Постановление Правительства Российской Федерации от 22.04.2013 № 359 "О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы"

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПОСТАНОВЛЕНИЕ

от 22 апреля 2013 г. N 359

МОСКВА

О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130; 2011, N 38, ст. 5383).

Председатель Правительства Российской Федерации Д.Медведев __________________________

УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359

ИЗМЕНЕНИЯ, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

1. В паспорте Программы:

а) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикаторов и показателей, цифры "114" заменить цифрами "112";

б) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "179224,366" заменить цифрами "175613,905"; в абзаце втором цифры "106844,71" заменить цифрами "104663,296", цифры "63908,3" заменить цифрами "62686,506", цифры "42936,41" заменить цифрами "41976,79"; в абзаце третьем цифры "72379,656" заменить цифрами "70950,609";

в) в абзаце тринадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры "203443,4" заменить цифрами "196247,7", цифры "131640" заменить цифрами "125754,3".

2. В абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II:

а) в предложении третьем слова "в 41 организации" заменить словами "в 43 организациях";

б) предложение пятое изложить в следующей редакции: "Также к 2015 году в 19 организациях Министерства образования и науки Российской Федерации, Федерального космического агентства и Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, будут созданы центры проектирования, а в 15 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".

3. В разделе IV:

а) в абзаце первом цифры "179224,366" заменить цифрами "175613,905";

б) в абзаце втором цифры "106844,71" заменить цифрами "104663,296";

в) в абзаце третьем цифры "63908,3" заменить цифрами "62686,506";

г) в абзаце четвертом цифры "42936,41" заменить цифрами "41976,79";

д) в абзаце пятом цифры "72379,656" заменить цифрами "70950,609";

е) в абзаце седьмом цифры "32500" заменить цифрами "32215,149".

4. В разделе VI:

а) в абзаце пятом цифры "203443,4" заменить цифрами "196247,7";

б) в абзаце шестом цифры "64554,9" заменить цифрами "66746,5";

в) в абзаце седьмом цифры "131640" заменить цифрами "125754,3";

г) в абзаце девятом цифры "1,54" заменить цифрами "1,57".

5. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:

"ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359)

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

--------------------------------------|-------|-----|------|------|--------|--------|------|------|------|------- |Единица| 2007| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 |измере-| год | год | год | год | год | год | год | год | год | ния | | | | | | | | | --------------------------------------|-------|-----|------|------|--------|--------|------|------|------|-------

Индикатор

Достигаемый технологический уровень мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 электроники

Показатели

Увеличение объемов продаж изделий млрд. 19 58 70 95 130 170 210 250 300 электронной и радиоэлектронной рублей техники

Количество разработанных базовых - 3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 210 230 250 260-270 технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - 1 8 10 14 29 29 30 35 44 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - - - - 1 1 1 3 4 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - - - - - 1 2 4 6 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - 1 1 2 2 3 5 7 9 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - 1 5 8 18 22 34 37 96 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - - - - - 1 1 1 1 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - - - - - - 1 1 8 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и - - - - - - - - - 7 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество завершенных поисковых - 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 технологических научно- исследовательских работ (нарастающим итогом)

Количество реализованных мероприятий - 4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих мест - 450 1020- 1800- 3000- 3800- 4100- 4400- 4700- 5000- (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000

______________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359)

ПЕРЕЧЕНЬ мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 года

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------|-----------|--------------------------------------------------------------------------------|------------------------ |2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - | | | всего |---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------| | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | ------------------------------|-----------|---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------|------------------------

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой производства мощных _______ __ ______ технологии производства сверхвысокочастотных 84 44 40 мощных транзисторов на основе сверхвысокочастотных гетероструктур транзисторов на основе материалов группы А В гетероструктур 3 5 материалов группы А В 3 5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2. Разработка базовой 202 30,5 39,5 53,25 31,8 46,95 создание базовой технологии ___ ____ ____ _____ ____ _____ технологии производства производства 134 20 26 35,5 21,2 31,3 монолитных монолитных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных микросхем и объемных микросхем и объемных приемопередающих приемо- сверхвысокочастотных передающих субмодулей сверхвысокочастотных X-диапазона на основе субмодулей гетероструктур X-диапазона материалов группы А В 3 5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3. Разработка базовой 212,75 141,75 71 создание технологии технологии ______ _____ __ производства мощных производства мощных 134,75 87,75 47 транзисторов сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного полупроводниковых диапазона на основе приборов на основе нитридных нитридных гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур для техники структур связи, радиолокации (2009 год)

4. Разработка базовой 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии технологии и ___ __ ____ _____ ___ ___ производства на основе библиотеки элементов 375 17 65 109 80 104 нитридных для проектирования гетероэпитаксиальных и производства структур мощных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем монолитных интегральных сверхвысокочастотного схем с рабочими диапазона на основе частотами до 20 ГГц для нитридных техники связи, гетероэпитаксиальных радиолокации (2013 год), структур разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

5. Разработка базовой 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии _______ ______ ____ технологии производства производства 101,7 59,7 42 компонентов для сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных компонентов и интегральных схем сложно-функциональных диапазона блоков для 2-12 ГГц с высокой сверхвысокочастотных степенью интеграции для интегральных схем аппаратуры радиолокации высокой степени и связи интеграции на основе бортового и наземного гетероструктур применения, а также "кремний - германий" бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

6. Разработка базовой 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии ______ ___ ____ ______ технологии производства производства 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных интегральных схем интегральных схем диапазона высокой степени 2-12 ГГц с высокой интеграции на основе степенью интеграции для гетероструктур аппаратуры радиолокации "кремний - германий" и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7. Разработка 448,408 253 195,408 разработка аттестованных аттестованных _______ ___ _______ библиотек библиотек 308,75 169 139,75 сложнофункциональных сложнофункциональных блоков для блоков для проектирования широкого проектирования спектра сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на интегральных схем на SiGe с рабочими основе гетероструктур частотами до 150 ГГц, "кремний - германий" разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

8. Разработка базовых 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий ______ __ _____ _____ ____ ____ технологий проектирования 142 30 52 39,3 11,3 9,4 проектирования на основе кремний-германиевых библиотеки сверхвысокочастотных сложнофункциональных и радиочастотных блоков широкого спектра интегральных схем на сверхвысокочастотных основе аттестованной интегральных схем на библиотеки SiGe с рабочими сложнофункциональных частотами до 150 ГГц блоков (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

9. Разработка базовых 114,9 60 54,9 создание базовых технологий _____ __ ____ технологий производства производства 74 40 34 элементной базы для элементной базы для высокоплотных источников ряда силовых вторичного герметичных модулей электропитания высокоплотных сверхвысокочастотных источников вторичного приборов и узлов электропитания аппаратуры (2009 год), вакуумных и разработка комплектов твердотельных документации в сверхвысокочастотных стандартах единой приборов и узлов системы конструкторской, аппаратуры технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10. Разработка базовых 126,913 79,513 47,4 создание базовых технологий _______ ______ ____ конструкций и технологии производства ряда 73,1 41,5 31,6 производства силовых герметичных высокоэффективных, модулей высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и сверхвысокочастотных твердотельных приборов и узлов сверхвысокочастотных аппаратуры на основе приборов и узлов гибридно-пленочной аппаратуры технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

11. Разработка базовых 226 151,2 74,8 создание технологии конструкций и ___ _____ ____ массового производства технологии 152 102 50 ряда корпусов мощных производства корпусов сверхвысокочастотных мощных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки транзисторов X-, C-, (2009 год), разработка S-, L- и P-диапазонов комплектов документации из малотоксичных в стандартах единой материалов с высокой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

12. Разработка базовых 83,5 13 40,5 30 создание базовых конструкций ____ __ ____ __ конструктивных рядов теплоотводящих 55 8 27 20 элементов систем элементов систем охлаждения аппаратуры охлаждения Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных наземных, корабельных приборов Х- и и воздушно-космических С-диапазонов на основе комплексов новых материалов

13. Разработка базовой 109 64 45 создание технологии технологии ___ __ __ массового производства производства 62 32 30 конструктивного ряда теплоотводящих элементов систем элементов систем охлаждения аппаратуры охлаждения Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных наземных, корабельных приборов Х- и и воздушно-космических С-диапазонов на основе комплексов (2011 год), новых материалов разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14. Разработка базовых 13 13 создание технологии технологий __ __ массового производства производства 8 8 конструктивного ряда суперлинейных сверхвысокочастотных кремниевых транзисторов сверхвысокочастотных S- и L-диапазонов для транзисторов техники связи, локации и S- и L-диапазонов контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно- _____ _____ __ конструктивно- параметрического 115,9 69,9 46 параметрического ряда ряда сверхвысокочастотных суперлинейных транзисторов кремниевых S- и L- диапазонов для сверхвысокочастотных техники связи, локации и транзисторов контрольной аппаратуры, S- и L-диапазонов разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16. Разработка технологии 32 18 14 разработка измерений и базовых __ __ __ метрологической конструкций установок 22 12 10 аппаратуры нового автоматизированного поколения для измерения параметров исследования и контроля нелинейных моделей параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых полупроводниковых структур, активных структур, мощных элементов и транзисторов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных монолитных схем в производстве и интегральных схем X-, при их использовании C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства

17. Исследование и 149,416 84,916 64,5 создание технологии разработка базовых _______ ______ ____ унифицированных технологий для 102 59 43 сверхширокополосных создания нового приборов среднего и поколения мощных большого уровня мощности вакуумно-твердотельных сантиметрового диапазона сверхвысокочастотных длин волн и приборов и гибридных сверхвысокочастотных малогабаритных магнитоэлектрических сверхвысокочастотных приборов для модулей с улучшенными перспективных массогабаритными радиоэлектронных систем характеристиками, и аппаратуры связи магнитоэлектрических космического базирования приборов (2009 год), разработка сверхвысокочастотного комплектов документации диапазона, в том числе в стандартах единой циркуляторов и системы конструкторской, фазовращателей, технологической и вентилей, производственной высокодобротных документации, ввод резонаторов, в эксплуатацию перестраиваемых производственной линии фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

18. Разработка базовых 118,45 77,5 40,95 разработка конструкций и ______ ____ _____ конструктивных рядов и технологии 85,3 58 27,3 базовых технологий производства нового производства поколения мощных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных приборов среднего и сверхвысокочастотных большого уровня мощности приборов и гибридных сантиметрового диапазона малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными магнитоэлектрических массогабаритными приборов для характеристиками, перспективных магнитоэлектрических радиоэлектронных приборов систем и аппаратуры сверхвысокочастотного связи космического диапазона, в том числе базирования (2011 год), циркуляторов и разработка комплектов фазовращателей, документации в вентилей, стандартах единой высокодобротных системы конструкторской, резонаторов, технологической и перестраиваемых производственной фильтров, документации, ввод микроволновых приборов в эксплуатацию со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

19. Исследование и 110,5 65,5 45 создание технологических разработка процессов и _____ ____ __ процессов производства базовых технологий 75,5 45,5 30 нанопленочных нанопленочных малогабаритных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно- емкостных матриц емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для монтажа (2008 год), печатного монтажа и создание базовой сверхбыстродействующих технологии получения (до 150 ГГц) сверхбыстродействующих приборов на (до 150 ГГц) приборов на наногетеро- наногетероструктурах с структурах квантовыми эффектами с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

20. Разработка базовых 84,5 50 34,5 создание конструктивных конструкций и ____ __ ____ рядов и базовых технологий 53 30 23 технологий производства производства нанопленочных нанопленочных малогабаритных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно- емкостных матриц емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для монтажа (2011 год), печатного монтажа разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

