аппаратуры специального и современных объектов с двойного назначения, использованием композиционных предназначенной для жестких материалов. Применение условий эксплуатации, в том оптимизированных базовых несущих числе работающей в конструкций позволит сократить негерметизированном отсеке с сроки разработки радиоэлектронной использованием прогрессивных аппаратуры в 1,2 раза, снизить технологий трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение
142. Разработка базовых технологий 2191,264 46,16 66,651 60,078 285 482 403,8 421,575 426 разработка системы базовых комплексно интегрированных ________ _____ ______ ______ ___ ___ _____ _______ ___ несущих конструкций, базовых несущих конструкций с 1463,93 33 45,3 41,38 190 320 269,2 281,05 284 изготавливаемых на основе функциями контроля, прогрессивных технологий и диагностики, индикации обеспечивающих техническую функционирования совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение
143. Разработка базовых технологий 1123,518 30,618 34,2 38 210 362 185 119,7 144 обеспечение улучшения создания облегченных паяных ________ ______ ____ __ ___ ___ ___ _____ ___ массогабаритных характеристик базовых несущих конструкций 746 20 22,2 24 140 240 124 79,8 96 бортовой аппаратуры на для радиоэлектронной 10 процентов и повышение аппаратуры авиационного и прочности при внешних космического базирования на воздействиях в 1,2 раза основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции
144. Разработка контейнерных 965,425 21 32,4 38 180 275 144 139,65 135,375 повышение уровня системной базовых несущих конструкций с _______ __ ____ __ ___ ___ ___ ______ _______ интеграции и комплексирования унифицированными интерфейсными 637,75 14 20,4 24 120 180 96 93,1 90,25 средств и систем, повышение средствами для конкурентоспособности не менее комплексирования бортовых и чем в 2 раза, обеспечение наземных систем и комплексов функционирования аппаратуры в различного назначения условиях внешних жестких воздействий
Всего по направлению 7 25644,3758 649,773 963,649 815,127 4200 7157 4500,5 3671,7016 3686,6253
16991,3761 427,9 623,7 520,37 2800 4795 3004 2114,8975 2405,5086
Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
145. Разработка технологии 2826,375 45 75,057 66,568 555 848 407,4 434,625 394,725 обеспечение разработки технологий изготовления высокоплотных ________ __ ______ ______ ___ ___ _____ _______ _______ производства печатных плат 5-го теплонагруженных и 1893,5 30 50 44 370 575 271,6 289,75 263,15 и выше классов точности, включая сильноточных печатных плат платы со встроенными пассивными элементами, создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания, формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости, формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий, производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки, лазерных процессов изготовления печатных плат, прямой металлизации сквозных и глухих отверстий
146. Разработка технологии 1829,852 35,733 52,195 49,124 360 545 271,95 260,775 255,075 обеспечение разработки технологий изготовления прецизионных ________ ______ ______ ______ ___ ___ ______ _______ _______ изготовления коммутационных плат коммутационных плат на основе 1221,5 25 35 33,3 240 363 181,3 173,85 170,05 для жестких условий эксплуатации керамики (в том числе и широкого диапазона частот, низкотемпературной), металла, получения коммутационных плат с углепластика и других температурным коэффициентом функциональных материалов расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов, обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей, снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики, интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов, прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат, обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате
147. Разработка технологий сборки, 3385,67 65,121 107,805 67,219 615 1033 547,05 503,025 447,45 обеспечение разработки технологий монтажа электронных модулей, _______ ______ _______ ______ ___ ____ ______ _______ ______ новых методов присоединения, многокристальных модулей и 2247,95 43 63 44,6 410 689 364,7 335,35 298,3 сварки, пайки, в том числе с микросборок на основе новой применением бессвинцовых припоев, компонентной базы, высокоточного дозирования перспективных технологических материалов, применяемых при и конструкционных материалов сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и др.), новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы, монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины, сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов, настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты
148. Разработка технологии создания 1282,8213 29 36,5 36,5 225 382 206,07 192,9713 174,78 обеспечение разработки технологий межблочных соединений для _________ __ ____ ____ ___ ___ ______ ________ ______ изготовления антенно-фидерных коммутации сигналов в широком 854,5475 19 24 24 150 255 137,38 128,6475 116,52 устройств, в том числе гибких диапазоне частот и мощностей волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения, оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга, изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и др.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и др.
149. Разработка методов, средств и 2016,3248 35,154 61,38 47,258 225 382 379,05 451,6613 434,8215 повышение процента выхода годных технологии автоматизированного _________ ______ _____ ______ ___ ___ ______ ________ ________ изделий, снижение потерь контроля коммутационных плат, 1344,1885 23 41 31,5 150 255 252,7 301,1075 289,881 на 15-30 процентов, обеспечение узлов, электронных модулей и разработки неразрушающих методов приборов специального и общего контроля качества монтажных применения на этапах соединений и многослойных разработки и производства структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации, методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий
150. Разработка технологии 3339,1998 57,178 81,504 73,524 600 1037 535,35 506,95 447,6938 импортозамещение специальных производства специальных _________ ______ ______ ______ ___ ____ ______ ______ ________ конструкционных и технологических технологических и 2181,3625 36 53,15 48,97 400 658 356,9 329,88 298,4625 материалов, обеспечивающих конструкционных материалов и процессы бессвинцовой и базовой технологии защиты комбинированной пайки, электронных модулей от изготовления коммутационных плат, воздействия в жестких условиях разработка влагозащитных эксплуатации электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными, изготовление вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы, формирование покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесение локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей
Всего по направлению 8 14680,2428 267,186 414,441 340,193 2580 4227 2346,87 2350,0075 2154,5453 __________ _______ _______ _______ ____ ____ _______ _________ _________ 9743,0485 176 266,15 226,37 1720 2795 1564,58 1558,585 1436,3635
Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов
151. Разработка технологий создания 2560,6529 60,032 89,083 81,4 435 887 348,9 338,325 320,9129 создание технологий систем и оборудования _________ ______ ______ ____ ___ ___ _____ _______ ________ отечественного программно- автоматизации проектирования 1703,0919 40 59 52 290 590 232,6 225,55 213,9419 аппаратного обеспечения и радиоэлектронных систем и средств разработки для комплексов автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов, повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно- управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно- управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры
152. Разработка технологий 3056,819 75,3 138,5 80,194 525 1055 429 384,75 369,075 создание новых способов моделирования сложных ________ ____ _____ ______ ___ ____ ___ ______ _______ моделирования, в том числе информационно-управляющих 2026,45 49,8 80 53,1 350 705 286 256,5 246,05 комбинированного способа систем, в том числе систем моделирования, позволяющего реального времени существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности, способа операционно-динамического моделирования, снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции, повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов
153. Разработка технологий 2372,36 45,054 70,65 75,029 405 975 285 259,4145 257,2125 создание метрологически полунатурных и стендовых ________ ______ _____ ______ ___ ___ ___ ________ ________ аттестованной унифицированной испытаний сложных 1580,068 30 45,65 50 270 650 190 172,943 171,475 стендовой испытательной базы для информационно-управляющих проведения систем научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции, существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний
154. Разработка технологии 2212,6825 45,05 73,65 68,96 375 907 269 249,3 224,7225 разработка базовых технологий, конструирования и _________ _____ _____ _____ ___ ___ ___ _____ ________ элементов и конструкций для производства, а также 1472,625 30 48,65 43,96 250 605 179 166,2 149,815 создания парка измерительных аппаратно-программного систем и приборов, необходимых обеспечения метрологических для разработки и испытаний систем различного назначения радиотехнических для создания нового поколения информационно-управляющих систем, отечественного парка систем связи и телекоммуникаций измерительной аппаратуры
Всего по направлению 9 10202,5144 225,436 371,883 305,583 1740 3824 1331,9 1231,7895 1171,9229 __________ _______ _______ _______ ____ ____ ______ _________ _________ 6782,2349 149,8 233,3 199,06 1160 2550 887,6 821,193 781,2819
Направление 10. Обеспечивающие работы
155. Разработка организационных 89,27 9 6 7 10 18 14 12,635 12,635 разработка комплекта методической принципов и научно-технической _____ _ _ _ __ __ __ ______ ______ и научно-технической документации базы обеспечения 86,27 6 6 7 10 18 14 12,635 12,635 для обеспечения функционирования проектирования и производства систем проектирования и электронной компонентной базы производства электронной в соответствии с требованиями компонентной базы в соответствии Всемирной торговой организации с требованиями Всемирной торговой организации
156. Создание и обеспечение 123,9 16,3 20 13 19 18 11 13,3 13,3 разработка новых и функционирования системы _____ ____ __ __ __ __ __ ____ ____ совершенствование существующих испытаний электронной 120,6 13 20 13 19 18 11 13,3 13,3 методов испытаний электронной компонентной базы, компонентной базы, разработка обеспечивающей поставку методов отбраковочных испытаний изделий с гарантированной перспективной электронной надежностью для комплектации компонентной базы, обеспечение систем специального и двойного поставки изделий с назначения гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)
157. Разработка и совершенствование 94,55 8,5 12 9 11 18 10,4 13,3 12,35 разработка и систематизация методов, обеспечивающих _____ ___ __ _ __ __ ____ ____ _____ методов расчетно- качество и надежность 93,05 7 12 9 11 18 10,4 13,3 12,35 экспериментальной оценки сложнофункциональной показателей надежности электронной компонентной базы электронной компонентной базы, на этапах разрешенной для применения в опытно-конструкторских работ, аппаратуре, функционирующей в освоения и производства специальных условиях и с длительными сроками активного существования
158. Создание и внедрение 92,2175 10 14,5 10 18 15 12,985 11,7325 разработка системы технологий основополагающих документов по _______ __ ____ __ __ __ ______ _______ обеспечения жизненного цикла обеспечению жизненного цикла 83,7175 7 9 10 18 15 12,985 11,7325 изделия при создании широкой изделия на этапах номенклатуры электронной проектирования, производства, компонентной базы применения и утилизации электронной компонентной базы
159. Научное сопровождение 131,1825 19 25 15 19 18 10 13,3 11,8825 оптимизация состава выполняемых Программы, в том числе ________ __ __ __ __ __ __ ____ _______ комплексов определение технологического и 120,1825 13 20 15 19 18 10 13,3 11,8825 научно-исследовательских и технического уровней развития опытно-конструкторских работ по отечественной и импортной развитию электронной компонентной электронной компонентной базы базы в рамках Программы и на основе их рубежных определение перспективных технико-экономических направлений создания новых показателей, разработка классов электронной компонентной "маршрутных карт" развития базы с установлением системы групп электронной компонентной технико-экономических и рубежных базы технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы
160. Создание интегрированной 101,0325 11 14,5 9 10 18 13 13,3 12,2325 проведение технико-экономической информационно-аналитической ________ __ ____ _ __ __ __ ____ _______ оптимизации выполнения автоматизированной системы по 94,5325 7 12 9 10 18 13 13,3 12,2325 комплексных годовых мероприятий развитию электронной подпрограммы, создание системы компонентной базы, действенного финансового и охватывающей деятельность технического контроля выполнения заказчика-координатора, Программы заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, в целях оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы
161. Определение перспектив 96,1825 11 13 8 8 18 13 13,3 11,8825 формирование развития российской _______ __ __ _ _ __ __ ____ _______ системно-ориентированных электронной компонентной базы 89,1825 7 10 8 8 18 13 13,3 11,8825 материалов по экономике, на основе анализа динамики технологиям проектирования и сегментов мирового и производству электронной отечественного рынков компонентной базы, обобщение и радиоэлектронной продукции и анализ мирового опыта для действующей производственно- выработки технически и технологической базы экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы
162. Системный анализ результатов 73 11 13 8 7 14 6,7 6,65 6,65 создание отраслевой системы учета выполнения комплекса __ __ __ _ _ __ ___ ____ ____ и планирования развития мероприятий Программы на 68 8 11 8 7 14 6,7 6,65 6,65 разработки, производства и основе создания отраслевой применения электронной системы планирования и учета компонентной базы развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико- экономическим показателям
Всего 801,335 95,8 118 69 94 140 93,1 98,77 92,665 _______ ____ ___ __ __ ___ ____ _____ ______ по направлению 10 755,535 68 100 69 94 140 93,1 98,77 92,665
Всего по разделу I 93717,7693 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12070,1494 11110,9239 __________ ________ ________ ________ _____ ________ ________ __________ __________ 61861,2257 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8037,4007 7380,625
II. Капитальные вложения
--------------------------------|----------|-------------------------------------------------------------------------------|------|----------|------------------------------- | 2008- | В том числе |Сроки | Площадь | Ожидаемые результаты | 2015 |---------|---------|--------|--------|---------|---------|----------|----------|реали-| объекта | | годы - |2008 год |2009 год |2010 год|2011 год|2012 год |2013 год | 2014 год | 2015 год |зации | (кв. | | всего | | | | | | | | |(годы)| метров) | --------------------------------|----------|---------|---------|--------|--------|---------|---------|----------|----------|------|----------|-------------------------------
1. Минпромторг России
163. Реконструкция и 744,5 357 191,5 196 2008- 5293 создание производственно- техническое перевооружение _____ ___ _____ ___ 2010 технологического производства 696,5 315 191,5 190 комплекса по выпуску сверхвысокочастотной твердотельных техники федерального сверхвысокочастотных субмодулей государственного мощностью 100 тыс. штук в год унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область
164. Реконструкция и 815,5 124,5 170,5 100,5 420 2008- 3424,4 создание производственной техническое перевооружение _____ _____ _____ _____ ___ 2011 технологической линии по федерального 580,5 110 170,5 90 210 выпуску сверхвысокочастотных государственного приборов и модулей на унитарного предприятия широкозонных полупроводниках "Научно-производственное мощностью 360 тыс. штук в год предприятие "Пульсар", г. Москва
165. Реконструкция и 233 53 180 2010- 3380 расширение мощностей техническое перевооружение ___ __ ___ 2011 по производству активных федерального 140 50 90 элементов и государственного сверхвысокочастотных монолитных унитарного предприятия интегральных схем с повышенной "Научно-производственное радиационной стойкостью с 15 до предприятие "Салют", 35 тыс. штук в год г. Нижний Новгород
166. Техническое перевооружение 193,6 93,6 100 2010- 3058,73 ввод новых мощностей по федерального _____ ____ ___ 2011 производству новейших образцов государственного 140 90 50 ламп бегущей волны и других унитарного предприятия сверхвысокочастотных приборов, "Научно-производственное в том числе в миллиметровом предприятие "Алмаз", диапазоне г. Саратов
167. Реконструкция и 348,8 78,8 270 2010- 1438 реконструкция производственной техническое перевооружение _____ ____ ___ 2011 линии по выпуску новых федерального 200 65 135 сверхмощных государственного сверхвысокочастотных приборов с унитарного предприятия повышенным уровнем технических "Научно-производственное параметров, надежности и предприятие "Торий", долговечности мощностью 88 штук г. Москва в год
168. Техническое перевооружение 100 40 60 2010- 1380 реконструкция производственной федерального ___ __ __ 2011 линии для выпуска новых изделий государственного 60 30 30 радиационно стойкой электронной унитарного предприятия компонентной базы, необходимой "Новосибирский завод для организаций Госкорпорации полупроводниковых приборов "Росатом" и Роскосмоса с ОКБ", г. Новосибирск
169. Техническое перевооружение 133 53 80 2010- 1973 создание производственных федерального ___ __ __ 2011 мощностей по выпуску государственного 90 50 40 радиационно стойкой электронной унитарного предприятия компонентной базы в количестве "Научно-производственное 80-100 тыс. штук в год для предприятие "Восток", комплектования важнейших г. Новосибирск специальных систем
170. Техническое перевооружение 1478,06 500 700 278,06 2012- 5240 техническое перевооружение открытого акционерного _______ ___ ___ ______ 2014 завода для выпуска сверхбольших общества "НИИ молекулярной 739,03* 250 350 139,03 интегральных схем с электроники и завод топологическими нормами "Микрон", г. Москва, 0,18 мкм г. Зеленоград
171. Техническое перевооружение 240 49,2 190,8 2010- 2411 организация участка федерального ___ ____ _____ 2011 прецизионной оптической и государственного 120 24,6 95,4 механической обработки деталей унитарного предприятия для лазерных излучателей, "Научно-исследовательский твердотельных лазеров и институт "Полюс" бескарданных лазерных им. М.Ф.Стельмаха", гироскопов нового поколения г. Москва мощностью 442 штуки год
172. Реконструкция и 166,2 166,2 2009 7630,4 обеспечение потребности в техническое перевооружение _____ _____ базовых несущих конструкциях, в централизованного 150 150 том числе импортозамещающих, производства базовых предприятий приборостроения, несущих конструкций на машиностроения, судостроения федеральном и других отраслей государственном унитарном промышленности предприятии "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород
173. Техническое перевооружение 62 62 2009 2404,6 техническое перевооружение федерального __ __ действующего производства государственного 60 60 электронной компонентной базы и унитарного предприятия микросистемотехники для "Научно-исследовательский создания новых рядов институт конкурентоспособных изделий электронно-механических электронной техники приборов", г. Пенза
174. Техническое перевооружение 60,1 60,1 2008 120 техническое перевооружение федерального ____ ____ действующих производственных государственного 30 30 мощностей по выпуску унитарного предприятия сверхбольших интегральных схем "Научно-исследовательский и мощных сверхвысокочастотных институт электронной транзисторов с объемом выпуска техники", г. Воронеж сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год
175. Техническое перевооружение 160 160 2012 700 организация серийного федерального ___ ___ производства параметрических государственного 80 80 рядов мембранных датчиков унитарного предприятия мощностью 10 млн. штук в год и "Научно-исследовательский чувствительных элементов для институт физических сканирующей зондовой проблем им. Ф.В.Лукина", микроскопии мощностью 0,3 млн. г. Москва штук в год
176. Реконструкция и 793,22 64 180 490 59,22 2010- 12900 расширение производства техническое перевооружение ______ __ ___ ___ _____ 2013 перспективных тонкостенных производства перспективных 396,61 32 90 245 29,61 антенно-фидерных устройств и тонкостенных волноводных трактов антенно-фидерных устройств сверхвысокочастотного и волноводных трактов диапазона, увеличение выпуска в сверхвысокочастотного 1,5 раза мощностью 44,76 тыс. диапазона в открытом штук в год акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область
177. Техническое перевооружение 120 40 80 2013- 900 информационно-аналитическое в целях создания ___ __ __ 2014 обеспечение деятельности отраслевого информа- 60* 20 40 организаций радиоэлектронной ционно-аналитического промышленности центра в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника", г. Москва
178. Техническое перевооружение 1663,86 1460 203,86 2012- 2226 повышение эффективности, и реконструкция _______ ____ ______ 2013 надежности и производства 831,93 730 101,93 конкурентоспособности и лабораторной базы для отечественных радиоэлектронных разработки и производства модулей, изделий, комплексов перспективных и систем открытого акционерного радиоэлектронных модулей, общества "Концерн радиостроения изделий в открытом "Вега" акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва
179. Техническое перевооружение 540 200 340 2013- 3000 разработка и внедрение в целях создания ___ ___ ___ 2014 современных технологий отраслевого 270 100 170 проектирования радиоэлектронных информационно- производств на базе аналитического центра по прогрессивных аппаратно- проектированию программных средств радиоэлектронных автоматизированного производств в открытом проектирования, в основе акционерном обществе которых лежит информационное "Мосэлектрон-проект", моделирование зданий** г. Москва
180. Техническое перевооружение 297,66 47,66 110 140 2009- 2456,4 создание комплексного для создания производства ______ _____ ___ ___ 2011 испытательного стенда для нового поколения 148,66 23,66 55 70 исследования образцов техники радиоэлектронных модулей в мощностью 800 штук в год открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза
181. Техническое перевооружение 379,9 25,9 70 80 60 72 72 2010- 996,3 производство систем производственно- _____ ____ __ __ __ __ __ 2015 радиочастотной идентификации** технологической, 200* 23 35 40 30 36 36 контрольно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна "Вега", г. Москва
182. Строительство 3200 1080 1202 918 2013- 15000 создание нового лабораторно-производствен- _____ ____ ____ ___ 2015 высокотехнологичного ного комплекса по выпуску 1600* 540 672 388 лабораторно-производственного перспективных комплекса для выпуска многофункциональных многофункциональных электронных модулей в радиоэлектронных узлов, блоков открытом акционерном и приборов на основе СнК, МИС, обществе "Концерн встраиваемых пассивных радиостроения "Вега", компонентов и технологий г. Москва высокоплотного монтажа. Обеспечение разработки и выпуска конкурентоспособных изделий, комплексов и систем следующего поколения на основе перспективных производственных технологий, в том числе модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных навигационных и посадочных систем, антенных систем дистанционного зондирования Земли, микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок**
183. Реконструкция и 1720 500 480 370 370 2012- 10735 изготовление гироскопов для техническое перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 перспективных летательных в целях создания 860 250 240 185 185 аппаратов** специализированного производства гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика
184. Техническое перевооружение 1220 380 360 240 240 2012- 4287 изготовление унифицированных и реконструкция ____ ___ ___ ___ ___ 2015 твердотельных низкочастотных специализированного 610* 190 180 120 120 типовых элементов замены для производства информационных средств и унифицированных модулей активных фазированных низкочастотных типовых антенных решеток для элементов замены и модулей локационных систем различного активных фазированных применения, перспективных антенных решеток в средств связи и управления открытом акционерном воздушным движением** обществе "Марийский машиностроительный завод", г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл
185. Реконструкция и 699,82 140 380 179,82 2011- 9582 организация производства техническое перевооружение ______ ___ ___ ______ 2013 и внедрение современной производства 349,91 70 190 89,91 технологии с соответствующим унифицированных переоснащением электронных модулей высокопроизводительным межвидового применения оборудованием, увеличение на открытом акционерном объема ежегодного производства обществе "Федеральный продукции с научно-производственный 2370 млн. рублей в 2007 году до центр "Нижегородский 5028 млн. рублей в 2015 году научно-исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород
186. Техническое перевооружение 970 240 277,62 240 106,19 106,19 2011- 8442,7 увеличение объемов специализированного ____ ___ ______ ___ ______ ______ 2015 производства, повышение производства твердотельных 485* 120 138,81 120 53,095 53,095 качества и надежности передающих и приемных твердотельных передающих систем, приемо-передающих и приемных систем, модулей активных приемо-передающих модулей фазированных антенных активных фазированных антенных решеток в открытом решеток L-диапазона для акционерном обществе перспективных средств связи и "Научно-производственное управления воздушным объединение "Правдинский движением** радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область
187. Техническое перевооружение 1230 360 330 270 270 2012- 6435 увеличение объемов и реконструкция ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производства, повышение специализированного 615* 180 165 135 135 качества и надежности производства твердотельных твердотельных передающих передающих и приемных и приемных систем, систем, приемо-передающих приемо-передающих модулей модулей активных активных фазированных антенных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн решеток в открытом для перспективных средств связи акционерном обществе и управления воздушным "Научно-производственное движением** объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва
188. Техническое перевооружение 800 240 200 180 180 2012- 2425 изготовление унифицированных и реконструкция ___ ___ ___ ___ ___ 2015 твердотельных высокочастотных специализированного 400 120 100 90 90 типовых элементов замены для производства локационных систем различного унифицированных применения, перспективных высокочастотных типовых средств связи и управления элементов замены в воздушным движением, увеличение открытом акционерном объема производства типовых обществе "Завод "Красное элементов замены на знамя", г. Рязань 50 процентов**
189. Техническое перевооружение 960 260 240 230 230 2012- 8008,02 увеличение выпуска и реконструкция ____ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных специализированного 480* 130 120 115 115 автоматизированных рабочих мест производства операторов информационных и унифицированных рабочих специального назначения мест операторов управляющих систем в 1,7 раза** информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург
190. Реконструкция 883,70 797,62 86,08 2012- 1290 внедрение современных и техническое ______ ______ _____ 2013 технологий с соответствующим перевооружение для 441,85 398,81 43,04 переоснащением создания регионального высокопроизводительным контрактного производства оборудованием для организации унифицированных контрактного производства электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж
191. Создание лабораторной, 2060 640 560 430 430 2012- 3112 создание конкурентоспособной технологической и _____ ___ ___ ___ ___ 2015 продукции мирового уровня, производственной базы 1030* 320 280 215 215 освоение технологий двойного для обеспечения назначения, увеличение объема разработки, производства и выпуска изделий испытаний нового поколения до 2 - 2,5 млрд. рублей телекоммуникационных в год** систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж
192. Реконструкция и 194,6 194,6 2012 620 создание мощностей по техническое перевооружение _____ _____ изготовлению спецтехники нового производственно- 97,3 97,3 поколения, обеспечивающей технологической и защиту специальной информации лабораторно-испытательной в информационно- базы на федеральном коммуникационных системах государственном унитарном предприятии "Калужский электромеханический завод", г. Калуга
193. Техническое перевооружение 570 110 460 2011- 3156 увеличение объема выпуска производства перспективных ___ ___ ___ 2012 продукции в 1,3 - 1,5 раза, коротковолновых 285 55 230 повышение качества и радиостанций в открытом конкурентоспособности продукции акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов
194. Реконструкция 350 90 80 90 90 2012- 1390 модернизация производства и техническое ____ __ __ __ __ 2015 и внедрение современной перевооружение 175* 45 40 45 45 технологии с соответствующим производства наземной переоснащением аппаратуры подвижной связи высокопроизводительного в открытом акционерном оборудования** обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов
195. Техническое перевооружение 573,08 200 280 93,08 2011- 2332,2 ускорение и повышение качества производственно- ______ ___ ___ _____ 2013 разработки мультисервисных технологической и 286,54 100 140 46,54 сетей ведомственной и лабораторно-испытательной профессиональной связи, базы в открытом ожидаемый экономический эффект акционерном обществе 3 млрд. рублей "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега", г. Воронеж
196. Техническое перевооружение 220 220 2011 7500 ускорение и повышение качества лабораторной и ___ ___ разработки перспективных производственно-техно- 110 110 программно реализуемых сетей логической базы нового радиосвязи и серии поколения узлов связи в унифицированных электронных открытом акционерном модулей для построения обществе "Тамбовский указанных сетей научно-исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов
197. Техническое перевооружение 899,12 325 500 74,12 2012- 1511,3 создание новых производственных производства открытого _______ _____ ___ _____ 2014 мощностей для выпуска акционерного общества 449,56* 162,5 250 37,06 перспективной номенклатуры "Российская электроника", резисторов, в том числе г. Москва чип-резисторов в объеме 1 млрд. рублей в год
198. Техническое перевооружение 162,394 162,394 2015 225*** производственный комплекс по в целях создания _______ _______ серийному выпуску промышленного производства 81,197 81,197 сложнофункциональных сложнофункциональных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных комплексированных устройств, комплексированных электронных модулей и блоков устройств, электронных бортовой аппаратуры, включая модулей и блоков бортовой синтезаторы частот, аппаратуры в открытом приемо-передающие моноблоки, акционерном обществе комплексированные "Научно-производственное приемно-усилительные, предприятие "Исток" имени приемно-преобразовательные и А.И.Шокина, г. Фрязино, передающие устройства, Московская область с объемом производства до 750 комплектов блоков в год**
199. Техническое перевооружение 161,5 91,5 70 2009- 2786 увеличение объемов производства в целях создания _____ ____ __ 2010 в 1,5 раза мощностью 4327 штук производства новых 136,5 76,5 60 в год электровакуумных приборов в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Контакт", г. Саратов
200. Техническое перевооружение 178,375 50,200 70,675 57,5 2008- 2015 обеспечение увеличения объема и реконструкция _______ ______ ______ ____ 2010 выпуска продукции до производства по выпуску 150 50 50 50 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, электровакуумных приборов увеличения ресурса изделий, сверхвысокочастотного создания новых приборов диапазона и специального мощностью 706 штук в год технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва
201. Техническое перевооружение 778,62 662,38 116,24 2012- 3081,3 создание сборочного для создания сборочного ______ ______ ______ 2013 производства с использованием производства электронных 389,31 331,19 58,12 микроминиатюрной элементной модулей с использованием базы, в том числе новейшей электронной базы микропроцессоров и матриц BGA на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область
202. Реконструкция 420 140 100 90 90 2012- 2156 увеличение объема выпуска и техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 продукции до 520 млн. рублей перевооружение в целях 210* 70 50 45 45 в год** создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга
203. Техническое перевооружение 302 80 70 76 76 2012- 1560 внедрение современных и реконструкция ____ __ __ __ __ 2015 технологий, создание комплекса производства и 151* 40 35 38 38 для проведения контроля приборно-измерительной технологических параметров базы на федеральном и испытаний. Увеличение объема государственном унитарном выпуска продукции в 1,5 раза** предприятии "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог, Ростовская область
204. Техническое перевооружение 280,24 155 125,24 2012- 3086 производство полного и реконструкция ______ ____ ______ 2013 функционального ряда массовых производства испытательной 140,12 77,5 62,62 отечественных микроминиатюрных базы нового поколения пьезоэлектрических генераторов, пьезоэлектрических фильтров, резонаторов. генераторов, фильтров, Увеличение объема выпуска резонаторов в открытом продукции до 230-250 млн. акционерном обществе рублей в год "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область
205. Реконструкция и 400 120 120 80 80 2012- 2080,5 расширение производственных техническое перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 площадей выпуска научно-производственной и 200* 60 60 40 40 приемо-передающих модулей на лабораторной базы в 2080,5 кв. м** открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Радиоэлектроника" имени В.И.Шимко", г. Казань, Республика Татарстан
206. Техническое перевооружение 400 120 120 80 80 2012- 1927 организация контрактной сборки в целях создания ____ ___ ___ __ __ 2015 массовой продукции, увеличение контрактного производства 200* 60 60 40 40 объема производства контрактной унифицированных продукции в 1,8 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородское научно-производственное объединение имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород
207. Техническое перевооружение 214,453 79 135,453 2008- 2300 организация контрактной сборки в целях создания _______ __ _______ 2009 массовой продукции, увеличение контрактного производства 150 60 90 объема производства контрактной унифицированных продукции в 2,5 раза электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск
208. Техническое перевооружение 300 90,24 134,76 75 2013- 1100 производственный комплекс по в целях создания ____ _____ ______ ____ 2015 серийному выпуску промышленного производства 150* 45,12 67,38 37,5 многоканальных высоковольтных многоканальных (ВВИП), низковольтных (НВИП) высоковольтных и сильноточных источников низковольтных сильноточных вторичного электропитания и источников вторичного модуляторов СВЧ сигналов электропитания с высокой плотностью компоновки и модуляторов СВЧ сигналов электронных компонентов для с высокой плотностью бортовой аппаратуры с объемом компоновки электронных производства до 500 комплектов компонентов для бортовой блоков в год** аппаратуры на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область
209. Техническое перевооружение 1000 380,52 280 169,74 169,74 2012- 5990 обеспечение изготовления в целях создания ____ ______ ___ ______ ______ 2015 печатных плат с новыми контрактного производства 500* 190,26 140 84,87 84,87 финишными покрытиями по изготовлению печатных до 20000 кв. м в год, плат выше 5 класса обеспечение изготовления точности и унифицированных унифицированных электронных электронных модулей на модулей на печатных платах в федеральном количестве до 400 тыс. штук государственном унитарном в год** предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза
210. Техническое перевооружение 594,16 280 74,16 120 120 2012- 2731,3 внедрение современной и реконструкция _______ ___ _____ ___ ___ 2015 технологии с соответствующим производства электронных 297,08* 140 37,08 60 60 переоснащением сверхвысокочастотных высокопроизводительным модулей на федеральном оборудованием. Увеличение государственном унитарном объема выпуска продукции предприятии "Нижегородский в 1,5 раза** научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород
211. Техническое перевооружение 510 210 160 70 70 2012- 1963,26 обеспечение разработки, и реконструкция ____ ___ ___ __ __ 2015 производства и аттестации производства систем, 255* 105 80 35 35 средств комплексов и систем комплексов и средств защиты информации. Увеличение защиты информации объема выпуска продукции до на федеральном 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год** государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва
212. Техническое перевооружение 300 80 70 97,5 52,5 2012- 909 обеспечение потребности и реконструкция ____ __ __ ____ ____ 2015 организаций в базовых несущих регионального производства 150* 40 35 60,0 15 конструкциях для всех видов базовых несущих радиоэлектронной аппаратуры. конструкций (БНК) на Увеличение объема выпуска федеральном продукции в 2 раза** государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону
213. Реконструкция 360 90 90 90 90 2012- 4983,7 обеспечение разработки, и техническое ____ __ __ __ __ 2015 производства и аттестации перевооружение 180* 45 45 45 45 комплексов средств производственно- автоматизации технологической и информационно-управляющих лабораторно-испытательной систем. Увеличение объема базы для создания выпуска продукции до 0,52 млрд. комплексов средств рублей в год** автоматизации информационно-управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва
214. Техническое перевооружение 300 80 70 75 75 2012- 5400 организация контрактной сборки с целью создания ____ __ __ ____ ____ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 150* 40 35 37,5 37,5 объема производства контрактной унифицированных продукции в 1,8 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга
215. Техническое перевооружение 300 80 70 75 75 2012- 1100 организация контрактной сборки в целях создания ____ __ __ ____ ____ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 150* 40 35 37,5 37,5 объема производства контрактной унифицированных продукции в 1,7 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону
216. Техническое перевооружение 300 80 70 75 75 2012- 1980 организация контрактной сборки в целях создания ____ __ __ ____ ____ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 150* 40 35 37,5 37,5 объема производства контрактной унифицированных продукции в 2,5 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва
217. Техническое перевооружение 300 70 90 70 70 2012- 2490,5 организация контрактной сборки в целях создания ____ __ __ __ __ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 150* 35 45 35 35 объема производства контрактной унифицированных продукции в 2,5 раза** электронных модулей в открытом акционерном обществе "Курский завод "Маяк", г. Курск