21. Разработка базовой 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии _______ ______ ______ технологии производства сверхвысокочастотных 88 42 46 элементов и специальных p-i-n диодов, матриц, элементов и блоков узлов управления и портативной аппаратуры портативных миллиметрового диапазона фазированных блоков длин волн для нового аппаратуры поколения миллиметрового средств связи, диапазона длин волн на радиолокационных основе станций, радионавигации, магнитоэлектронных измерительной техники, твердотельных и автомобильных радаров, высокоскоростных охранных и сигнальных цифровых приборов и устройств (2009 год), устройств с функциями разработка комплектов адаптации и цифрового документации в диаграммообразования стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

22. Разработка базовых 2323,262 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 210,129 224,55 создание конструктивных технологий создания ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ _______ ______ рядов и базовых мощных вакуумных 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 технологий сверхвысокочастотных проектирования и устройств производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

23. Разработка базовых 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых технологий создания ________ _______ _______ _______ ______ ______ ______ _______ _______ конструкций и технологий мощных твердотельных 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных устройств на базе мощных приборов на нитрида галлия структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3-4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

24. Исследование 1046,46 160,2 99,5 274,5 298,88 213,38 исследование перспективных типов _______ _____ _____ _____ ______ ______ технологических сверхвысокочастотных 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 принципов формирования приборов и структур, перспективных разработка сверхвысокочастотных технологических приборов и структур, принципов их включая создание изготовления наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

25. Разработка 1021,25 49,2 331,7 221,4 242,25 176,7 создание полного состава перспективных методов _______ ____ _____ _____ ______ _____ прикладных программ проектирования и 684,4 32,8 224,7 147,6 161,5 117,8 проектирования и моделирования оптимизации сложнофункциональной сверхвысокочастотной сверхвысокочастотной электронной компонентной электронной базы, включая компонентной базы проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе

Всего по направлению 1 9697,875 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 861,134 753,005 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ _______ _______ 6409,486 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 574,086 502

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26. Разработка базовой 106,65 60 46,65 создание технологии технологии радиационно ______ __ _____ изготовления микросхем стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 на структурах "кремний интегральных схем на сапфире" диаметром уровня 0,5 мкм на 150 мм (2009 год), структурах "кремний на разработка правил сапфире" диаметром проектирования базовых 150 мм библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

27. Разработка базовой 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии технологии радиационно ______ ____ ______ ____ ____ изготовления микросхем с стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов 0,35 интегральных схем мкм на структурах уровня 0,35 мкм на "кремний на сапфире" структурах "кремний на диаметром 150 мм сапфире" диаметром (2013 год), разработка 150 мм правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание проектирования и _______ ___ _______ технологического базиса конструктивно- 164 87 77 (технология технологических проектирования, решений библиотеки базовые технологии), логических и позволяющего аналоговых элементов, разрабатывать оперативных радиационно стойкие запоминающих сверхбольшие устройств, постоянных интегральные схемы на запоминающих структурах "кремний на устройств, изоляторе" с проектной сложнофункциональных нормой до 0,25 мкм радиационно стойких (2009 год) блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание проектирования и ______ _____ ______ ____ ____ технологического базиса конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 (технология технологических проектирования, базовые решений библиотеки технологии), логических и позволяющего аналоговых элементов, разрабатывать оперативных радиационно стойкие запоминающих сверхбольшие устройств, постоянных интегральные схемы на запоминающих структурах "кремний на устройств, изоляторе" с проектной сложнофункциональных нормой до 0,18 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание технологических ______ __ _____ технологического процессов изготовления 97,65 63 34,65 процесса изготовления радиационно стойкой сверхбольших элементной базы для интегральных схем сверхбольших энергонезависимой, интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой сегнетоэлектрической пьезоэлектрической и памяти уровня 0,35 мкм и магниторезистивной базовой технологии памяти с проектными создания, нормами 0,35 мкм изготовления и и пассивной аттестации радиационно радиационно стойкой стойкой пассивной элементной базы электронной компонентной базы (2009 год)

31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологических ______ ____ ______ ____ ____ технологического процессов изготовления 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 процесса изготовления радиационно стойкой сверхбольших элементной базы для интегральных схем сверхбольших энергонезависимой интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой сегнетоэлектрической пьезоэлектрической и памяти уровня 0,18 мкм магниторезистивной (2010 год) и создания, памяти с проектными изготовления и нормами 0,18 мкм и аттестации радиационно пассивной радиационно стойкой пассивной стойкой элементной электронной компонентной базы базы (2013 год)

32. Разработка технологии 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного "кремний на сапфире" _______ ______ ______ ряда цифровых изготовления ряда 73 38 35 процессоров, лицензионно- микроконтроллеров, независимых оперативных запоминающих радиационно стойких программируемых и комплементарных перепрограммируемых полевых устройств, полупроводниковых аналого-цифровых сверхбольших преобразователей в интегральных схем радиационно стойком цифровых процессоров исполнении для создания обработки сигналов, специальной аппаратуры микроконтроллеров и нового поколения схем интерфейса

33. Разработка технологии 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии структур с _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и ультратонким слоем 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и кремния на сапфире сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)

34. Разработка базовой 92,669 51 41,669 разработка конструкции и технологии и ______ __ ______ модели интегральных приборно- 73,15 40 33,15 элементов и технологического технологического базиса маршрута изготовления производства радиационно стойких радиационно стойких сверхбольших сверхбольших интегральных схем типа интегральных схем "система на кристалле" с "система на расширенным кристалле", температурным радиационно стойкой диапазоном, силовых силовой электроники транзисторов и модулей для аппаратуры питания для бортовых и и управления промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

35. Разработка элементной 74,471 36,2 38,271 создание ряда базы радиационно ______ ____ ______ микронанотриодов стойких интегральных 50,6 26,1 24,5 и микронанодиодов схем на основе полевых с наивысшей радиационной эмиссионных стойкостью для микронанотриодов долговечной аппаратуры и микронанодиодов космического базирования

36. Создание 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса информационной базы _____ ____ ____ ____ _____ моделей расчета радиационно стойкой 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 радиационной стойкости электронной электронной компонентной компонентной базы, базы для определения содержащей модели технически обоснованных интегральных норм испытаний компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

37. Разработка библиотек 866,247 105 184,5 251,2 200,297 125,25 создание технологии стандартных элементов _______ ___ _____ _____ _______ ______ проектирования и и сложнофункциональных 577,531 70 123 167,5 133,531 83,5 изготовления микросхем и блоков для создания сложнофункциональных радиационно стойких блоков на основе сверхбольших ультратонких слоев на интегральных схем структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

38. Разработка 939,488 187,5 185 141,25 230,25 195,488 разработка расширенного расширенного ряда _______ _____ ___ ______ ______ _______ ряда цифровых радиационно 625,825 125 123 94 153,5 130,325 процессоров, стойких сверхбольших микроконтроллеров, интегральных схем для оперативных запоминающих специальной аппаратуры программируемых связи, обработки и и перепрограммируемых передачи информации, устройств, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

39. Разработка и 938 75 275 210,75 186,75 190,5 разработка комплекса совершенствование ___ __ ___ ______ ______ _____ моделей расчета методов моделирования 625 50 183 140,5 124,5 127 радиационной стойкости и проектирования электронной компонентной радиационно стойкой базы для определения элементной базы технически обоснованных норм испытаний

40. Разработка и 964,05 180 191 177,5 209,55 206 создание совершенствование ______ ___ ___ _____ ______ _____ технологического базиса базовых технологий и 629,7 120 123 113,5 139,7 133,5 (технология конструкций проектирования, базовые радиационно стойких технологии), сверхбольших позволяющего интегральных схем на разрабатывать структурах "кремний на радиационно стойкие сапфире" и "кремний на сверхбольшие изоляторе" с интегральные схемы на топологическими структурах "кремний на нормами не менее сапфире" с 0,18 мкм проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

Всего по направлению 2 6016,817 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 980,6 826,847 717,238 ________ _______ _______ _______ ______ ______ _____ _______ _______ 3977,406 292,1 245,95 161,7 819,6 780 652,5 551,231 474,325

Направление 3. Микросистемная техника

41. Разработка базовых 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий _______ _______ ______ технологий (2009 год) и микро- 117,9 105,9 12 комплектов электромеханических технологической систем документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

42. Разработка базовых 423,712 87,239 73,473 108 82,5 72,5 разработка базовых конструкций _______ ______ ______ ___ ____ ____ конструкций и комплектов микро- 263,8 42,1 49,7 72 55 45 необходимой электромеханических конструкторской систем документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселеро- метров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

43. Разработка базовых 202,784 122,356 44,428 36 создание базовых технологий _______ _______ ______ __ технологий (2009 год) и микроакусто- 132,15 78,55 29,6 24 комплектов необходимой электромехани- технологической ческих систем документации на изготовление микроакустоэлектро- механических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемноакустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

44. Разработка базовых 411,574 52 103,825 88,5 167,249 разработка базовых конструкций _______ __ _______ ____ _______ конструкций и комплектов микро- 258,8 28 60,3 59 111,5 необходимой акустоэлектро- конструкторской механических документации на систем изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

45. Разработка базовых 37 37 создание базовых технологий __ __ технологий изготовления микроаналитических 25 25 элементов систем микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

46. Разработка базовых 134 47 60 27 создание базовых конструкций ___ __ __ __ конструкций микроаналитических 78 20 40 18 микроаналитических систем систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

47. Разработка базовых 42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий ______ ______ ______ технологий выпуска микрооптоэлектромеха- 27 10,2 16,8 трехмерных оптических и нических систем акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год)

48. Разработка базовых 109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых конструкций _______ _____ ______ __ конструкций и комплектов микрооптоэлектромеха- 70 21 31 18 конструкторской нических систем документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения

49. Разработка базовых 55,008 55,008 создание базовых технологий микросистем ______ ______ технологий изготовления анализа магнитных 36 36 микросистем анализа полей магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)

50. Разработка базовых 153,518 39,518 93 21 разработка базовых конструкций _______ ______ __ __ конструкций и комплектов микросистем анализа 98,018 22,018 62 14 конструкторской магнитных полей документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

51. Разработка базовых 123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в технологий _______ ______ ______ производстве базовых радиочастотных 80,662 28,45 52,212 технологий изготовления микроэлектро- радиочастотных механических микроэлектромеханических систем систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

52. Разработка базовых 142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых конструкций _______ ____ ______ ____ конструкций и комплектов радиочастотных 96 25 42 29 конструкторской микроэлектро- документации на механических изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

53. Разработка методов и 38,915 38,915 создание методов и средств обеспечения ______ ______ средств контроля и создания и 22,8 22,8 измерения параметров и производства изделий характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

54. Разработка 1130,25 345 315 256,5 213,75 создание базовых перспективных _______ ___ ___ _____ ______ технологий выпуска технологий и 753,5 230 210 171 142,5 трехмерных оптических и конструкций акустооптических микрооптоэлектро- функциональных механических систем элементов, для оптической микрооптоэлектро- аппаратуры, систем механических систем для отображения коммутации и модуляции изображений, научных оптического излучения исследований и (2012 год), специальной техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)

55. Разработка и 925,5 150 262,5 142,5 213,75 156,75 создание методов и совершенствование _____ ___ _____ _____ ______ ______ средств контроля и методов и средств 617 100 175 95 142,5 104,5 измерения параметров и контроля, испытаний и характеристик изделий аттестации изделий микросистемотехники, микросистемотехники разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

56. Разработка 927 360 253,5 156,75 156,75 создание перспективных перспективных ___ ___ _____ ______ ______ технологий изготовления технологий и 618 240 169 104,5 104,5 элементов конструкций микроаналитических микроаналитических систем, чувствительных к систем для аппаратуры газовым, химическим и контроля и обнаружения биологическим токсичных, горючих, компонентам внешней взрывчатых и среды, предназначенных наркотических веществ для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)

Всего по направлению 3 5041,3 476,964 466,233 442,103 465 1050 986,75 627 527,25 _______ _______ _______ _______ ___ ____ ______ ___ ______ 3294,63 306,9 268,73 285 310 700 654,5 418 351,5

Направление 4. Микроэлектроника

57. Разработка технологии 308,667 219,3 89,367 разработка комплекта и развитие методологии _______ _____ ______ нормативно-технической проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 документации по микроэлектроники: проектированию изделий разработка и освоение микроэлектроники, современной технологии создание отраслевой базы проектирования данных с каталогами универсальных библиотечных элементов и микропроцессоров, сложнофункциональных процессоров обработки блоков с сигналов, каталогизированными микроконтроллеров и результатами аттестации "системы на кристалле" на физическом уровне, на основе разработка комплекта каталогизированных нормативно-технической и сложнофункциональных технологической блоков и библиотечных документации по элементов, в том взаимодействию центров числе создание проектирования в сетевом отраслевой базы данных режиме и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

58. Разработка и освоение 34,569 22,7 11,869 разработка комплекта базовой технологии ______ ____ ______ технологической производства 22,7 14,7 8 документации и фотошаблонов организационно- с технологическим распорядительной уровнем до 0,13 мкм в документации по целях обеспечения взаимодействию центров информационной защиты проектирования и центра проектов изделий изготовления микроэлектроники при фотошаблонов использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

59. Разработка семейств и 852,723 350,836 501,887 разработка комплектов серий изделий _______ _______ _______ документации в микроэлектроники: 490,2 190,1 300,1 стандартах единой универсальных системы конструкторской, микропроцессоров для технологической и встроенных применений, производственной универсальных документации, микропроцессоров для изготовление опытных серверов и рабочих образцов изделий и станций, цифровых организация серийного процессоров обработки производства сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода/вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемопередатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания

60. Разработка базовых 2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов серийных технологий ________ ________ ______ ___ документации в изделий 1299 592,3 616,7 90 стандартах единой микроэлектроники: системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной преобразователей документации, на частотах выше изготовление опытных 100 МГц с разрядностью образцов изделий и более 14-16 бит, организация серийного микроэлектронных производства устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнито- электрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

61. Разработка технологии 545,397 304,9 240,497 разработка комплектов и освоение _______ _____ _______ документации в производства изделий 308,8 168,3 140,5 стандартах единой микроэлектроники с системы конструкторской, технологическим технологической уровнем 0,13 мкм документации и ввод в эксплуатацию производственной линии

62. Разработка базовой 939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов технологии ______ ___ ___ ___ ______ документации в формирования 587,3 102 240 99 146,3 стандартах единой многослойной разводки системы конструкторской, (7-8 уровней) технологической и сверхбольших производственной интегральных схем на документации, основе Al и Cu ввод в эксплуатацию производственной линии

63. Разработка технологии 519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов и организация _______ _______ _______ _____ документации в производства 288,9 101 110,9 77 стандартах единой многокристальных системы конструкторской, микроэлектронных технологической и модулей для мобильных производственной применений с документации, использованием ввод в эксплуатацию полимерных и производственной линии металлополимерных микроплат и носителей

64. Разработка новых 133,8 67 66,8 разработка методов _____ __ ____ технологической и технологических 133,8 67 66,8 производственной испытаний изделий документации, ввод микроэлектроники, в эксплуатацию гарантирующих их специализированных повышенную надежность участков в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

65. Разработка современных 243,77 131,9 111,87 разработка комплектов методов анализа ______ _____ ______ документации, включая отказов изделий 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые микроэлектроники с методики, ввод в применением эксплуатацию ультраразрешающих модернизированных методов участков и лабораторий (ультразвуковая анализа отказов гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)

66. Разработка базовых 1170,325 310 354,45 285 220,875 создание технологии субмикронных ________ ___ ______ ___ _______ сверхбольших технологий уровней 773,55 200 236,3 190 147,25 интегральных схем, 0,065 - 0,045 мкм создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров

67. Исследование 1372,075 383 383,45 334,875 270,75 создание технологии технологических ________ ___ ______ _______ ______ сверхбольших процессов и структур 894,45 245 245,7 223,25 180,5 интегральных схем для субмикронных технологических уровней технологий уровней 65-45 нм, организация 0,032 мкм опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год)

68. Разработка 1403,27 166,05 402,7 318 295,88 220,64 создание технологий и перспективных _______ ______ _____ ___ ______ ______ конструкций технологий и 928,84 110,7 261,8 212 197,25 147,09 перспективных изделий конструкций изделий интеллектуальной силовой интеллектуальной микроэлектроники для силовой электроники применения в аппаратуре для применения в промышленного и бытового аппаратуре бытового и назначения, промышленного создание встроенных назначения, на интегральных источников транспорте, в питания (2013-2015 годы) топливно- энергетическом комплексе и в специальных системах

69. Разработка 1649,14 300 356,4 205 413,25 374,49 разработка перспективной перспективных _______ ___ _____ ___ ______ ______ технологии технологий сборки 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 многокристальных сверхбольших микроэлектронных модулей интегральных схем в для мобильных применений многовыводные корпуса, с использованием в том числе корпуса с полимерных и матричным металлополимерных расположением микроплат и носителей выводов и технологий (2015 год) многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"

Всего по направлению 4 11409,539 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1329,005 1086,755 _________ ________ ________ _______ ______ ______ _______ ________ ________ 7222,07 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 886 724,5

Направление 5. Электронные материалы и структуры

70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых производства новых __ __ __ диэлектрических диэлектрических 49 32 17 материалов на основе материалов на основе ромбоэдрической ромбоэдрической модификации нитрида бора модификации нитрида и подложек из бора и подложек из поликристаллического поликристал- алмаза с повышенной лического алмаза теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

71. Разработка технологии 93,663 46,233 47,43 создание технологии производства ______ ______ _____ производства гетероэпитаксиальных 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных структур и структур структур и структур гетеробиполярных гетеробиполярных транзисторов на основе транзисторов на основе нитридных соединений нитридных соединений А В для мощных А В для обеспечения 3 5 3 5 полупроводниковых разработок и приборов и изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных монолитных интегральных интегральных схем схем и мощных транзисторов (2011 год)

72. Разработка базовой 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии ______ ______ ____ технологии производства производства 49,8 32 17,8 гетероструктур и метаморфных структур псевдоморфных структур на основе GaAs и на подложках InP для псевдоморфных структур перспективных на подложках InP для полупроводниковых приборов приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных электроники диапазона монолитных интегральных 60-90 ГГц схем диапазона 60-90 ГГц (2009 год)

73. Разработка технологии 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных производства _______ ______ __ __ магнитных материалов и спинэлектронных 82 16 30 36 микроволновых структур магнитных материалов, со спиновым управлением радиопоглощающих и для создания мелкодисперсных перспективных ферритовых материалов микроволновых для сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных приборов повышенного приборов быстродействия и низкого энергопотребления

74. Разработка технологии 76,4 50,1 26,3 создание технологии производства ____ ____ ____ массового производства высокочистых 47,3 31 16,3 высокочистых химических химических материалов материалов (аммиака, (аммиака, арсина, арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида тетрахлорида кремния) кремния) для для выпуска обеспечения полупроводниковых производства подложек нитрида галлия, полупроводниковых арсенида галлия, фосфида подложек нитрида индия, кремния галлия, арсенида и гетероэпитаксиальных галлия, фосфида индия, структур на их основе кремния и (2009 год) гетероэпитаксиальных структур на их основе

75. Разработка технологии 62,07 12 35,07 15 создание технологии производства _____ __ _____ __ производства поликристаллических 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов и их пленок алмазов и его пленок для для теплопроводных мощных конструкций мощных сверхвысокочастотных выходных транзисторов приборов (2012 год) и сверхвысокочастотных приборов

76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии разработка технологии __ __ __ изготовления новых изготовления новых 38 24 14 микроволокон на основе микроволокон на основе двухмерных двухмерных диэлектрических и диэлектрических и металлодиэлектрических металлодиэлектрических микро- и наноструктур микро- и для новых классов наноструктур, а микроструктурных также приборов, полупроводниковых магниторезисторов, нитей с наноразмерами осцилляторов, устройств при вытяжке оптоэлектроники стеклянного капилляра, (2009 год) заполненного жидкой фазой полупроводника

77. Разработка технологии 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой выращивания слоев ______ ___ ______ __ пленочной технологии пьезокерамики на 39 3 18 18 пьезокерамических кремниевых подложках элементов, совместимой с для формирования комплементарной комплексированных металлооксидной устройств полупроводниковой микросистемной техники технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)

78. Разработка методологии 63,657 42,657 21 создание технологии и базовых технологий ______ ______ __ травления и изготовления создания многослойных 38 24 14 кремниевых трехмерных кремниевых структур с базовых элементов использованием микроэлектромеханических "жертвенных" и систем с "стопорных" использованием диффузионных и "жертвенных" и диэлектрических слоев "стопорных" слоев для для производства серийного производства силовых приборов и элементов элементов микроэлектромеханических микроэлектро- систем (2009 год) механических кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния

79. Разработка базовых 45,85 29,35 16,5 создание технологии технологий получения _____ _____ ____ получения алмазных алмазных 22 11 11 полупроводниковых полупроводниковых наноструктур и наноструктур наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий покрытий, алмазных с широким диапазоном полупроводящих пленок функциональных свойств для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)

80. Исследование и 136,716 57,132 79,584 создание технологии разработка технологии _______ ______ ______ изготовления роста эпитаксиальных 88,55 38 50,55 гетероструктур и слоев карбида кремния, эпитаксиальных структур структур на основе на основе нитридов для нитридов, а также создания радиационно формирования стойких изолирующих и сверхвысокочастотных и коммутирующих слоев в силовых приборов нового приборах экстремальной поколения (2009 год) электроники

81. Разработка технологии 159,831 52 107,831 создание технологии производства _______ __ _______ производства структур радиационно стойких 90 35 55 "кремний на сапфире" сверхбольших диаметром до 150 мм с интегральных схем на толщиной ультратонких приборного слоя до 0,1 гетероэпитаксиальных мкм и топологическими структурах кремния на нормами до 0,18 мкм для сапфировой подложке производства электронной для производства компонентной базы электронной специального и двойного компонентной базы назначения (2009 год) специального и двойного назначения

82. Разработка технологии 138,549 54 84,549 создание технологии производства _______ __ ______ производства радиационно высокоомного 89,7 36 53,7 облученного кремния и радиационно пластин кремния до 150 облученного кремния, мм для выпуска мощных слитков и пластин транзисторов и кремния диаметром сильноточных тиристоров до 150 мм для нового поколения производства силовых (2009 год) полупроводниковых приборов

83. Разработка технологии 90,4 38,5 51,9 разработка и производства ____ ____ ____ промышленное освоение кремниевых подложек и 58,9 24 34,9 получения структур для силовых высококачественных полупроводниковых подложек и структур для приборов с глубокими использования в высоколегированными производстве силовых слоями полупроводниковых р- и n-типов приборов с глубокими проводимости высоколегированными и скрытыми слоями слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной носителей с повышенной рекомбинацией рекомбинацией (2009 год)

84. Разработка технологии 220,764 73,964 146,8 создание технологии производства _______ ______ _____ производства пластин электронного кремния, 162 48 114 кремния диаметром до кремниевых пластин 200 мм и эпитаксиальных диаметром структур уровня до 200 мм и кремниевых 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм

85. Разработка 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии методологии, ______ _____ _____ __ __ корпусирования конструктивно- 161 38 83 20 20 интегральных схем и технических полупроводниковых решений и приборов на основе перспективной базовой использования технологии многослойных кремниевых корпусирования структур со сквозными интегральных схем и токопроводящими полупроводниковых каналами, обеспечивающей приборов на основе сокращение состава использования сборочных операций и многослойных формирование трехмерных кремниевых структур со структур (2013 год) сквозными токопроводящими каналами