218. Техническое перевооружение 400 100 200 50 50 2012- 2411 организация контрактной сборки в целях создания ____ ___ ___ __ __ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 200* 50 100 25 25 объема производства контрактной унифицированных продукции в 1,8 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва
219. Техническое перевооружение 300 100 100 50 50 2012- 1210 организация контрактной сборки в целях создания ____ ___ ___ __ __ 2015 массовой продукции. Увеличение контрактного производства 150* 50 50 25 25 объема производства контрактной унифицированных продукции в 1,7 раза** электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург
220. Техническое перевооружение 224,2 120 104,2 2012- 1282 увеличение объема производства в целях создания мощностей _____ ___ _____ 2013 в 1,5 раза по выпуску источников 112,1 60 52,1 вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско-технологи- ческое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород
221. Реконструкция 400 100 140 80 80 2012- 9586,6 увеличение объема производства и техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 радиоэлектронных изделий на перевооружение 200* 50 70 40 40 170 млн. рублей** производства и испытательной базы широкополосных сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск
222. Техническое перевооружение 100 100 2012 1035 увеличение объема выпуска и реконструкция ___ ___ продукции на 100 млн. рублей. производственно- 50 50 Освоение серийного производства испытательных мощностей на изделий "Орион-3М", федеральном "Орион-3СМ", "Анализ", государственном унитарном "Страж-ПМ" и др. предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону
223. Техническое перевооружение 800 240 380 180 2013- 2285 увеличение объема выпуска научно-технического и ____ ___ ___ ___ 2015 продукции до 1,6 млрд. рублей производственного 400* 120 190 90 в год в открытом акционерном комплексов по выпуску обществе "Владыкинский электровакуумных приборов механический завод", снижение сверхвысокочастотного себестоимости продукции** диапазона в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва
224. Техническое перевооружение 178,61 102,6 76,01 2008- 2010 увеличение объема выпуска и реконструкция ______ _____ _____ 2009 продукции в 2 раза регионального производства 169,8 100 69,8 базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород
225. Техническое перевооружение 480 380 50 50 2013- 2628,6 обеспечение выпуска производственной и ____ ___ __ __ 2015 конкурентоспособных лабораторно-испытательной 240* 190 25 25 высокотехнологичных базы для выпуска нового электрических соединителей поколения электрических нового поколения. соединителей в открытом Увеличение объемов производства акционерном обществе соединителей общепромышленного "Карачевский завод назначения в натуральном "Электродеталь", выражении до 2000000 штук г. Карачев, Брянская в год** область
226. Техническое перевооружение 373,66 200 173,66 2012- 1145 увеличение объема производства испытательного центра для ______ ___ ______ 2013 изделий до 1,9 млн. штук и 650 обеспечения комплекса 186,83 100 86,83 млн. рублей работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург
227. Реконструкция 700 220 240 240 2013- 550 увеличение объема выпуска и техническое ____ ___ ___ ___ 2015 продукции на 2 млрд. рублей** перевооружение 350* 110 120 120 научно-технического комплекса по разработке и производству высокочастотных и сверхвысокочастотных акустоэлектронных и пьезокварцевых устройств в открытом акционерном обществе "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск
228. Реконструкция 557,6 113,5 108,4 115,7 220 2008- 879 создание конкурентоспособных и техническое _____ _____ _____ _____ ___ 2011 изделий мирового уровня. перевооружение 403 110 88 95 110 Разработка технологий двойного производственно- назначения. Увеличение объема технологической и производства в 1,5 раза лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара
229. Реконструкция 694,52 15,5 79,2 300 119,82 90 90 2010- 1300 создание комплексов и техническое _______ ____ ____ ___ ______ __ __ 2015 конкурентоспособной аппаратуры перевооружение 349,91* 10,4 39,6 150 59,91 45 45 специальной радиосвязи и производственно- управления. технологической и Увеличение объема выпуска лабораторной базы для продукции в 1,5 раза** комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск
230. Техническое перевооружение 280 103,92 176,08 2014- 219*** дооснащение действующих производства ____ ______ ______ 2015 производственных участков сверхвысокочастотных и 140* 51,96 88,04 современным технологическим, силовых транзисторов для высокопроизводительным бортовых радиолокационных оборудованием в обеспечение комплексов в открытом производства мощных СВЧ и акционерном обществе силовых транзисторов для "Государственный завод бортовых радиолокационных "Пульсар", г. Москва комплексов**
231. Техническое перевооружение 557,08 200 127,08 115 115 2012- 8488,4 увеличение объема выпуска и реконструкция _______ ___ ______ ____ ____ 2015 продукции до 421,5 млн. производственно- 278,54* 100 63,54 57,5 57,5 рублей** технологической и лабораторно-испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза
232. Техническое перевооружение 594,16 280 74,16 120 120 2012- 1365,3 создание метрологической, и реконструкция _______ ___ _____ ___ ___ 2015 испытательной базы для метрологической, 297,08* 140 37,08 60 60 разработки и производства испытательной базы и контрольно-измерительной производства оптических аппаратуры миллиметрового изделий на федеральном диапазона длин волн. государственном унитарном Увеличение объема производства предприятии "Нижегородский квантовых рубидиевых стандартов научно-исследовательский частоты в 3 раза** приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород
233. Техническое перевооружение 100 100 2012 362 создание систем навигации и реконструкция стендовой ___ ______ посадки и радиолокации потеряло и испытательной базы 50 50**** актуальность в связи с сложных радиоэлектронных созданием в открытом систем и комплексов в акционерном обществе открытом акционерном "Научно-производственное обществе "Производственное объединение "Лианозовский объединение "Азимут", электромеханический завод", г. Махачкала, Республика г. Москва, современных Дагестан конкурентноспособных комплексов, которыми будут оснащены аэродромы России (1 образец установлен в г. Сочи)
234. Техническое перевооружение 570 210 120 120 120 2012- 2000 увеличение объема выпуска производственно- ____ ___ ___ ___ ___ 2015 продукции до 3 - 3,5 млрд. технологической и 285* 105 60 60 60 рублей в год** лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск
235. Техническое перевооружение 1014,14 640 374,14 2012- 2087,41 увеличение объема производства и реконструкция _______ ___ ______ 2013 монолитно-интегральных и производства 507,07 320 187,07 гибридно-монолитных приборов и сверхвысокочастотной электронных компонентов (в том техники на федеральном числе импортозамещающих) государственном унитарном до 250 тыс. штук в год, предприятии электровакуумных и "Научно-производственное вакуумно-твердотельных модулей предприятие "Салют", (в том числе на основе г. Нижний Новгород микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. штук в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20-150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год
236. Реконструкция и 120 120 2012 2752 расширение производства техническое перевооружение ___ ______ потеряло актуальность в связи с для выпуска теплоотводящих 60 60**** завершением на федеральном керамических подложек для государственном унитарном твердотельных предприятии "Федеральный сверхвысокочастотных научно-производственный центр устройств и IGBT-модулей в производственное объединение открытом акционерном "Старт" имени М.В.Проценко" обществе "Холдинговая технического перевооружения компания "Новосибирский производства электровакуумный завод - металлокерамических корпусов Союз", г. Новосибирск микросборок и микросхем, ориентированного на выпуск аналогичной продукции
237. Техническое перевооружение 610,50 400 90,5 120 2012- 2032,5 реконструкция опытного и реконструкция опытного _______ ___ _____ ___ 2014 производства с учетом приборного производства в 305,25* 200 45,25 60 реализации новых технологий по открытом акционерном изготовлению интегральных обществе "Концерн сборок, датчиков на "Океанприбор", пьезопленках и других** г. Санкт-Петербург
238. Реконструкция и 832 200 240 196 196 2012- 2450 комплексное дооснащение базовых техническое перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологий производства организации для 416* 100 120 98 98 электронных средств совершенствования судовой вычислительной техники в целях электротехнической импортозамещения и повышения продукции в Федеральном конкурентоспособности, научно-производственном создание центре открытом экспериментально-лабораторного акционерном обществе комплекса для проведения "Научно-производственное контроля технологических объединение "Марс", параметров и испытаний** г. Ульяновск
239. Реконструкция и 240 80 60 50 50 2012- 800 техническое перевооружение техническое перевооружение ____ __ __ __ __ 2015 обеспечит внедрение современных опытно-экспериментального 120* 40 30 25 25 технологий производства модулей производства модулей функциональной функциональной микроэлектроники, микроэлектроники в рост объема производства открытом акционерном функциональных модулей обществе "Концерн в 2 - 2,5 раза, "Гранит-Электрон", расширение номенклатуры без г. Санкт-Петербург существенных затрат на подготовку производства, промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей**
240. Создание производственного 1100 280 270 275 275 2012- 3250 создание участков по комплекса для массового ____ ___ ___ _____ _____ 2015 производству кремниевых производства компонентов 550* 140 135 137,5 137,5 датчиков, многослойных плат, инерциальных сборке и корпусированию микромеханических инерциальных микромеханических датчиков двойного изделий** назначения на открытом акционерном обществе "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург
241. Реконструкция 620 160 260 100 100 2012- 2065 внедрение современных базовых инженерно-испытательного ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологий производства корпуса в открытом 310* 80 130 50 50 электронных модулей цифровой и акционерном обществе цифроаналоговой вычислительной "Концерн техники, "Гранит-Электрон", обеспечение разработки и г. Санкт-Петербург производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук в год**
242. Техническое перевооружение 460 80 70 155 155 2012- 3272 создание новой оптической производственно- ____ __ __ ____ ____ 2015 элементной базы перспективных технологического 230* 40 35 77,5 77,5 оптико-электронных систем, комплекса по созданию обеспечивающей предельно оптико-электронной возможные технические параметры компонентной базы в систем, в том числе открытом акционерном комплексированных и обществе многоспектральных оптических "Научно-производственное каналов** объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, Республика Татарстан
243. Реконструкция корпуса 2Ж 700 180 160 180 180 2012- 900 создание единого аналитического для создания ____ ___ ___ ___ ___ 2015 центра по исследованиям и лабораторно-аналитического 350* 90 80 90 90 сертификации важнейших центра инфракрасной фото- материалов и компонентов и оптоэлектроники на инфракрасной фотоэлектроники** федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение "Орион", г. Москва
244. Техническое перевооружение 3681 1280 261 930 1210 2012- 8960 создание производственно- производственно- _______ ____ _____ ___ ____ 2015 технологического технологического 1840,5* 640 130,5 465 605 комплекса, который обеспечит комплекса по созданию промышленный выпуск изделий оптоэлектронной компонентной базы 2-го компонентной базы на и 3-го поколений и федеральном оптико-электронных систем на их государственном унитарном основе с параметрами, предприятии превышающими современный и "Научно-производственное прогнозируемый мировой объединение "Орион", уровень** г. Москва
245. Реконструкция и 420 70 60 145 145 2012- 1500 обеспечение возможности техническое перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 проведения испытаний опытных стендово-экспериментальной 210* 35 30 72,5 72,5 образцов источников базы в открытом электроэнергии, статических акционерном обществе преобразователей и аппаратуры "Научно-исследовательский защиты и коммутации для проекта институт авиационного "полностью электрический оборудования", самолет"** г. Жуковский, Московская область
246. Реконструкция и 356 65 291 2014- 1801,3*** создание лабораторной и техническое перевооружение ____ __ ___ 2015 испытательной базы и в целях создания 178* 0 178 производственных мощностей по межотраслевого центра по разработке и выпуску разработке и производству перспективных электрических пассивных электронных соединителей двойного компонентов на открытом назначения для акционерном обществе радиоэлектронной, авиационной и "Научно-исследовательский ракетно-космической отрасли** институт развития соединителей и изделий специальной электроники", г. Казань
247. Реконструкция и 370,08 100 54,08 123 93 2012- 1556,8 создание производственных техническое перевооружение _______ ___ _____ ____ ____ 2015 мощностей по производству экспериментально- 185,04* 50 27,04 61,5 46,5 современной микроэлектронной технологической базы для аппаратуры** производства микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан
248. Реконструкция и 222,12 100 42,12 60 20 2012- 2040,8 производство техническое перевооружение _______ ___ _____ __ __ 2015 конкурентоспособной продукции, цеха по производству 111,06* 50 21,06 30 10 обладающей современными первичных преобразователей показателями по надежности, и вторичной аппаратуры в быстродействию и открытом акционерном массогабаритным обществе "Казанское характеристикам** приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан
249. Реконструкция и 458 17,389 440,611 2014- 4860*** серийное производство широкой техническое перевооружение ____ ______ _______ 2015 номенклатуры статических производства электронных 229* 0 229 преобразователей напряжения систем самолетного авиационных перспективных энергоснабжения в открытом объектов (проект "полностью акционерном обществе электрический самолет", "Уфимское агрегатное истребитель производственное 5-го поколения, программа объединение", г. Уфа, развития гражданской Республика Башкортостан авиационной техники)**
250. Реконструкция и 1070 350 720 2014- 2700*** полигон позволит проводить техническое перевооружение ____ ___ ___ 2015 работы с радиоэлектронной для создания электронного 535* 175 360 аппаратурой в условиях полигона по исследованиям, реального полета с учетом отработке и сертификации информационного взаимодействия бортового авиационного с наземными и самолетными радиоэлектронного системами обеспечения оборудования в открытом воздушного движения в реальных акционерном обществе условиях естественных и "Летно-исследовательский промышленных помех** институт имени М.М.Громова", г. Жуковский, Московская область
251. Техническое перевооружение 300 100 100 100 2013- 1300 создание производственного в целях создания ____ ___ ___ ___ 2015 участка настройки производственного участка 150* 50 50 50 быстродействующих бортовых настройки цифровых устройств с тактовой быстродействующих частотой более 500 МГЦ** бортовых цифровых устройств с тактовой частотой более 500 МГЦ в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь
252. Техническое перевооружение 380 150 115 115 2013- 1785 создание в целях создания ____ ___ ____ ____ 2015 лабораторно-испытательной базы лабораторно-испытательной 190* 75 57,5 57,5 для изготовления и испытаний базы для изготовления и сверхширокополосных испытаний сверхвысокочастотных устройств сверхширокополосных сантиметрового диапазона с сверхвысокочастотных перекрытием по частоте более устройств сантиметрового 3 октав** диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь
253. Реконструкция и 995,40 620 257,9 117,5 2013- 5000 освоение технологии техническое перевооружение ______ ___ _____ _____ 2015 производства перспективных производства 497,7* 310 187,7 0 многопроцессорных специализированных специализированных цифровых цифровых вычислительных вычислительных машин, машин в открытом построенных на основе акционерном обществе архитектуры единой "Государственный Рязанский коммутируемой вычислительной приборный завод", среды, с использованием г. Рязань принципов интегральной модульной авионики второго поколения, ориентированных на обеспечение принципиально нового уровня надежности и универсальности комплекса аппаратуры авионики**
254. Техническое перевооружение 320 140 90 90 2013- 588 увеличение объемов производства участка микроэлектроники в ___ ___ __ __ 2015 сверхвысокочастотной открытом акционерном 160 70 45 45 электронной компонентной базы обществе на основе перспективных "Научно-производственное технологий низкотемпературной предприятие "Радиосвязь", керамики** г. Красноярск
255. Техническое перевооружение 867,476 185,476 682 2014- 440*** создание кластерного для создания производства _______ _______ ___ 2015 сверхвысоковакуумного изделий микро- и 433,738 92,738 341 технологического комплекса на наноэлектроники на основе бесшаблонного федеральном многолучевого электронного государственном унитарном литографа для пластин диаметром предприятии до 200 мм для организации "Научно-исследовательский серийного производства институт физических гироскопов проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва
256. Техническое перевооружение 100 60 40 2014- 925,1*** создание федерального ___ __ __ 2015 проектно-конструкторского государственного 50 30 20 центра по проектированию унитарного предприятия цифровых и аналоговых микросхем "Научно-производственное и микроволновых и предприятие "Гамма", сверхвысокочастотных устройств, г. Москва элементов вычислительной техники и специальной радиоэлектронной аппаратуры для решения задач информационной безопасности с участком контрактного производства
257. Техническое перевооружение 158 60 98 2014- 990*** создание многофункционального научной, производственной ___ __ __ 2015 информационно аналитического и лабораторно- 79 30 49 центра, обеспечивающего испытательной базы возможность моделирования на федеральном испытаний сложных информационно государственном унитарном управляющих процессов, а также предприятии "Московское расширения и технического конструкторское бюро перевооружения производственной "Электрон", г. Москва площадки предприятия в целях увеличения номенклатуры и глубины анализа радиоэлектронного авиационного оборудования
258. Техническое перевооружение 100 100 2011 135,1 создание межотраслевого федерального ___ ___ базового центра системного государственного 50 50 проектирования унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра системного проектирования
259. Реконструкция и 119,873 119,873 2008 1911 создание базового центра техническое перевооружение _______ _______ системного проектирования открытого акционерного 60 60 производительностью общества "Информационные 40 аппаратно-программных телекоммуникационные комплексов в год технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов
260. Техническое перевооружение 120 120 2011 1324 обеспечение проектирования, для создания базового ___ ___ производства, испытаний, центра системного 60 60 контроля, тестирования и проектирования сертификации перспективных микроэлектронных модулей изделий, включая климатические, нового поколения на основе механические, надежностные и технологии "систем в другие специализированные модуле" двойного и испытания, а также сертификации специального применения на выпускаемых изделий по открытом акционерном требованиям различных категорий обществе "Научно- заказчиков и производств исследовательский институт "Вектор", г. Санкт-Петербург
261. Техническое перевооружение 50 50 2011 422,8 создание базового центра открытого акционерного __ __ системного проектирования общества "Всероссийский 25 25 научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования
262. Техническое перевооружение 540 80 460 2010- 151,3 создание базового центра открытого акционерного ___ __ ___ 2011 системного проектирования общества "Научно- 270 40 230 исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования
263. Реконструкция и 35,37 35,37 2009 493 создание базового центра техническое перевооружение _____ _____ системного проектирования федерального 30 30 государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования
264. Техническое перевооружение 140 140 2011 599,85 создание базового центра федерального ___ ___ системного проектирования государственного 70 70 унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования
265. Техническое перевооружение 182,3 62,3 120 2010- 700 создание базового центра открытого акционерного _____ ____ ___ 2011 системного проектирования общества "Концерн 100 40 60 "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования
266. Техническое перевооружение 130 130 2010 998 создание базового центра открытого акционерного ___ ___ системного проектирования общества "Концерн 100 100 площадью 998 кв. метров радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования
267. Реконструкция и 120,6 120,6 2010 500 создание базового центра техническое перевооружение _____ _____ системного проектирования федерального 60 60 площадью 500 кв. метров государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования
268. Реконструкция и 17 17 2008 500 создание базового центра техническое перевооружение __ __ системного проектирования действующего предприятия 17 17 площадью 500 кв. метров федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования сверхбольших интегральных схем)
269. Техническое перевооружение 120 120 2011 490 создание базового центра открытого акционерного ___ ___ системного проектирования общества "Российский 60 60 площадью 490 кв. метров институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования
270. Реконструкция и 80 80 2010 800 создание базового центра техническое перевооружение ______ ______ системного проектирования открытого акционерного 80**** 80**** площадью 800 кв. метров общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования
271. Техническое перевооружение 200 200 2011 648 создание базового центра федерального ___ ___ системного проектирования государственного 100 100 площадью 648 кв. метров унитарного предприятия мощностью 360 тыс. штук "Государственный завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования
272. Реконструкция и 68,9 68,9 2008 532 создание базового центра техническое перевооружение ____ ____ системного проектирования федерального 60 60 государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования
273. Реконструкция и 33,53 15 18,53 2014- 500 создание базового центра техническое перевооружение _____ ___ _____ 2015 системного проектирования открытого акционерного 15* 7,5 7,5 площадью 500 кв. метров** общества " "Научно-производственное объединение "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования
274. Реконструкция и 83,62 83,62 2009 500 создание базового центра техническое перевооружение _____ _____ системного проектирования федерального 60 60 площадью 500 кв. метров государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования
275. Реконструкция и 101,54 101,54 2008 600 создание базового центра техническое перевооружение ______ ______ системного проектирования федерального 80 80 площадью 600 кв. метров государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования
276. Техническое перевооружение 140 140 2011 600 создание базового центра открытого акционерного ___ ___ системного проектирования общества "Концерн 70 70 площадью 600 кв. метров "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования
277. Реконструкция и 75,4 75,4 2008 1097,8 создание базового центра техническое перевооружение ____ ____ системного проектирования федерального 72,7 72,7 государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования
278. Техническое перевооружение 104 104 2008 650 создание базового центра и реконструкция открытого ___ ___ системного проектирования акционерного общества 80 80 площадью 650 кв. метров "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования
279. Техническое перевооружение 240 240 2011 1134,5 создание базового центра федерального ___ ___ системного проектирования государственного 120 120 площадью 1134,5 кв. метров унитарного предприятия мощностью 2000 штук "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования
280. Открытое акционерное общество "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург
Создание базового центра 500 290 160 50 2012- 2000 создание базового центра по проектирования на базе ____ ___ ___ __ 2014 проектированию, моделированию, федерального 250* 145 80 25 изготовлению, тестированию и государственного сертификации перспективных унитарного предприятия оптических систем и "Научно-производственная оптико-электронного корпорация оборудования** "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург
281. Реконструкция и 2200 590 520 545 545 2012- 6800 повышение качества и надежности техническое перевооружение _____ ___ ___ _____ _____ 2015 систем цифровой обработки, открытого акционерного 1100* 295 260 272,5 272,5 систем твердотельных передающих общества "Концерн ПВО и приемных систем, "Алмаз-Антей", приемо-передающих модулей г. Москва, для создания активных фазированных системных базового центра решеток С-диапазона проектирования систем для перспективных цифровой обработки, средств связи, управления твердотельных передающих и воздушным движением и приемных систем, формирования сигналов на приемо-передающих модулей кристалле для радиолокационных станций различного применения**
282. Реконструкция и 500 192,38 120 93,81 93,81 2012- 865,5 создание базового центра техническое перевооружение ____ ______ ___ ______ ______ 2015 проектирования сложных для создания базового 250* 96,19 60 46,905 46,905 функциональных блоков и центра проектирования в сверхбольших интегральных схем открытом акционерном "система на кристалле" для обществе "Концерн нового поколения аппаратуры и "Созвездие", г. Воронеж мобильных телекоммуникационных систем, создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**
283. Техническое перевооружение 440 440 2011 1852 обеспечение производства для создания базового ___ ___ комплексных средств центра системного 220 220 автоматизации для управления проектирования автомобильным и железнодорожным (дизайн-центра) транспортом, объектами радиоэлектронных модулей и топливно-энергетического узлов стационарных и комплекса мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза
284. Создание базового центра 200 90 110 2010- 790 обеспечение возможности системного проектирования ___ __ ___ 2011 изготовления разработанных унифицированных 100 45 55 электронных модулей по электронных модулей на современным технологиям, основе современной повышение надежности и качества электронной компонентной и ускорение разработки базы в открытом конкуренто-способных изделий акционерном обществе мирового уровня, "Челябинский радиозавод разработка технологий двойного "Полет", г. Челябинск назначения
285. Создание базового центра 119,7 119,7 2010 750 обеспечение возможности системного проектирования _____ _____ изготовления разработанных унифицированных 100 100 электронных модулей по электронных модулей на современным технологиям, основе современной разработка технологий двойного электронной компонентной назначения мощностью базы в открытом 5 модулей в год акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область
286. Техническое перевооружение 180 180 2011 640 обеспечение проектирования, для создания базового ___ ___ производства, испытаний, центра системного 90 90 контроля, тестирования и проектирования сертификации перспективных микроэлектронных модулей изделий, включая климатические, нового поколения на основе механические, надежностные и технологии "система в другие специализированные модуле" двойного и испытания, а также сертификации специального применения в выпускаемых изделий по открытом акционерном требованиям различных категорий обществе "Калужский заказчиков и производств научно-исследовательский институт телемеханических устройств", г. Калуга
287. Создание базового центра 30 30 2010 260 обеспечение проектирования, системного проектирования ______ ______ производства, испытаний, микроэлектронных модулей 30**** 30**** контроля, тестирования и нового поколения на основе сертификации перспективных технологии "система в изделий, включая климатические, модуле" двойного и механические, надежностные и специального применения в другие специализированные открытом акционерном испытания, а также сертификации обществе "Московский выпускаемых изделий по научно-исследовательский требованиям различных категорий институт связи", заказчиков и производств г. Москва
288. Расширение базового центра 317,56 141,4 100 76,16 2012- 881 расширение возможностей и системного проектирования _______ _____ ___ _____ 2014 объемов базового центра по проектированию 158,78* 70,7 50 38,08 системного проектирования за радиоэлектронной счет использования передовых аппаратуры на базе технологий разработки сверхбольших интегральных радиоэлектронных изделий. схем "система на Ускорение процесса получения кристалле" в открытом готовых проектов не менее чем в акционерном обществе 2 раза** "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва
289. Техническое перевооружение 210 210 2011 773,5 обеспечение проектирования, для создания базового ___ ___ производства высокоплотных центра системного 105 105 электронных узлов на основе проектирования технологии многокристальных высокоплотных электронных модулей как ключевой технологии узлов на основе технологии достижения высоких технических многокристальных модулей в характеристик разрабатываемых и открытом акционерном производимых изделий. обществе Планируемый объем выпуска "Научно-исследовательский многокристальных модулей до институт "Кулон", 3,5 тыс. штук в год г. Москва
290. Создание базового центра 165,6 45,6 120 2010- 350 обеспечение проектирования, системного проектирования _____ ____ ___ 2011 производства высокоплотных высокоплотных электронных 105 45 60 электронных узлов на основе узлов на основе технологии технологии многокристальных многокристальных модулей в модулей как ключевой технологии открытом акционерном достижения высоких обществе "Конструкторское технических характеристик бюро "Луч", г. Рыбинск, разрабатываемых и производимых Ярославская область изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук
291. Техническое перевооружение 500 210,7 289,3 2014- 4580*** создание базового центра для обеспечения интеграции ____ ______ ______ 2015 проектирования и расширение базовых центров системного 250* 105,35 144,65 возможностей и объемов проектирования в сквозную разрабатываемой номенклатуры корпоративную систему изделий за счет тесной разработки интеграции разнодисциплинарных радиоэлектронных базовых центров системного комплексов в открытом проектирования радиоэлектронных акционерном обществе изделий, существенное снижение "Концерн радиостроения времени и себестоимости "Вега", г. Москва комплексных разработок высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем, микропроцессорной техники, матричных корпусов, в том числе для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков, радиоэлектронной аппаратуры, универсальных цифровых устройств, комплексов, систем и средств связи двойного и гражданского назначения**
292. Техническое перевооружение 450 80 90 140 140 2010- 1530 создание базового центра для создания базового ____ ______ __ ___ ___ 2014 разработки центра проектирования 265* 80**** 45 70 70 высокопроизводительной универсальных микропроцессорной техники микропроцессоров, систем двойного назначения, на кристалле, цифровых оснащенного современной приборов обработки технологией разработки сигналов и других цифровых многоядерных систем на устройств, комплексов и кристалле, матричных корпусов систем на базе современных для сверхбольших интегральных лицензионных систем схем с большим количеством автоматизированного выводов, контроллеров проектирования и перспективных периферийных технических средств интерфейсов для разработки на открытого акционерного их базе высокопроизводительных общества "Институт вычислительных систем широкого электронных управляющих применения** машин" им. И.С.Брука, г. Москва
293. Техническое перевооружение 811,58 280 439,62 91,96 2012- 414,5 ускорение проектирования и и реконструкция базового _______ ___ ______ _____ 2014 отработки технологии регионального 405,79* 140 219,81 45,98 производства перспективных научно-технологического устройств микросистемотехники центра по для комплектования аппаратуры микросистемотехнике управления, средств открытого акционерного телекоммуникации и связи, общества "Омский высокоточного оружия, научно-исследовательский робототехнических комплексов, институт приборостроения", мониторинга окружающей среды, г. Омск зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**
294. Реконструкция и 490 120 160 105 105 2012- 1701,8 создание конкурентоспособных техническое перевооружение ____ ___ ___ ____ ____ 2015 изделий мирового уровня центра системного 245* 60 80 52,5 52,5 двойного назначения для проектирования и комплексов аппаратуры производства спутниковой связи** радиоэлектронных средств спутниковой связи открытого акционерного общества "Научно-производственный центр "Вигстар", г. Москва
295. Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов
Реконструкция и 1000,12 670 330,12 2012- 3221,35 создание дизайн-центра площадью техническое перевооружение _______ ___ ______ 2013 3221,35 кв. метра и увеличение на федеральном 500,06 335 165,06 выпуска продукции на 500 млн. государственном унитарном рублей в год предприятии "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, в целях создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств
296. Техническое перевооружение 89,1 89,1 2008 189 создание конкурентоспособной для создания центра ____ ____ технологии автоматизированного проектирования 45 45 проектирования кристаллов перспективной электронной сверхбольших интегральных схем компонентной базы на и систем на кристалле с федеральном проектными нормами государственном унитарном 0,18 - 0,13 мкм и степенью предприятии интеграции до 100 млн. вентилей "Научно-исследовательский на кристалле, что позволит институт электронной обеспечить ускоренную техники", г. Воронеж разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам
297. Создание отраслевого 340 90 174 38 38 2012- 303 организация современного центра центра системного уровня ____ __ ___ __ __ 2015 системного уровня проектирования 170* 45 87 19 19 проектирования на основе интеллектуальных датчиков отечественной электронной различного назначения на компонентной базы: открытом акционерном микромеханических датчиков; обществе "Концерн датчиков акустического "Центральный давления; научно-исследовательский датчиков угловых перемещений и институт "Электроприбор", других** г. Санкт-Петербург
298. Создание отраслевого 360 90 135 135 2012- 609 создание отраслевого центра центра проектирования ____ __ ____ ____ 2015 проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных 180* 45 67,5 67,5 сложных функциональных блоков и блоков и сверхбольших сверхбольших интегральных схем интегральных схем "система "система на кристалле" для на кристалле" на открытом обеспечения новейшей цифровой акционерном обществе техникой приборостроительных "Концерн организаций судостроительной "Моринформсистема-Агат", отрасли** г. Москва
299. Техническое перевооружение 300 200 100 2013- 600 создание базового центра базового центра ____ ___ ___ 2014 проектирования площадью проектирования и 150* 100 50 600 кв. метров** производства специальных многокристальных микросистем и микромодулей с использованием технологии 3D TSV в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва
300. Реконструкция и 844 140 704 2014- 6000*** создание базового центра техническое перевооружение ___ ___ ___ 2015 проектирования площадью для создания базового 422 0 422 6000 кв. метров** центра проектирования составных частей, компонентов и приемо-передающих модулей радиолокационных систем с антенно-фидерными решетками в открытом акционерном обществе "Корпорация "Фазотрон - Научно-исследовательский институт радиостроения", г. Москва
301. Реконструкция и 724,95 156 404,55 164,4 2008- 375,5 создание межотраслевого центра техническое перевооружение ______ ___ ______ _____ 2010 проектирования, каталогизации и открытого акционерного 590,75 78 352,75 160 изготовления фотошаблонов с общества "Российская объемом производства не менее электроника", г. Москва 1200 штук в год (включая приобретение программно-технических средств), в целях создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
Всего по Минпромторгу 68917,221 1618,713 1643,438 2125,3 5740 18466,52 14702,44 12039,685 12584,655 России _________ ________ ________ ______ ____ ________ ________ _________ _________ 36140,295 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7351,22 6049,648 6260,757
2. Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
302. Техническое 196 40 48 48 60 2010- 267 создание технологического перевооружение ___ __ __ __ __ 2013 комплекса для производства федерального 98 20 24 24 30 сверхвысокочастотных монолитных государственного интегральных схем на унитарного предприятия широкозонных полупроводниковых Федеральный материалах научно-производственный центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород
303. Техническое 160 60 50 50 2013- 616,7 техническое перевооружение перевооружение ___ __ __ __ 2015 производств сильноточных производства сильноточных 80* 30 25 25 электронных коммутирующих электронных коммутирующих элементов** элементов на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва
304. Техническое 214 102 94 18 2013- 850 техническое перевооружение перевооружение для ____ ___ __ __ 2015 производства организации 107* 51 47 9 металлокерамических корпусов высокотехнологичного микросборок и микросхем** производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем на федеральном государственном унитарном предприятии федеральном научно-производственном центре "Производственное объединение "Старт" имени М.В.Проценко", г. Заречный, Пензенская область
305. Техническое 130 50 80 2014- 509,3*** техническое перевооружение перевооружение участков ___ __ __ 2015 участков производства производства 65* 25 40 коммутирующих элементов нового коммутирующих элементов поколения с лазерным поджигом** нового поколения с лазерным поджигом на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва
306. Техническое 400 100 100 100 100 2012- 2148,1 создание производственно- перевооружение в целях ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологического производства радиационно 200* 50 50 50 50 участка изготовления изделий стойких изделий микроэлектроники для систем микроэлектроники с автоматики специзделий** применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва
307. Техническое 350 134 104 112 2013- 2500 создание производственно- перевооружение в целях ____ ___ ___ ___ 2015 технологического производства 175* 67 52 56 участка в межведомственном быстродействующих центре по разработке и радиационно стойких производству радиационно монолитных интегральных стойкой электронной схем на федеральном компонентной базы** государственном унитарном предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород
308. Техническое 536 204 158 174 2013- 1100 создание производственно- перевооружение в целях ____ ___ ___ ___ 2015 технологического производства радиационно 268* 102 79 87 участка в межведомственном стойких изделий центре по разработке и микросистемотехники на производству радиационно федеральном стойкой электронной государственном унитарном компонентной базы** предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород
309. Техническое 1720 232 240 724 524 2012- 3287 техническое перевооружение перевооружение в целях ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологических участков производства радиационно 860* 116 120 362 262 предприятия по изготовлению стойких изделий радиационно стойких изделий микроэлектроники на микроэлектроники обеспечит федеральном создание чистых помещений с государственном унитарном высокотехнологичным предприятии "Российский оборудованием, что позволит федеральный ядерный внедрить в производство более центр - Всероссийский 120 новых технологических научно-исследовательский процессов по изготовлению институт принципиально новых радиационно экспериментальной стойких высокофункциональных физики", г. Саров, изделий микроэлектроники и Нижегородская область микросистем для приборов автоматики**
310. Реконструкция 200 80 68 52 2008- 2976 реконструкция дизайн-центра дизайн-центра радиационно ___ __ __ __ 2011 мощностью 1 млн. транзисторов стойкой электронной 100 40 34 26 в год компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород
311. Техническое 240 100 120 20 2012- 506 техническое перевооружение перевооружение ____ ___ ___ __ 2014 дизайн-центра радиационно дизайн-центра радиационно 120* 50 60 10 стойкой электронной стойкой электронной компонентной базы позволит компонентной базы на обеспечить разработку и федеральном автоматизированную верификацию государственном унитарном специальных прототипов предприятии разрабатываемых сверхбольших "Всероссийский интегральных схем объемом до научно-исследовательский нескольких десятков тысяч институт автоматики логических элементов, а также им. Н.Л.Духова", верификацию в составе г. Москва аппаратуры разработанных сверхбольших интегральных схем объемом от нескольких сотен тысяч до нескольких миллионов эквивалентных вентилей**
312. Техническое 120 20 80 20 2012- 330 техническое перевооружение перевооружение ___ __ __ __ 2014 дизайн-центра позволит создать дизайн-центра радиационно 60* 10 40 10 высокотехнологичный кластер по стойкой электронной разработке принципиально новых компонентной базы на радиационно стойких электронных федеральном схем и сверхбольших государственном унитарном интегральных схем на основе предприятии "Российский современных базовых матричных федеральный ядерный кристаллов, их аналого-цифровых центр - Всероссийский преобразователей, научно-исследовательский перестраиваемых микросхем и институт запоминающих устройств большой экспериментальной емкости, что позволит выполнять физики", г. Саров, до 500 логических проектов Нижегородская область в год: радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на основе полузаказных микросхем; сложнофункциональных блоков для сверхбольших интегральных схем "система на кристалле"; микросхем для КМОП и КМОП-КНД-технологий**
313. Техническое 180 40 40 40 60 2012- 877,32 техническое перевооружение перевооружение ___ __ __ __ __ 2015 дизайн-центра позволит создать дизайн-центра радиационно 90* 20 20 20 30 сквозную систему стойкой автоматизированного электронной компонентной проектирования модулей "система базы на федеральном в корпусе" (SIP-модулей) с государственном унитарном сокращением на 30 процентов предприятии "Российский продолжительности цикла Федеральный Ядерный разработки, испытаний и Центр - Всероссийский изготовления SIP-модулей, научно-исследовательский расширить номенклатуру институт технической разрабатываемых приборов с физики имени академика использованием указанной Е.И.Забабахина", технологии до 12 наименований и г. Снежинск, моделировать тепловые и Челябинская область механические процессы, происходящие в SIP-модулях, с учетом внешних воздействующих факторов**
Всего по Государственной 4446 80 68 40 100 540 1140 1360 1118 по атомной энергии ____ __ __ __ ___ ___ ____ ____ ____ корпорации "Росатом" 2223 40 34 20 50 270 570 680 559
3. Роскосмос
314. Реконструкция и 320 110 105 105 2013- 1230 переоснащенное производство техническое ____ ___ ____ ____ 2015 многокристальных систем в перевооружение открытого 160* 55 52,5 52,5 корпусе, микро- и акционерного общества радиоэлектронных модулей, в том "Российская корпорация числе на основе устройств ракетно-космического микросистемной техники; приборостроения и оснащенное отраслевое информационных систем", автоматизированное хранилище г. Москва, в целях производимых и приобретаемых создания производства электронных компонентов со многокристальных систем в встроенной системой мониторинга корпусе микро- и и прогнозирования состояния радиоэлектронных модулей, хранимой продукции** в том числе на основе устройств микросистемной техники
315. Реконструкция и 320 200 60 60 2013- 1313,2 переоснащение производства по техническое ____ ___ __ __ 2015 выпуску параметрического ряда перевооружение открытого 160* 100 30 30 модулей сверхвысокочастотных акционерного общества устройств, узлов и "Научно-исследовательский крупноблочных радиоэлектронных институт точных функциональных модулей приборов", г. Москва, для приемо-передающей аппаратуры. создания производства Реализация указанных модулей мероприятий обеспечивает сверхвысокочастотных сокращение сроков изготовления устройств для особо изделий радиолокационной жестких условий техники и техники связи в эксплуатации 2-3 раза, расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза**
316. Реконструкция и 160 60 50 50 2013- 1389,9 переоснащение производственной техническое ___ __ __ __ 2015 линии для выпуска облегченных перевооружение открытого 80* 30 25 25 сверхвысокочастотных акционерного общества волноводов, "Информационные увеличение производства спутниковые системы" сверхвысокочастотных волноводов имени академика с низким уровнем потерь и М.Ф.Решетнёва", улучшенными массовыми г. Железногорск, характеристиками, Красноярский край, в оснащение отраслевого целях создания автоматизированного хранилища производственной линии для модулей радиоэлектронных и для изготовления навигационных систем со облегченных встроенной системой мониторинга сверхвысокочастотных и прогнозирования состояния волноводов миллиметрового хранимой продукции** диапазона
317. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 665 дооснащение производства техническое ____ __ __ __ 2015 электромеханических и перевооружение 100* 40 30 30 радиоэлектронных компонентов федерального для микромодульных средств государственного автономного управления и унитарного предприятия контроля, увеличение "Научно-производственное производства изделий объединение автоматики бортовой и промышленной имени академика радиоэлектроники на Н.А.Семихатова", 35 процентов и более, г. Екатеринбург, для оснащение отраслевого создания производства автоматизированного хранилища электромеханических и для радиоэлектронных модулей со радиоэлектронных встроенной системой мониторинга компонентов и прогнозирования состояния микромодульных средств хранимой продукции** автономного управления и контроля
318. Техническое 200 80 60 60 2013- 690 создание межотраслевой перевооружение открытого ____ __ __ __ 2015 лаборатории контроля стойкости акционерного общества 100* 40 30 30 электронной компонентной базы "Объединенная для специальной ракетно-космическая радиоэлектронной аппаратуры в корпорация", г. Москва, условиях космического для создания отраслевой пространства, что обеспечит лаборатории контроля внедрение технологических стойкости электронной процессов прямого (в том числе компонентной базы неразрушающего) контроля радиоэлектронной стойкости электронной аппаратуры к компонентной базы и дестабилизирующим экспериментально-аналитического факторам космического прогноза деградации пространства характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства, увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет**
319. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 2534,3 перевооружение производственных техническое ____ __ __ __ 2015 линий для изготовления перевооружение открытого 100* 40 30 30 встроенных модульных пассивных акционерного общества радиоэлементов для систем "Научно-производственный бортовой и промышленной центр "Полюс", г. Томск, радиоэлектроники и вторичных для технического источников питания с перевооружения совмещенными линиями передачи действующего производства данных и электропитания, расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более**
320. Реконструкция и 726 486 240 2012- 500 создание базового центра техническое ___ ___ ___ 2013 системного проектирования перевооружение открытого 363 243 120 площадью 500 кв. метров акционерного общества "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования
321. Реконструкция и 914 120 120 28 160 486 2008- 500 создание отраслевого центра техническое ___ ___ ___ __ ___ ___ 2012 автоматизированного перевооружение для 461 60 60 18 80 243 проектирования и функциональной создания отраслевого поддержки процессов центра изготовления и эксплуатации автоматизированного параметрических рядов проектирования в открытом сверхвысокочастотных модулей акционерном обществе унифицированных "Научно-исследовательский сверхвысокочастотных трактов, институт точных базовых несущих приборов", г. Москва конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. метров
322. Реконструкция и 280 100 90 90 2013- 701 создание центра проектирования техническое ____ ___ __ __ 2015 унифицированных перевооружение для 140* 50 45 45 микроэлектронных датчиков создания центра площадью 701 кв. метр для проектирования проектирования унифицированных унифицированных полупроводниковых микродатчиков микроэлектронных датчиков и преобразователей физических для работы в особо величин в системах управления, жестких условиях контроля и диагностики эксплуатации в открытом динамических объектов** акционерном обществе "Научно-исследовательский институт физических измерений", г. Пенза
323. Реконструкция и 200 160 40 2013- 220 создание центра системного техническое ____ ___ __ 2014 проектирования матричных перевооружение для 100* 80 20 преобразователей и создания центра микроэлектронных сигнальных проектирования матричных процессоров высокоточных преобразователей и навигационных приборов микроэлектронных бортового и промышленного сигнальных процессоров на назначения с использованием федеральном прецизионного государственном унитарном высокотехнологичного предприятии оборудования для повышения "Научно-производственный качества проектирования, центр автоматики и изготовления и надежности приборостроения имени аппаратуры систем управления, академика Н.А.Пилюгина", уменьшения габаритно-массовых г. Москва характеристик изделий, сокращение стоимости аппаратуры и др.**
324. Реконструкция и 148 80 34 34 2013- 603,2 создание базового центра техническое ___ __ __ __ 2015 сквозного системного перевооружение для 74* 40 17 17 проектирования и функциональной создания базового центра поддержки в процессе системного проектирования эксплуатации аппаратуры и технического модульных средств связи и перевооружения навигации для бортовых и действующего производства промышленных систем площадью в открытом акционерном 603,2 кв. метра** обществе "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край
Всего по Роскосмосу 3668 120 120 28 160 972 1190 559 519 ____ ___ ___ __ ___ ___ ____ _____ _____ 1838 60 60 18 80 486 595 279,5 259,5
4. Минобрнауки России
325. Техническое 78 48 30 2009- 515,1 создание базового центра перевооружение __ __ __ 2010 системного проектирования государственного 54 24 30 площадью 515,1 кв. метра образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования
326. Реконструкция и 50 50 2008 500 создание базового центра техническое __ __ системного проектирования перевооружение 25 25 площадью 500 кв. метров государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования
327. Техническое 200 200 2012 400 создание базового центра перевооружение ___ ___ системного проектирования федерального 100 100 площадью 400 кв. метров государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования
328. Техническое 186,8 186,8 2013 669 создание базового центра перевооружение _____ _____ системного проектирования федерального 93 93 площадью 669 кв. метров государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана" для создания центра базового проектирования, Московская область, Дмитровский район, пос. Орево, площадка Дмитровского филиала
Всего по Минобрнауки 514,8 50 48 30 200 186,8 России _____ __ __ __ ___ _____ 272 25 24 30 100 93
5. ФСТЭК России
329. Техническое 836 66,76 133,24 320 188 128 2011- 2000 создание новых производственных перевооружение ____ _____ ______ ___ ___ ___ 2015 мощностей по выпуску федерального 418* 33,38 66,62 160 94 64 оптоволоконных соединителей государственного изделий микромеханики** унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск-Уральский Свердловской области
Всего по ФСТЭК России 836 66,76 133,24 320 188 128 ___ _____ ______ ___ ___ ___ 418 33,38 66,62 160 94 64
Всего по разделу II 78382,06 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,76 17539,24 14146,685 14349,655 _________ _______ _______ ______ _______ ________ ________ _________ _________ 40891,295 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8769,22 7103,148 7143,257
___________ * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации. ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования. *** Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта. **** Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.