86. Разработка технологии 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой производства _______ ______ ___ __ __ технологии производства гетероструктур SiGe 143 13 90 20 20 гетероструктур SiGe для для разработки выпуска сверхбольших быстродействующих интегральных схем с сверхбольших топологическими интегральных схем нормами с топологическими 0,25 - 0,18 мкм нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год)

87. Разработка технологии 46,745 28,745 18 создание технологии выращивания и ______ ______ __ выращивания и обработки обработки, в том числе 34 22 12 пьезоэлектрических плазмохимической, материалов новых акустоэлектроники и пьезоэлектрических акустооптики для материалов для обеспечения производства акустоэлектроники и широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)

88. Разработка технологий 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии производства ______ ______ __ __ ____ массового производства соединений А В 58 12 22 15 9 исходных материалов и 3 5 структур для и тройных структур перспективных приборов для: лазерной и производства оптоэлектронной техники, сверхмощных лазерных в том числе: диодов; производства сверхмощных высокоэффективных лазерных диодов светодиодов белого, (2010 год); зеленого, синего и высокоэффективных ультрафиолетового светодиодов белого, диапазонов; зеленого, синего и фотоприемников ультрафиолетового среднего инфракрасного диапазонов (2011 год); диапазона фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год)

89. Исследование и 45,21 30,31 14,9 создание технологии разработка технологии _____ _____ ____ производства получения 30 22 8 принципиально новых гетероструктур с материалов вертикальными полупроводниковой оптическими электроники на основе резонаторами на основе сложных композиций для квантовых ям и перспективных приборов квантовых точек для лазерной и производства оптоэлектронной техники вертикально излучающих (2009 год) лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

90. Разработка технологии 32,305 24,805 7,5 создание технологии производства ______ ______ ___ производства компонентов современных 17 12 5 для специализированных компонентов для электронно-лучевых специализированных (2010 год), фотоэлектронных электронно-оптических и приборов, в том числе: отклоняющих систем катодов и (2010 год), газо- стеклооболочек и деталей поглотителей; из электровакуумного электронно- стекла различных марок оптических (2011 год) и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

91. Разработка технологии 39,505 27,505 12 создание технологии производства особо ______ ______ __ производства особо тонких гетерированных 32 20 12 тонких гетерированных нанопримесями нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для высокоэффективных изготовления фотокатодов, высокоэффективных электронно-оптических фотокатодов преобразователей и электронно-оптических фотоэлектронных преобразователей и умножителей, фотоэлектронных приемников умножителей, приемников инфракрасного инфракрасного диапазона, диапазона и солнечных солнечных элементов и элементов с высокими других приложений значениями (2009 год) коэффициента полезного действия

92. Разработка базовой 42,013 24,013 18 создание технологии технологии ______ ______ __ монокристаллов AlN для производства 24 12 12 изготовления изолирующих монокристаллов AlN для и проводящих подложек изготовления для создания изолирующих и полупроводниковых проводящих подложек высокотемпературных и для гетероструктур мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)

93. Разработка базовой 44,599 29,694 14,905 создание базовой технологии ______ ______ ______ технологии вакуумно- производства 29,2 19,85 9,35 плотной наноструктурированных спецстойкой керамики из оксидов металлов нанокристаллических (корунда и т. п.) для порошков и нитридов производства металлов для вакуумно-плотной промышленного освоения нанокерамики, в том спецстойких приборов числе с заданными нового поколения оптическими свойствами (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники

94. Разработка базовой 25,006 22,006 3 создание технологии технологии ______ ______ _ производства полимерных производства 13 11 2 и композиционных полимерных и гибридных материалов с органо- использованием неорганических поверхностной и объемной наноструктурированных модификации полимеров защитных наноструктурированными материалов для наполнителями для электронных создания изделий с компонентов нового высокой механической, поколения прецизионных термической и и сверхвысоко- радиационной стойкостью частотных при работе в условиях резисторов, длительной эксплуатации терминаторов, и воздействии комплекса аттенюаторов и специальных внешних резисторно- факторов (2011 год) индукционноемкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов

95. Исследование и 1365,875 225 269 309 306,375 256,5 создание базовой разработка ________ ___ ___ ___ _______ _____ технологии производства перспективных 910,25 150 179 206 204,25 171 гетероструктур, структур гетероструктурных и и псевдоморфных структур наноструктурированных на подложках InP для материалов с перспективных экстремальными полупроводниковых характеристиками для приборов и перспективных сверхвысокочастотных электронных монолитных интегральных приборов и схем диапазона 60-90 ГГц радиоэлектронной (2012 год), создание аппаратуры технологии получения специального алмазных назначения полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)

96. Исследование и 1283,625 435 300 263,625 285 создание нового класса разработка ________ ___ ___ _______ ___ конструкционных и экологически 855,75 290 200 175,75 190 технологических чистых материалов и материалов для уровней методов их технологии 0,065 - 0,032 использования в мкм и обеспечения производстве высокого процента электронной выхода годных изделий, компонентной базы и экологических требований радиоаппаратуры, по международным включая бессвинцовые стандартам (2012 год, композиции для сборки 2015 год)

97. Разработка 1333,625 404 352,5 292,125 285 создание перспективных перспективных ________ ___ _____ _______ ___ технологий производства технологий получения 889,75 270 235 194,75 190 компонентов для ленточных материалов специализированных (полимерные, электронно-лучевых, металлические, электронно-оптических и плакированные отклоняющих систем, и другие) для стеклооболочек и деталей радиоэлектронной из электровакуумного аппаратуры и сборочных стекла различных марок операций электронной (2013 год), создание компонентной базы технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)

Всего по направлению 5 6345,799 621,754 658,169 365,251 717 1260 1035 862,125 826,5 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ____ _______ _____ 4150,82 407,85 431,6 177,62 478 840 690 574,75 551

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

98. Разработка технологии 30,928 18 12,928 разработка расширенного выпуска прецизионных ______ __ ______ ряда резонаторов с температуростабильных 20 12 8 повышенной высокочастотных кратковременной и до 1,5 - 2 ГГц долговременной резонаторов на стабильностью для поверхностно создания контрольной акустических волнах до аппаратуры и техники 1,5 ГГц с полосой связи двойного до 70 процентов назначения и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс

99. Разработка в 78,5 32 33 13,5 создание технологии и лицензируемых и ____ __ __ ____ конструкции нелицензируемых 45 14 22 9 акустоэлектронных международных пассивных и активных частотных диапазонах меток-транспондеров для 860 МГц и 2,45 ГГц применения в ряда радиочастотных логистических пассивных и активных приложениях на акустоэлектронных транспорте, в торговле и меток-транспондеров, промышленности в том числе работающих (2010 год, 2011 год) в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

100. Разработка базовой 30,5 17 13,5 создание технологии конструкции и ____ __ ____ проектирования и базовых промышленной 19,5 11 8,5 конструкций технологии пьезоэлектрических производства фильтров в пьезокерамических малогабаритных корпусах фильтров в корпусах для поверхностного для поверхностного монтажа при изготовлении монтажа техники связи массового применения (2009 год)

101. Разработка технологии 37,73 37,73 создание базовой проектирования, _____ _____ технологии базовой технологии 23 23 акустоэлектронных производства и приборов для конструирования перспективных систем акустоэлектронных связи, измерительной и устройств нового навигационной аппаратуры поколения и фильтров нового поколения - промежуточной частоты подвижных, спутниковых, с высокими тропосферных и характеристиками для радиорелейных линий современных систем связи, цифрового связи, включая интерактивного высокоизбирательные телевидения, высокочастотные радиоизмерительной устройства частотной аппаратуры, селекции на радиолокационных поверхностных и станций, спутниковых приповерхностных навигационных систем волнах и волнах (2008 год) Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

102. Разработка технологии 97,416 35,001 62,415 создание технологии проектирования и ______ ______ ______ производства базовой технологии 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной производства электронной компонентной функциональных базы типа "система в законченных устройств корпусе" для вновь стабилизации, селекции разрабатываемых и частоты и обработки модернизируемых сложных сигналов типа "система радиоэлектронных систем в корпусе" и комплексов (2010 год)

103. Разработка базовой 63 21 21 21 создание базовой конструкции и __ __ __ __ технологии (2013 год) и технологии 42 14 14 14 базовой конструкции изготовления микроминиатюрных высокочастотных высокодобротных фильтров резонаторов и фильтров для малогабаритной и на объемных носимой аппаратуры акустических волнах навигации и связи для телекоммуникационных и навигационных систем

104. Разработка технологии 35 35 создание нового и базовой конструкции __ __ поколения фоточувствительных 23 23 оптоэлектронных приборов приборов с матричными для обеспечения задач приемниками высокого предотвращения аварий и разрешения для контроля видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

105. Разработка базовой 35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии ______ ______ ____ технологии нового унифицированных 21,9 10 11,9 поколения приборов электронно- контроля тепловых полей оптических для задач преобразователей, теплоэнергетики, микроканальных медицины, поисковой и пластин, контрольной аппаратуры пироэлектрических на транспорте, матриц и камер на их продуктопроводах основе с и в охранных системах чувствительностью до (2009 год) 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

106. Разработка базовой 82 45 37 создание базовой технологии создания __ __ __ технологии (2008 год) и интегрированных 53 30 23 конструкции новых типов гибридных приборов, сочетающих фотоэлектронных фотоэлектронные и высокочувствительных твердотельные и высокоразрешающих технологии, с целью приборов и усилителей получения экстремально для задач космического достижимых характеристик мониторинга и для задач контроля и специальных систем наблюдения в системах наблюдения, двойного назначения научной и метрологической аппаратуры

107. Разработка базовых 96,537 48,136 48,401 создание базовой технологий мощных ______ ______ ______ технологии (2008 год) и полупроводниковых 64 30 34 конструкций лазерных диодов принципиально новых (непрерывного и мощных диодных лазеров, импульсного предназначенных для излучения), широкого применения в специализированных изделиях двойного лазерных назначения, медицины, полупроводниковых полиграфического диодов, фотодиодов и оборудования и системах лазерных открытой оптической волоконно- связи оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения

108. Разработка и освоение 56,5 16 30 10,5 разработка базового базовых технологий для ____ __ __ ____ комплекта основных лазерных 37 10 20 7 оптоэлектронных навигационных компонентов для приборов, включая лазерных гироскопов интегральный широкого применения оптический модуль (2010 год), создание лазерного гироскопа на комплекса технологий базе обработки и формирования сверхмалогабаритных структурных и приборных кольцевых элементов, оборудования полупроводниковых контроля и аттестации, лазеров инфракрасного обеспечивающих новый диапазона, уровень оптоэлектронные технико-экономических компоненты для показателей производства широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

109. Разработка базовых 22 22 создание базовой конструкций и __ __ технологии твердотельных технологий создания 15 15 чип-лазеров для лазерных квантово- дальномеров, электронных твердотельных лазеров с приемо- пикосекундными передающих длительностями импульсов модулей для для установок по малогабаритных прецизионной обработке лазерных дальномеров композитных материалов, нового поколения на для создания элементов и основе твердотельных изделий чип-лазеров с микромашиностроения и в полупроводниковой производстве электронной накачкой, компонентной базы нового технологических поколения, мощных лазерных установок лазеров для применения в широкого спектрального машиностроении, диапазона авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

110. Разработка базовых 66,305 56,27 10,035 создание технологии технологий ______ _____ ______ получения формирования 43 37 6 широкоапертурных конструктивных узлов и элементов на основе блоков для лазеров алюмоиттриевой нового поколения и легированной керамики технологии создания композитных составов для полного комплекта лазеров с диодной электронной накачкой (2008 год), компонентной базы для высокоэффективных производства лазерного преобразователей частоты устройства определения лазерного излучения, наличия опасных, организация взрывчатых, промышленного выпуска отравляющих и оптических изделий и наркотических веществ лазерных элементов в контролируемом широкой номенклатуры пространстве

111. Разработка базовых 35 17 18 разработка расширенной технологий, базовой __ __ __ серии низковольтных конструкции и 35 17 18 катодолюминесцентных и организация других дисплеев с производства широким диапазоном интегрированных эргономических катодолюминесцентных характеристик и свойств и других дисплеев по условиям применения двойного назначения со для информационных и встроенным контрольных систем микроэлектронным управлением

112. Разработка технологии 38,354 23,73 14,624 создание ряда и базовых конструкций ______ _____ ______ принципиально новых высокояркостных 29 16 13 светоизлучающих приборов светодиодов и с минимальными индикаторов основных геометрическими цветов свечения для размерами, высокой систем подсветки в надежностью и приборах нового устойчивостью к поколения механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения

113. Разработка базовой 100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии и _______ ______ _____ __ технологии производства конструкции 59 10 37 12 нового поколения оптоэлектронных оптоэлектронной приборов (оптроны, высокоэффективной оптореле, светодиоды) и надежной электронной в миниатюрных корпусах компонентной базы для для поверхностного промышленного монтажа оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)

114. Разработка 51,527 24 27,527 создание технологии схемотехнических ______ __ ______ новых классов носимой и решений и 33,5 16 17,5 стационарной аппаратуры, унифицированных экранов отображения базовых конструкций и информации коллективного технологий пользования повышенных формирования емкости и формата твердотельных (2009 год) видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой

115. Разработка базовой 57,304 31,723 25,581 создание технологии технологии ______ ______ ______ массового производства изготовления 37 20 17 солнечных элементов для высокоэффективных индивидуального и солнечных элементов на коллективного базе использования использования в кремния, полученного труднодоступных районах, по "бесхлоридной" развития солнечной технологии и энергетики в технологии "литого" жилищно-коммунальном кремния прямоугольного хозяйстве для сечения обеспечения задач энергосбережения (2009 год)

116. Разработка базовой 32 18 14 создание технологии технологии и освоение __ __ __ массового производства производства 19 12 7 нового класса оптоэлектронных оптоэлектронных реле с повышенными приборов для широкого техническими применения в характеристиками для радиоэлектронной поверхностного монтажа аппаратуре (2009 год)

117. Комплексное 136,7 50 63 23,7 создание базовой исследование _____ __ __ ____ технологии массового и разработка 71,8 22 34 15,8 производства экранов с технологий получения предельно низкой новых классов удельной стоимостью для органических информационных и (полимерных) обучающих систем люминофоров, пленочных (2010 год, 2011 год) транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"

118. Разработка базовых 145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и конструкций и _______ __ ______ ______ конструкции активно- технологии активных 100,5 30 8,5 62 матричных матриц и драйверов органических плоских экранов на электролюминесцентных, основе аморфных, жидкокристаллических и поликристаллических и катодолюминесцентных кристаллических дисплеев, стойких к кремниевых внешним специальным и интегральных структур климатическим на различных подложках воздействиям (2010 год) и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюми- несцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения

119. Разработка базовой 85,004 41,004 20 24 создание технологии и конструкции и ______ ______ __ __ базовых конструкций технологии 46 10 20 16 полноцветных крупноформатных газоразрядных полноцветных видеомодулей газоразрядных специального и двойного видеомодулей назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)

120. Разработка технологии 63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного сверхпрецизионных ______ ______ ______ ______ ряда сверхпрецизионных резисторов и гибридных 42 16 12 14 резисторов, гибридных интегральных схем интегральных схем цифроаналоговых и цифроаналоговых и аналого-цифровых аналого-цифровых преобразователей на их преобразователей с основе в параметрами, металлокерамических превышающими уровень корпусах для существующих аппаратуры двойного отечественных и назначения зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)

121. Разработка базовой 72 30 30 12 разработка расширенного технологии особо __ __ __ __ ряда сверхпрецизионных стабильных и особо 48 20 20 8 резисторов с повышенной точных резисторов удельной мощностью широкого диапазона рассеяния, номиналов, высоковольтных, прецизионных датчиков высокоомных резисторов тока для измерительной для измерительной и контрольной техники, приборов аппаратуры и освоение ночного видения и их производства аппаратуры контроля (2013 год)

122. Разработка технологии 149,019 10,5 18,519 24,75 45 50,25 создание базовой и базовых конструкций _______ ____ ______ _____ __ _____ технологии и конструкции резисторов и 100 7 13 16,5 30 33,5 резисторов с повышенными резистивных структур значениями стабильности, нового поколения для удельной мощности поверхностного в чип-исполнении на монтажа, в том числе основе многослойных резисторов с монолитных структур повышенными (2010 год, 2013 год) характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

123. Разработка технологий 46,93 36,001 10,929 создание базовой формирования _____ ______ ______ технологии производства интегрированных 30,95 24 6,95 датчиков на резистивных структур с резистивной основе с повышенными высокими техническими технико- характеристиками и эксплуатационными надежностью (2009 год) характеристиками на основе микро- структурированных материалов и методов групповой сборки

124. Создание групповой 59,011 30,006 29,005 создание технологии технологии ______ ______ ______ автоматизированного автоматизированного 39 20 19 производства чип- и производства микрочип-резисторов (в толстопленочных чип- и габаритах 0402, 0201 и микрочип-резисторов менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)

125. Разработка новых 126 24 27 75 создание базовой базовых технологий и ___ __ __ __ технологии производства конструктивных решений 83 16 17 50 конденсаторов с изготовления качественно улучшенными танталовых характеристиками с оксидно- электродами из полупроводниковых неблагородных и оксидно- металлов при сохранении электролитических высокого уровня конденсаторов и надежности (2010 год) чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

126. Разработка комплексной 29,801 22,277 7,524 создание базовых базовой технологии и ______ ______ _____ технологий конденсаторов организация 18 13 5 и ионисторов на основе производства полимерных материалов с конденсаторов с повышенным удельным органическим зарядом и энергоемких диэлектриком и накопительных повышенными удельными конденсаторов с характеристиками повышенной удельной и ионисторов с энергией (2009 год) повышенным током разряда

127. Разработка технологии, 94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и базовых конструкций ______ ____ ______ ____ базовых конструкций высоковольтных 62 15 26 21 нового поколения (быстродействующих, выключателей для мощных) вакуумных радиоэлектронной выключателей нового аппаратуры с повышенными поколения с тактико-техническими предельными характеристиками и характеристиками для надежностью (2011 год) радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы

128. Разработка технологий 50,599 24,803 25,796 создание технологии создания ______ ______ ______ изготовления газонаполненных 33,5 16,5 17 коммутирующих устройств высоковольтных для токовой коммутации высокочастотных цепей в широком коммутирующих диапазоне напряжений и устройств для токовой токов для коммутации цепей с радиоэлектронных и повышенными электротехнических техническими систем (2009 год) характеристиками

129. Разработка полного 26,5 26,5 создание технологии комплекта электронной ____ ____ выпуска устройств компонентной базы для 17,5 17,5 грозозащиты в создания модульного индивидуальном, устройства грозозащиты промышленном и зданий и сооружений с гражданском обеспечением строительстве, требований по строительстве международным пожароопасных объектов стандартам (2008 год)

130. Разработка базовых 55 46 9 создание базовой конструкций и __ __ _ технологии формирования технологий 37 31 6 высококачественных изготовления гальванических покрытий, малогабаритных технологии прецизионного переключателей с формирования изделий для повышенными сроками автоматизированных службы для печатного систем изготовления монтажа коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)

131. Комплексное 741,505 80,55 181 172,5 172,08 135,375 комплексное исследование исследование и _______ _____ ___ _____ ______ _______ и разработка технологий разработка пленочных 494,67 53,7 121 115 114,72 90,25 получения новых классов технологий органических изготовления светоизлучающих диодов высокоэкономичных (ОСИД), полимерной крупноформатных гибких пленочной основы и и особо плоских технологий изготовления экранов гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год)

132. Исследование 754,875 75 217,5 156,75 177,75 127,875 создание технологии перспективных _______ __ _____ ______ ______ _______ формирования нового конструкций и 503,25 50 145 104,5 118,5 85,25 поколения технологических оптоэлектронных принципов формирования комплексированных оптоэлектронных и приборов, обеспечивающих квантовых структур и создание "системы на приборов нового кристалле" с поколения оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год)

133. Разработка 796,05 255 247,5 171 122,55 создание перспективной перспективных ______ ___ _____ ___ ______ технологии массового технологий 530,7 170 165 114 81,7 производства солнечных промышленного элементов для изготовления солнечных индивидуального и высокоэффективных коллективного элементов использования (2015 год)

Всего по направлению 6 4478,414 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 660 520,83 385,8 ________ _______ _______ _______ _____ _____ ___ ______ _____ 2937,67 456 365,35 336,9 235 500 440 347,22 257,2

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134. Разработка базовых 4155,333 130,715 167,733 127,015 630 1058 707,55 671,2 663,12 создание на основе технологий создания ________ _______ _______ _______ ___ ____ ______ _____ ______ современной и рядов приемо- 2729,15 90,1 113,6 87,7 420 691 471,7 440,8 414,25 перспективной передающих отечественной унифицированных электронной компонентной электронных модулей элементной базы и для аппаратуры связи, последних достижений в радиолокации, разработке алгоритмов телекоммуникаций, сжатия бортовых видеоизображений радиотехнических приемо-передающих средств унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкций для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий

135. Разработка базовых 2971,904 91,404 159,155 101,29 465 797 706,8 307,83 343,425 создание на основе технологий создания ________ ______ _______ ______ ___ ___ _____ ______ _______ базовых технологий и нового класса 1971,1 61,1 104,9 56,4 310 540 471,2 198,55 228,95 современной унифицированных отечественной электронных модулей твердотельной для обработки компонентной электронной аналоговых и цифровых базы унифицированных сигналов на основе электронных модулей устройств нового поколения для функциональной обработки аналоговых и электроники, приборов цифровых сигналов РЛС и обработки сигналов других радиотехнических аналого-цифровых и систем в цифроаналоговых высокочастотных, преобразователей, ПЧ и сенсоров и сверхвысокочастотных преобразователей диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем

136. Разработка базовых 1616,67 47,185 77,477 63,783 285 453 247,5 207,45 235,275 создание рядов технологий создания _______ ______ ______ ______ ___ ___ _____ ______ _______ унифицированных рядов унифицированных 1080,4 32,5 42,2 45,55 190 313 162 138,3 156,85 электронных модулей для электронных модулей систем телеметрии, для систем телеметрии, управления, управления, навигации радиолокационных, (угловых и линейных робототехнических, перемещений, телекоммуникационных ориентации, систем и стабилизации, навигации (ориентации, позиционирования, стабилизации, наведения, позиционирования, радиопеленгации, наведения, единого времени) радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения

137. Разработка базовых 3031,173 60,024 89,053 63,082 540 977 447 440,35 414,664 создание на основе технологий создания ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ______ _______ современной и рядов унифицированных 2012,89 40 53,5 42,04 360 658 296 286,9 276,45 перспективной электронных модулей отечественной процессоров, электронной компонентной скоростного и базы унифицированных сверхскоростного электронных модулей ввода-вывода данных, широкой номенклатуры для шифрования и применения в различных дешифрования данных, информационных системах, интерфейсов в том числе обмена, систем сбора и унифицированных хранения информации, электронных модулей периферийных шифрования и устройств, систем дешифрования данных; идентификации и разработка базовых управления доступом, технологий и конструкций конверторов, унифицированных информационно- электронных модулей на вычислительных поверхностных систем акустических волнах систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с