Примечания:
1. Срок получения предусмотренных настоящим приложением результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
__________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 3 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 19 августа 2014 г. N 829)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) --------------------------------------|------------|----------------------------------------------------------------------------- | 2008-2015 | В том числе |годы - всего|--------|--------|--------|---------|---------|--------|-----------|--------- | |2008 год|2009 год|2010 год|2011 год |2012 год |2013 год| 2014 год |2015 год --------------------------------------|------------|--------|--------|--------|---------|---------|--------|-----------|--------- Всего по Программе 102752,5207 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18400 15140,5487 14523,882
из них:
Минпромторг России 89545,079 4757,7 5157,21 4952,62 11940 21953,26 15376,5 12909,332 12498,457
Роскосмос 5894,5 290 320 168 430 1776 1393 764 753,5
Государственная корпорация 5726,3667 240 246,5 179,38 400 1124,12 1235 1228,8167 1072,55 по атомной энергии "Росатом"
Минобрнауки России 1168,575 85 48,3 100 160 260 235,5 144,4 135,375
ФСТЭК России 418 - - - 33,38 66,62 160 94 64
Капитальные вложения - всего 40891,295 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8769,22 7103,148 7143,257
из них:
Минпромторг России 36140,295 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7351,22 6049,648 6260,757
Роскосмос 1838 60 60 18 80 486 595 279,5 259,5
Государственная корпорация 2223 40 34 20 50 270 570 680 559 по атомной энергии "Росатом"
Минобрнауки России 272 25 24 30 - 100 93 - -
ФСТЭК России 418 - - - 33,38 66,62 160 94 64
Научно-исследовательские и 61861,2257 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8037,4007 7380,625 опытно-конструкторские работы - всего
из них:
Минпромторг России 53404,784 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8025,28 6859,684 6237,7
Роскосмос 4056,5 230 260 150 350 1290 798 484,5 494
Государственная корпорация 3503,3667 200 212,5 159,38 350 854,12 665 548,8167 513,55 по атомной энергии "Росатом"
Минобрнауки России 896,575 60 24,3 70 160 160 142,5 144,4 135,375
_____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 4 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 19 августа 2014 г. N 829)
ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -----------------------------|------------|----------------------------------------------------------------------------------- | 2008-2015 | В том числе |годы - всего|---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|----------- | |2008 год |2009 год |2010 год |2011 год |2012 год |2013 год |2014 год |2015 год -----------------------------|------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|----------- Всего по Программе 172103,3593 7903,837 8478,112 8267,417 20961,76 42829,41 31985,41 26216,8344 25460,5789
в том числе:
федеральный бюджет 102752,5207 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18400 15140,5487 14523,882
внебюджетные средства 69350,8386 2531,137 2706,102 2867,417 7998,38 17649,41 13585,41 11076,2857 10936,6969
Капитальные вложения - всего 78385,59 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,76 17539,24 14146,685 14349,655
в том числе:
федеральный бюджет 40891,295 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8769,22 7103,148 7143,257
внебюджетные средства 37494,295 476,01 348,77 460,3 3033,38 10155,88 8770,02 7043,537 7206,398
Научно-исследовательские и 93717,7693 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12070,1494 11110,9239 опытно-конструкторские работы - всего
в том числе:
федеральный бюджет 61861,2257 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8037,4007 7380,625
внебюджетные средства 31856,5436 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 4815,39 4032,7487 3730,2989".
6. В приложении N 5 к указанной Программе:
а) в абзаце пятнадцатом цифры "175600,705" заменить цифрами "172099,8293", цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207", цифры "70944,409" заменить цифрами "69347,3086", цифры "66746,5" заменить цифрами "68686,2", цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6";
б) в абзаце восемнадцатом цифры "1,57" заменить цифрами "1,6";
в) таблицы 1-3 изложить в следующей редакции:
"Таблица 1
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) ---------------------------------------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|-------|-------|------------ Показатели | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 |За расчетный | год | год | год | год | год | год | год | год | год | год |период ---------------------------------------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|-------|-------|------------ Условно-переменная часть текущих издержек 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 - производства (себестоимости) (процентов)
Годовой объем реализуемой продукции отрасли 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - (объем продаж)
Инвестиции из всех источников 7903,837 8478,112 8267,417 20961,76 42829,41 31985,41 26216,8344 25460,5789 - - 172103,3593 финансирования - всего по Программе
в том числе:
средства федерального бюджета на 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18400 15140,5487 14523,882 - - 102752,5207 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды
из них капитальные вложения 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8769,22 7103,148 7143,257 - - 40891,295
внебюджетные средства на 2531,137 2706,102 2867,417 7998,38 17649,41 13585,41 11076,2857 10936,6969 - - 69350,8386 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.)
налогооблагаемая база налога на имущество 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)
Рентабельность реализованной продукции 10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 - (процентов)
Амортизационные отчисления (процентов 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 - себестоимости)
Материалы 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 - (процентов себестоимости)
Фонд оплаты труда 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 - (процентов себестоимости)
Налог на имущество организаций 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - (процентов)
Налог на прибыль организаций 24 20 20 20 20 20 20 20 20 20 - (процентов)
Налог на доходы физических лиц 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 - (процентов)
Страховые взносы 26 26 26 34 30 30 30 30 30 30 - (процентов)
Налог на добавленную стоимость 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 - (процентов)
Норма дисконта (средняя за расчетный период) - - - - - - - - - - 0,1 (процентов)
Таблица 2
Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) ------------------------------------|-------------------------------------------------------------------------------------------------------|------------ Наименование показателей | Расчетный период |За расчетный |---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|---------|---------| период |2008 год |2009 год |2010 год |2011 год |2012 год |2013 год | 2014 год | 2015 год |2016 год |2017 год | |---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|---------|---------| | номер шага (m) | |---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|---------|---------| | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ------------------------------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|-----------|-----------|---------|---------|------------
Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем реализованной 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - продукции отрасли без налога на добавленную стоимость
Себестоимость годового объема 52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 - реализованной продукции отрасли
Прибыль от реализации продукции 5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 -
Налогооблагаемая база налога на 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)
Налог на имущество организаций 660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 -
Налогооблагаемая прибыль 4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 -
Налог на прибыль организаций 1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 -
Чистая прибыль 3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 -
Амортизационные отчисления в 1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 - структуре себестоимости
Материальные затраты в структуре 26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666,7 175000 - себестоимости
Фонд оплаты труда в структуре 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 - себестоимости
Налог на добавленную стоимость 4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 -
Налог на доходы физических лиц 1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 -
Страховые взносы 3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 10991,4 13347,5 15000 16875 21250,3 26250 -
Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 12621,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2 внебюджетные фонды (приток в бюджет)
Сальдо от операционной 5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 - деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)
Коэффициент дисконтирования (норма 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 - дисконта Е=0,1)
Сальдо от операционной деятельности 5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования
Величина инвестиций из всех 7903,837 8478,112 8267,417 20961,76 42829,41 31985,41 26216,8344 25460,5789 - - 172103,3593 источников финансирования (оттоки)
Сальдо суммарного потока от -2572,1 -1478,1 2121,2 -6353 -17306 2661 16763,6 24147,6 63806,7 80570 - инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования
Величина инвестиций из всех 7903,8 7707,4 6832,6 15748,9 29253,1 19860,4 14832,4 13032,9 - - 115171,4 источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования
Сальдо суммарного потока от -2572,1 -1343,7 1753 -4773,1 -11820,2 1652,3 9462,6 12391,5 29766,3 34169,5 68686,2 инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом) Чистый дисконтированный доход -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6935,9 -18756,1 -17103,8 -7641,2 4750,3 34516,6 68686,2 -
Срок окупаемости инвестиций (период - - - - - - - - - - 7 лет возврата) (лет)
Индекс доходности (рентабельность - - - - - - - - - - 1,6 инвестиций)
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства федерального бюджета на 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18400 15140,5487 14523,882 - - 102752,5207 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)
Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 12621,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2 внебюджетные фонды
Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Отток бюджетных средств 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18400 15140,5487 14523,882 - - 102752,5207
Отток бюджетных средств с учетом 5372,7 5247,3 4462,8 9739,6 17198,3 11425 8546,4 7453 - - 69445,1 дисконтирования
Сальдо суммарного потока от 5173,7 6227,1 8584,3 5874,2 3130,9 10970,6 14359,9 15966,2 26674,1 29841,6 126802,6 финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Чистый дисконтированный доход 5173,7 11400,8 19985 25859,2 28990,1 39960,8 54320,7 70286,9 96961 126802,6 - государства или бюджетный эффект
Индекс доходности бюджетных средств 2 2,2 2,9 1,6 1,2 2 2,7 3,1 - - 2,8
Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Удельный вес средств федерального 0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,58 0,58 0,57 - - 0,6 бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)
Период возврата бюджетных средств 1 год (лет)
Уровень безубыточности 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68
Таблица 3
ИТОГОВЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
(млн. рублей) ---------------------------------------------|-------------- Наименование показателей |2008-2017 годы ---------------------------------------------|-------------- Всего инвестиций 172103,3593 (в ценах соответствующих лет)
в том числе:
средства федерального бюджета 102752,5207
внебюджетные средства 69350,8386
Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход в 2017 году 68686,2
Срок окупаемости инвестиций 7 лет по чистой прибыли организации (лет)
Индекс доходности (рентабельность) 1,6 инвестиций по чистой прибыли
Уровень безубыточности 0,68
Показатели бюджетной эффективности
Налоги, поступающие в бюджет и 196247,7 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Бюджетный эффект 126802,6
Индекс доходности (рентабельность) 2,8 бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям
Удельный вес средств федерального бюджета 0,6 в общем объеме финансирования (степень участия государства)
Срок окупаемости бюджетных ассигнований 1 год". по налоговым поступлениям (лет)
____________