138. Разработка базовых 1823,4 49,076 64,824 81,236 270 437 500,9 212,314 208,05 разработка на основе технологий создания _______ ______ ______ ______ ___ ___ _____ _______ ______ перспективных рядов унифицированных 1215,25 32,7 43,2 46,5 180 303 329,6 141,55 138,7 отечественных электронных цифровых сверхбольших модулей для интегральных схем типа перспективных "система на кристалле" магистрально- базового ряда модульных электронных модулей для архитектур создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

139. Разработка базовых 2048,692 72,091 92,753 61,381 330 536 312,9 328,079 315,488 создание на основе технологий создания ________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ _______ _______ современной и ряда унифицированных 1359,844 35,5 61,9 40,8 220 364 208,6 218,719 210,325 перспективной электронных модулей отечественной для контрольно- электронной компонентной измерительной, базы рядов метрологической и унифицированных поверочной аппаратуры, электронных модулей, аппаратуры тестового обеспечивающих контроля, диагностики возможность создания по блоков модульному принципу радиоэлектронной контрольно-измерительной, аппаратуры, для метрологической и стандартных и поверочной аппаратуры, встроенных систем аппаратуры тестового контроля и измерений контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций; создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений

140. Разработка базовых 2932,565 58,5 95,178 91,262 480 860 421,05 523,45 403,125 разработка базовых технологий создания ________ ____ ______ ______ ___ ___ ______ ______ _______ технологий создания нового поколения 1943,75 41 62 55 320 574 280,7 342,3 268,75 системообразующих унифицированных рядов унифицированных рядов средств электропитания средств (систем, и преобразователей источников, сервисных электроэнергии для устройств) и радиоэлектронных преобразователей систем и аппаратуры электроэнергии нового гражданского и поколения межвидового и двойного назначения межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров

141. Разработка 2924,13 43 84,225 90 525 920 424 431,775 406,13 разработка системы оптимизированной _______ __ ______ __ ___ ___ ___ _______ ______ базовых несущих системы базовых 1955,1 28 54,5 57 350 612 295 287,85 270,75 конструкций, несущих конструкций изготавливаемых на первого, второго и основе прогрессивных третьего уровней для технологий и наземной, морской, обеспечивающих авиационной и техническую космической совместимость со всеми радиоэлектронной видами современных аппаратуры объектов с специального и использованием новых двойного назначения, полимерных материалов. предназначенной для Применение жестких условий оптимизированных базовых эксплуатации, в том несущих конструкций числе работающей в позволит сократить сроки негерметизированном разработки отсеке с радиоэлектронной использованием аппаратуры в 1,2 раза, прогрессивных снизить трудоемкость технологий изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение

142. Разработка базовых 2345,464 46,16 66,651 60,078 285 482 403,8 511,575 490,2 разработка базовых технологий комплексно- ________ _____ ______ ______ ___ ___ _____ _______ _____ несущих конструкций с интегрированных 1566,73 33 45,3 41,38 190 320 269,2 341,05 326,8 функциями контроля, в базовых несущих том числе контроля конструкций с температуры, влажности, функциями контроля, задымления в корпусах диагностики, индикации радиоэлектронной функционирования аппаратуры, уровня вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры

143. Разработка базовых 1206,093 30,618 34,2 38 210 362 185 171 175,275 обеспечение улучшения технологий создания ________ ______ ____ __ ___ ___ ___ ___ _______ массогабаритных облегченных 801,05 20 22,2 24 140 240 124 114 116,85 характеристик паяных базовых несущих бортовой аппаратуры на конструкций для 30 процентов и повышение радиоэлектронной прочности при внешних аппаратуры воздействиях в авиационного и 1,5 - 2 раза космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции

144. Разработка 965,425 21 32,4 38 180 275 144 139,65 135,375 повышение уровня контейнерных базовых _______ __ ____ __ ___ ___ ___ ______ _______ системной интеграции и несущих конструкций с 637,75 14 20,4 24 120 180 96 93,1 90,25 комплексирования средств унифицированными и систем, повышение интерфейсными конкурентоспособности средствами для не менее чем в 2 раза, комплексирования обеспечение бортовых и наземных функционирования систем аппаратуры в условиях и комплексов внешних жестких различного назначения воздействий

Всего по направлению 7 26020,849 649,773 963,649 815,127 4200 7157 4500,5 3944,673 3790,127 _________ _______ _______ _______ ____ ____ ______ ________ ________ 17273,014 427,9 623,7 520,37 2800 4795 3004 2603,119 2498,925

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

145. Разработка технологии 2826,375 45 75,057 66,568 555 848 407,4 434,625 394,725 обеспечение разработки изготовления ________ __ ______ ______ ___ ___ _____ _______ _______ технологий: высокоплотных 1893,5 30 50 44 370 575 271,6 289,75 263,15 производства печатных теплонагруженных и плат 5-го и выше классов сильноточных печатных точности, включая платы плат со встроенными пассивными элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий

146. Разработка технологии 1829,852 35,733 52,195 49,124 360 545 271,95 260,775 255,075 обеспечение разработки изготовления ________ ______ ______ ______ ___ ___ ______ _______ _______ технологий: прецизионных 1221,5 25 35 33,3 240 363 181,3 173,85 170,05 изготовления коммутационных плат на коммутационных плат для основе керамики (в том жестких условий числе низкотемпера- эксплуатации и широкого турной), металла, диапазона частот; углепластика и других получения коммутационных функциональных плат с температурным материалов коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате

147. Разработка технологий 3385,67 65,121 107,805 67,219 615 1033 547,05 503,025 447,45 обеспечение разработки сборки, монтажа _______ ______ _______ ______ ___ ____ ______ _______ ______ технологий: электронных модулей, 2247,95 43 63 44,6 410 689 364,7 335,35 298,3 новых методов многокристальных присоединения, сварки, модулей и микросборок пайки, в том числе с на основе новой применением бессвинцовых компонентной базы, припоев; перспективных высокоточного технологических и дозирования материалов, конструкционных применяемых при сборке материалов (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т. п.); новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты

148. Разработка технологии 1295,545 29 36,5 36,5 225 382 206,07 198,075 182,4 обеспечение разработки создания межблочных ________ __ ____ ____ ___ ___ ______ _______ _____ технологий: соединений для 863,03 19 24 24 150 255 137,38 132,05 121,6 изготовления антенно- коммутации сигналов в фидерных широком диапазоне устройств, в том числе частот и мощностей гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения; оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т. п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других

149. Разработка методов, 2125,767 35,154 61,38 47,258 225 382 379,05 472,875 523,05 повышение процента средств и технологии ________ ______ _____ ______ ___ ___ ______ _______ ______ выхода годных изделий, автоматизированного 1417,15 23 41 31,5 150 255 252,7 315,25 348,7 снижение потерь контроля на 15-30 процентов; коммутационных плат, обеспечение разработки: узлов, электронных неразрушающих методов модулей и приборов контроля качества специального и общего монтажных соединений и применения на этапах многослойных структур за разработки и счет использования производства различного излучения и цифровой обработки информации; методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения

150. Разработка технологии 3359,151 57,178 81,504 73,524 600 1037 535,35 511,47 463,125 импортозамещение производства ________ ______ ______ ______ ___ ____ ______ ______ _______ специальных специальных 2196,17 36 53,15 48,97 400 658 356,9 334,4 308,75 конструкционных и технологических и технологических конструкционных материалов, материалов и базовой обеспечивающих процессы технологии защиты бессвинцовой и электронных модулей от комбинированной пайки, воздействия в жестких изготовления условиях эксплуатации коммутационных плат, разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий: локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5-10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей

Всего по направлению 8 14822,36 267,186 414,441 340,193 2580 4227 2346,87 2380,845 2265,825 ________ _______ _______ _______ ____ ____ _______ ________ ________ 9839,3 176 266,15 226,37 1720 2795 1564,58 1580,65 1510,55

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151. Разработка технологий 2578,29 60,032 89,083 81,4 435 887 348,9 342 334,875 создание технологий создания систем и _______ ______ ______ ____ ___ ___ _____ ___ _______ отечественного оборудования 1714,85 40 59 52 290 590 232,6 228 223,25 программно-аппаратного автоматизации обеспечения и средств проектирования разработки для радиоэлектронных автоматизированного систем и комплексов проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов, повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры

152. Разработка технологий 3056,819 75,3 138,5 80,194 525 1055 429 384,75 369,075 создание новых способов моделирования сложных ________ ____ _____ ______ ___ ____ ___ ______ _______ моделирования: информационно- 2026,45 49,8 80 53,1 350 705 286 256,5 246,05 комбинированного способа управляющих моделирования, систем, в том позволяющего числе систем реального существенным образом времени повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности; способа операционно- динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов

153. Разработка технологий 2397,233 45,054 70,65 75,029 405 975 285 270,75 270,75 создание метрологически полунатурных и ________ ______ _____ ______ ___ ___ ___ ______ ______ аттестованной стендовых испытаний 1596,65 30 45,65 50 270 650 190 180,5 180,5 унифицированной сложных стендовой испытательной информационно- базы для проведения управляющих систем научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ; снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний

154. Разработка технологии 2231,71 45,05 73,65 68,96 375 907 269 256,5 236,55 разработка базовых конструирования и _______ _____ _____ _____ ___ ___ ___ _____ ______ технологий, элементов и производства, а также 1485,31 30 48,65 43,96 250 605 179 171 157,7 конструкций для создания аппаратно- парка измерительных программного систем и приборов, обеспечения необходимых для метрологических систем разработки и испытаний различного назначения радиотехнических для создания нового информационно-управляющих поколения систем, систем связи и отечественного парка телекоммуникаций измерительной аппаратуры

Всего по направлению 9 10264,052 225,436 371,883 305,583 1740 3824 1331,9 1254 1211,25 _________ _______ _______ _______ ____ ____ ______ ____ _______ 6823,26 149,8 233,3 199,06 1160 2550 887,6 836 807,5

Направление 10. Обеспечивающие работы

155. Разработка 90,6 9 6 7 10 18 14 13,3 13,3 разработка комплекта организационных ____ _ _ _ __ __ __ ____ ____ методической и принципов и 87,6 6 6 7 10 18 14 13,3 13,3 научно-технической научно-технической документации для базы обеспечения обеспечения проектирования и функционирования систем производства проектирования и электронной производства электронной компонентной базы в компонентной базы в соответствии с соответствии с требованиями Всемирной требованиями Всемирной торговой организации торговой организации

156. Создание и обеспечение 123,9 16,3 20 13 19 18 11 13,3 13,3 разработка новых и функционирования _____ ____ __ __ __ __ __ ____ ____ совершенствование системы испытаний 120,6 13 20 13 19 18 11 13,3 13,3 существующих методов электронной испытаний электронной компонентной базы, компонентной базы, обеспечивающей разработка методов поставку изделий с отбраковочных испытаний гарантированной перспективной надежностью для электронной компонентной комплектации систем базы, обеспечение специального и поставки изделий с двойного назначения гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

157. Разработка и 94,55 8,5 12 9 11 18 10,4 13,3 12,35 разработка и совершенствование _____ ___ __ _ __ __ ____ ____ _____ систематизация методов методов, 93,05 7 12 9 11 18 10,4 13,3 12,35 расчетно-экспериментальной обеспечивающих оценки показателей качество и надежность надежности сложнофункциональной электронной компонентной электронной базы, разрешенной для компонентной базы на применения в аппаратуре, этапах функционирующей в опытно-конструкторских специальных условиях и с работ, освоения и длительными сроками производства активного существования

158. Создание и внедрение 93,15 10 14,5 10 18 15 13,3 12,35 разработка системы основополагающих _____ __ ____ __ __ __ ____ _____ технологий обеспечения документов по 84,65 7 9 10 18 15 13,3 12,35 жизненного цикла изделия обеспечению жизненного при создании широкой цикла изделия на номенклатуры электронной этапах проектирования, компонентной базы производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

159. Научное сопровождение 131,65 19 25 15 19 18 10 13,3 12,35 оптимизация состава Программы, в том числе ______ __ __ __ __ __ __ ____ _____ выполняемых комплексов определение 120,65 13 20 15 19 18 10 13,3 12,35 научно-исследовательских технологического и и опытно-конструкторских технического уровней работ по развитию развития отечественной электронной компонентной и импортной базы в рамках Программы электронной и определение компонентной базы на перспективных основе их рубежных направлений создания технико-экономических новых классов показателей, электронной компонентной разработка "маршрутных базы с установлением карт" системы развития групп технико-экономических и электронной рубежных технологических компонентной базы показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы

160. Создание 101,15 11 14,5 9 10 18 13 13,3 12,35 проведение интегрированной ______ __ ____ _ __ __ __ ____ _____ технико-экономической информационно- 94,65 7 12 9 10 18 13 13,3 12,35 оптимизации выполнения аналитической комплексных годовых автоматизированной мероприятий системы по развитию подпрограммы, создание электронной системы действенного компонентной базы, финансового и охватывающей технического контроля деятельность выполнения Программы заказчика- координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико- экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

161. Определение перспектив 96,65 11 13 8 8 18 13 13,3 12,35 формирование развития российской _____ __ __ _ _ __ __ ____ _____ системно-ориентированных электронной 89,65 7 10 8 8 18 13 13,3 12,35 материалов по экономике, компонентной базы на технологиям основе анализа проектирования и динамики сегментов производству электронной мирового и компонентной базы, отечественного рынков обобщение и анализ радиоэлектронной мирового опыта для продукции и выработки технически и действующей экономически производственно- обоснованных решений технологической развития электронной базы компонентной базы

162. Системный анализ 73 11 13 8 7 14 6,7 6,65 6,65 создание отраслевой результатов выполнения __ __ __ _ _ __ ___ ____ ____ системы учета и комплекса мероприятий 68 8 11 8 7 14 6,7 6,65 6,65 планирования развития Программы на основе разработки, производства создания отраслевой и применения электронной системы планирования и компонентной базы учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям

Всего по направлению 10 804,65 95,8 118 69 94 140 93,1 99,75 95 ______ ____ ___ __ __ ___ ____ _____ __ 758,85 68 100 69 94 140 93,1 99,75 95

Итого по разделу I 94901,655 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12706,209 11658,75 _________ ________ ________ ________ _____ ________ ________ _________ ________ 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5

------------------------------|-----------|--------------------------------------------------------------------------------|------|----------|------------------------ |2008-2015 | В том числе |сроки | Площадь | Ожидаемые результаты | годы - | | реа- | объекта | | всего |---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------|лиза- | | | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | ции | | | | год | год | год | год | год | год | год | год | | | ------------------------------|-----------|---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------|------|----------|------------------------

II. Капитальные вложения

Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

163. Реконструкция и 77744,5 357 191,5 196 2008- 5293 создание техническое _______ ___ _____ ___ 2010 производственно- перевооружение 66696,5 315 191,5 190 технологического производства комплекса по сверхвысокочастотной выпуску техники федерального твердотельных государственного сверхвысокочастотных унитарного субмодулей предприятия мощностью "Научно- 100 тыс. штук производственное в год предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область

164. Реконструкция и 815,5 124,5 170,5 100,5 420 2008- 3424,4 создание техническое _____ _____ _____ _____ ___ 2011 производственной перевооружение 580,5 110 170,5 90 210 технологической федерального линии государственного по выпуску унитарного сверхвысокочастотных предприятия приборов и "Научно- модулей на производственное широкозонных предприятие полупроводниках "Пульсар", г. Москва мощностью 360 тыс. штук в год

165. Реконструкция и 233 53 180 2010- 3380 расширение техническое ____ __ ___ 2011 мощностей перевооружение 140* 50 90 по производству федерального активных государственного элементов и унитарного сверхвысокочастотных предприятия монолитных "Научно- интегральных схем производственное с повышенной предприятие радиационной "Салют", г. Нижний стойкостью с 15 Новгород до 35 тыс. штук в год**

166. Техническое 193,6 93,6 100 2010- 3058,73 ввод новых перевооружение _____ ____ ___ 2011 мощностей по федерального 140* 90 50 производству государственного новейших образцов унитарного ламп бегущей предприятия волны и других "Научно- сверхвысокочастотных производственное приборов, в предприятие том числе в "Алмаз", г. Саратов миллиметровом диапазоне**

167. Реконструкция и 348,8 78,8 270 2010- 1438 реконструкция техническое _____ ____ ___ 2011 производственной перевооружение 200* 65 135 линии по выпуску федерального новых сверхмощных государственного сверхвысокочастотных унитарного приборов с предприятия повышенным "Научно- уровнем производственное технических предприятие параметров, "Торий", г. Москва надежности и долговечности мощностью 88 штук в год**

168. Техническое 100 40 60 2010- 1380 реконструкция перевооружение ___ __ __ 2011 производственной федерального 60* 30 30 линии для выпуска государственного новых изделий унитарного радиационно предприятия стойкой "Новосибирский завод электронной полупроводниковых компонентной приборов с ОКБ", базы, необходимой г. Новосибирск для организаций Госкорпорации "Росатом" и Роскосмоса**

169. Техническое 133 53 80 2010- 1973 создание перевооружение ___ __ __ 2011 производственных федерального 90* 50 40 мощностей по государственного выпуску унитарного радиационно предприятия стойкой "Научно- электронной производственное компонентной базы предприятие "Восток", в количестве г. Новосибирск 80-100 тыс. шт. в год для комплектования важнейших специальных систем**

170. Техническое 1520 500 380 320 320 2012- 5240 техническое перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 перевооружение открытого 760* 250 190 160 160 завода для акционерного общества выпуска "НИИ молекулярной сверхбольших электроники и завод интегральных схем "Микрон", г. Москва, с топологическими г. Зеленоград нормами 0,18 мкм**

171. Техническое 240 49,2 190,8 2010- 2411 организация перевооружение ____ ____ _____ 2011 участка федерального 120* 24,6 95,4 прецизионной государственного оптической и унитарного механической предприятия "Научно- обработки деталей исследовательский для лазерных институт "Полюс" излучателей, им. М.Ф.Стельмаха, твердотельных г. Москва лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения мощностью 442 штуки в год**

172. Техническое 420 315 105 2014- 1000*** современный перевооружение с ____ _____ ____ 2015 технологический целью создания 210* 157,5 52,5 комплекс современного малотоннажного малотоннажного производства производства специальных специальных конструкционных конструкционных материалов и материалов и сплавов сплавов для для изделий изделий полупроводниковой и СВЧ-электроники электровакуумной (сплавы и СВЧ-электроники на псевдосплавы федеральном меди, молибдена, государственном вольфрама, унитарном предприятии специальные "Научно- термостойкие производственное клеи, компаунды, предприятие ферритовые "Исток", г. Фрязино, материалы, припои Московская область на основе олова, золота, индия) до 500 млн. рублей в год**

173. Реконструкция и 166,2 166,2 2009 7630,4 обеспечение техническое _____ _____ потребности в перевооружение 150* 150 базовых несущих централизованного конструкциях, в производства базовых том числе несущих конструкций импортозамещающих, на федеральном предприятий государственном приборостроения, унитарном предприятии машиностроения, "Производственное судостроения объединение "Квант", и других отраслей г. Великий Новгород промышленности**

174. Техническое 62 62 2009 2404,6 техническое перевооружение ___ __ перевооружение федерального 60* 60 действующего государственного производства унитарного электронной предприятия компонентной базы "Научно- и микро- исследовательский системотехники институт для создания электронно- новых рядов механических конкурентоспособных приборов", изделий г. Пенза электронной техники**

175. Техническое 60,1 60,1 2008 120 техническое перевооружение ____ ____ перевооружение федерального 30 30 действующих государственного производственных унитарного мощностей по предприятия выпуску "Научно- сверхбольших исследовательский интегральных схем институт и мощных электронной техники", сверхвысокочастотных г. Воронеж транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год **

176. Техническое 160 160 2012 700 организация перевооружение ___ ___ серийного федерального 80* 80 производства государственного параметрических унитарного рядов мембранных предприятия датчиков "Научно- мощностью исследовательский 10 млн. штук институт в год и физических проблем чувствительных им. Ф.В.Лукина", элементов для г. Москва сканирующей зондовой микроскопии мощностью 0,3 млн. штук в год**

177. Реконструкция и 793,22 64 180 490 59,22 2010- 12900 расширение техническое _______ __ ___ ___ _____ 2013 производства перевооружение 396,61* 32 90 245 29,61 перспективных производства тонкостенных перспективных антенно-фидерных тонкостенных устройств и антенно- волноводных фидерных трактов устройств и сверхвысоко- волноводных трактов частотного диапазона, сверхвысокочастотного увеличение диапазона в открытом выпуска в акционерном обществе 1,5 раза** "Рыбинский завод мощностью приборостроения", 44,76 тыс. штук г. Рыбинск, в год Ярославская область

178. Техническое 120 40 80 2013- 900*** информационно- перевооружение в ___ __ __ 2014 аналитическое целях создания 60* 20 40 обеспечение отраслевого деятельности информационно- организаций аналитического центра радиоэлектронной в открытом акционерном промышленности** обществе "Центральный научно- исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника", г. Москва

179. Техническое 1663,86 1460 203,86 2012- 2226 повышение перевооружение _______ ____ ______ 2013 эффективности, и реконструкция 831,93* 730 101,93 надежности и производства конкуренто- и лабораторной базы способности для разработки и отечественных производства радиоэлектронных перспективных модулей, изделий, радиоэлектронных комплексов модулей, изделий в и систем открытом акционерном открытого обществе "Концерн акционерного радиостроения "Вега", общества "Концерн г. Москва радиостроения "Вега"**

180. Техническое 540 200 340 2013- 3000*** разработка и перевооружение ___ ___ ___ 2014 внедрение в целях создания 270 100 170 современных отраслевого технологий информационно- проектирования аналитического радиоэлектронных центра по производств проектированию на базе радиоэлектронных прогрессивных производств аппаратно- в открытом программных средств акционерном обществе автоматизированного "Мосэлектрон- проектирования, в проект", основе которых г. Москва лежит информационное моделирование зданий**

181. Техническое 297,66 47,66 110 140 2009- 2456,4 создание перевооружение для _______ _____ ___ ___ 2011 комплексного создания производства 148,66* 23,66 55 70 испытательного нового поколения стенда для радиоэлектронных исследования модулей в открытом образцов техники акционерном обществе мощностью "Научно- 800 штук в год** производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

182. Техническое 379,9 25,9 70 80 60 72 72 2010- 996,3 производство перевооружение _____ ____ __ __ __ __ __ 2015 систем производственно- 200* 23 35 40 30 36 36 радиочастотной технологической, идентификации ** контрольно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно- маркетинговый центр Концерна "Вега", г. Москва

183. Строительство 3200 1080 1060 1060 2013- 15000*** создание нового лабораторно- _____ ____ ____ ____ 2015 высокотехнологичного производственного 1600* 540 530 530 лабораторно- комплекса производственного по выпуску комплекса перспективных для выпуска многофункциональных многофункциональных электронных модулей в радиоэлек- открытом акционерном тронных узлов, обществе "Концерн блоков и приборов радиостроения "Вега", на основе СнК, г. Москва МИС, встраиваемых пассивных компонентов и технологий высокоплотного монтажа. Обеспечение разработки и выпуска конкуренто- способных изделий, комплексов и систем следующего поколения на основе перспективных производственных технологий, в том числе модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных навигационных и посадочных систем, антенных систем дистанционного зондирования Земли, микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок**

184. Реконструкция и 1720 500 480 370 370 2012- 10735 изготовление техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 гироскопов для перевооружение 860 250 240 185 185 перспективных в целях создания летательных специализированного аппаратов** производства гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика

185. Техническое 1220 380 360 240 240 2012- 4287 изготовление перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных и реконструкция 610* 190 180 120 120 твердотельных специализированного низкочастотных производства типовых элементов унифицированных замены для низкочастотных информационных типовых элементов средств и модулей замены и модулей активных активных фазированных фазированных антенных решеток в антенных решеток открытом акционерном для локационных обществе "Марийский систем различного машиностроительный применения, завод", перспективных г. Йошкар-Ола, средств связи и Республика Марий Эл управления воздушным движением**

186. Реконструкция и 699,82 140 380 179,82 2011- 9582 организация техническое _______ ___ ___ ______ 2013 производства перевооружение 349,91* 70 190 89,91 и внедрение производства современной унифицированных технологии с электронных модулей соответствующим межвидового переоснащением применения высокопроизво- на открытом дительным акционерном обществе оборудованием, "Федеральный увеличение объема научно- ежегодного производственный производства центр продукции с "Нижегородский 2370 млн. рублей научно- в 2007 году до исследовательский 5028 млн. рублей институт в 2015 году** радиотехники", г. Нижний Новгород

187. Техническое 970 240 277,62 240 106,19 106,19 2011- 8442,7 увеличение перевооружение ____ ___ ______ ___ ______ ______ 2015 объемов специализированного 485* 120 138,81 120 53,095 53,095 производства, производства повышение твердотельных качества и передающих и надежности приемных систем, твердотельных приемо- передающих передающих модулей и приемных активных систем, фазированных антенных приемо-передающих решеток в открытом модулей активных акционерном обществе фазированных "Научно- антенных решеток производственное L-диапазона для объединение перспективных "Правдинский средств связи и радиозавод", управления г. Балахна, воздушным Нижегородская область движением**

188. Техническое 1230 360 330 270 270 2012- 6435 увеличение перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 объемов реконструкция 615* 180 165 135 135 производства, специализированного повышение производства качества и твердотельных надежности передающих и приемных твердотельных систем, приемо- передающих передающих модулей и приемных активных фазированных систем, приемо- антенных решеток в передающих открытом акционерном модулей активных обществе "Научно- фазированных производственное антенных решеток объединение С- и S-диапазонов "Лианозовский волн для электромеханический перспективных завод", г. Москва средств связи и управления воздушным движением**

189. Техническое 800 240 200 180 180 2012- 2425 изготовление перевооружение ___ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных и реконструкция 400 120 100 90 90 твердотельных специализированного высокочастотных производства типовых элементов унифицированных замены для высокочастотных локационных типовых элементов систем различного замены в открытом применения, акционерном обществе перспективных завод "Красное средств связи и знамя", г. Рязань управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены на 50 процентов**

190. Техническое 960 260 240 230 230 2012- 3300 увеличение перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 выпуска и реконструкция 480* 130 120 115 115 унифицированных специализированного автоматизированных производства рабочих мест унифицированных операторов рабочих мест информационных и операторов специального информационных систем назначения в открытом управляющих акционерном обществе систем в "Уральское 1,7 раза** производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург

191. Реконструкция 883,70 797,62 86,08 2012- 1290 внедрение и техническое _______ ______ _____ 2013 современных перевооружение для 441,85* 398,81 43,04 технологий с создания соответствующим регионального переоснащением контрактного высоко- производства производительным унифицированных оборудованием для электронных модулей в организации открытом акционерном контрактного обществе "Концерн производства** "Созвездие", г. Воронеж

192. Создание 2060 640 560 430 430 2012- 3112 создание лабораторной, _____ ___ ___ ___ ___ 2015 конкурентоспособной технологической и 1030* 320 280 215 215 продукции производственной базы мирового уровня, для обеспечения освоение разработки, технологий производства и двойного испытаний нового назначения, поколения увеличение объема телекоммуникационных выпуска изделий систем и комплексов в до 2 - 2,5 млрд. открытом акционерном рублей в год** обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

193. Открытое акционерное общество "Калужский электромеханический завод", г. Калуга

Реконструкция и 194,6 194,6 2012 620 создание техническое _____ _____ мощностей по перевооружение 97,3* 97,3 изготовлению производственно- спецтехники технологической и нового поколения, лабораторно- обеспечивающей испытательной защиту базы на специальной федеральном информации государственном в информационно- унитарном предприятии коммуникационных "Калужский системах** электромеханический завод", г. Калуга

194. Техническое 570 110 460 2011- 3156 увеличение объема перевооружение ____ ___ ___ 2012 выпуска продукции производства 285* 55 230 в 1,3 - 1,5 раза, перспективных повышение коротковолновых качества и радиостанций конкуренто- в открытом способности акционерном обществе продукции** "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов

195. Реконструкция 350 90 80 90 90 2012- 1390 модернизация и техническое ____ __ __ __ __ 2015 производства перевооружение 175* 45 40 45 45 и внедрение производства наземной современной аппаратуры подвижной технологии с связи в открытом соответствующим акционерном обществе переоснащением "Тамбовский завод высоко- "Революционный труд", производительного г. Тамбов оборудования**

196. Техническое 573,08 200 280 93,08 2011- 2332,2 ускорение и перевооружение _______ ___ ___ _____ 2013 повышение производственно- 286,54* 100 140 46,54 качества технологической разработки и лабораторно- мультисервисных испытательной базы в сетей открытом акционерном ведомственной и обществе профессиональной "Воронежский связи, научно- ожидаемый исследовательский экономический институт "Вега", эффект 3 млрд. г. Воронеж рублей**

197. Техническое 220 220 2011 7500 ускорение и перевооружение ____ ___ повышение лабораторной и 110* 110 качества производственно- разработки технологической базы перспективных нового поколения программно узлов связи в реализуемых сетей открытом акционерном радиосвязи обществе "Тамбовский и серии научно- унифицированных исследовательский электронных институт модулей для радиотехники "Эфир", построения г. Тамбов указанных сетей**

198. Техническое 915,4 325 360 124,32 106,08 2012- 1511,3 создание новых перевооружение ______ _____ ___ ______ ______ 2015 производственных производства 457,7* 162,5 180 62,16 53,04 мощностей открытого для выпуска акционерного общества перспективной "Российская номенклатуры электроника", резисторов, в том г. Москва числе чип- резисторов в объеме 1 млрд. рублей в год**

199. Техническое 720 720 2015 1000*** производственный перевооружение ____ ____ комплекс по с целью создания 360* 360* серийному выпуску промышленного сложнофункциональных производства сверхвысокочастотных сложнофункциональных комплексированных сверхвысокочастотных устройств, комплексированных электронных устройств, модулей и блоков электронных модулей и бортовой блоков бортовой аппаратуры, аппаратуры на включая федеральном синтезаторы государственном частот, унитарном предприятии приемо-передающие "Научно- моноблоки, производственное комплексированные предприятие приемно- "Исток", г. Фрязино, усилительные, Московская область приемно- преобразовательные и передающие устройства с объемом производства до 750 комплектов блоков в год**

200. Техническое 161,5 91,5 70 2009- 2786 увеличение перевооружение ______ ____ __ 2010 объемов с целью создания 136,5* 76,5 60 производства производства новых в 1,5 раза** электровакуумных мощностью приборов в открытом 4327 штук в год акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Контакт", г. Саратов

201. Техническое 178,375 50,200 70,675 57,5 2008- 2015 обеспечение перевооружение _______ ______ ______ ____ 2010 увеличения объема и реконструкция 150* 50 50 50 выпуска продукции производства до 0,8 - 1,2 млрд. по выпуску рублей в год, электровакуумных увеличения приборов ресурса изделий, сверхвысокочастотного создания новых диапазона и приборов** специального мощностью технологического 706 штук в год оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва

202. Техническое 778,62 662,38 116,24 2012- 3081,3 создание перевооружение для _______ ______ ______ 2013 сборочного создания сборочного 389,31* 331,19 58,12 производства с производства использованием электронных модулей с микроминиатюрной использованием элементной базы, новейшей электронной в том числе базы на федеральном микропроцессоров государственном и матриц BGA** унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область

203. Открытое акционерное общество "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга

Реконструкция 420 140 100 90 90 2012- 2156 увеличение объема и техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 выпуска продукции перевооружение 210* 70 50 45 45 до 520 млн. с целью создания рублей в год** контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга

204. Открытое акционерное общество "Таганрогский научно- исследовательский институт связи", г. Таганрог, Ростовская область

Техническое 302 80 70 76 76 2012- 1560 внедрение перевооружение ____ __ __ __ __ 2015 современных и реконструкция 151* 40 35 38 38 технологий, производства и создание приборно- комплекса для измерительной базы на проведения федеральном контроля государственном технологических унитарном предприятии параметров "Таганрогский научно- и испытаний. исследовательский Увеличение объема институт связи", выпуска продукции г. Таганрог, в 1,5 раза** Ростовская область

205. Техническое 280,24 155 125,24 2012- 3086 производство перевооружение _______ ____ ______ 2013 полного и реконструкция 140,12* 77,5 62,62 функционального производства ряда массовых испытательной базы отечественных нового поколения микроминиатюрных пьезоэлектрических пьезоэлектрических генераторов, генераторов, фильтров, резонаторов фильтров, в открытом резонаторов. акционерном обществе Увеличение объема "Завод "Метеор", выпуска продукции г. Волжский, до 230-250 млн. Волгоградская область рублей в год**

206. Реконструкция и 400 120 120 80 80 2012- 2080,5 расширение техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 производственных перевооружение 200* 60 60 40 40 площадей выпуска научно- приемо-передающих производственной модулей на и лабораторной 2080,5 кв. м** базы в открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Радиоэлектроника" имени В.И.Шимко", г. Казань, Республика Татарстан

207. Открытое акционерное общество "Нижегородское научно- производственное объединение имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород

Техническое 400 120 120 80 80 2012- 1927 организация перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной с целью создания 200* 60 60 40 40 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 1,8 раза** унитарном предприятии "Нижегородское научно- производственное объединение имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород

208. Техническое 214,453 79 135,453 2008- 2300 организация перевооружение _______ __ _______ 2009 контрактной с целью создания 150* 60 90 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 2,5 раза** унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск

209. Техническое 300 90,24 134,76 75 2013- 1100*** производственный перевооружение ____ _____ ______ ____ 2015 комплекс по с целью создания 150* 45,12 67,38 37,5 серийному выпуску промышленного многоканальных производства высоковольтных многоканальных (ВВИП), высоковольтных и низковольтных низковольтных (НВИП) сильноточных сильноточных источников вторичного источников электропитания вторичного и модуляторов СВЧ электропитания и сигналов с высокой модуляторов СВЧ плотностью компоновки сигналов электронных с высокой компонентов плотностью для бортовой компоновки аппаратуры на электронных федеральном компонентов для государственном бортовой унитарном аппаратуры с предприятии объемом "Научно- производства до производственное 500 комплектов предприятие блоков в год** "Исток", г. Фрязино, Московская область

210. Открытое акционерное общество "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза

Техническое 1000 380,52 280 169,74 169,74 2012- 5990 обеспечение перевооружение ____ ______ ___ ______ ______ 2015 изготовления с целью создания 500* 190,26 140 84,87 84,87 печатных плат с контрактного новыми финишными производства покрытиями по изготовлению до 20000 кв. м печатных плат выше в год; 5-го класса точности обеспечение и унифицированных изготовления электронных модулей унифицированных на федеральном электронных государственном модулей на унитарном предприятии печатных платах в "Пензенское количестве производственное до 400 тыс. штук объединение в год** "Электроприбор", г. Пенза

211. Открытое акционерное общество "Федеральный научно- производственный центр "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц" имени А.П.Горшкова", г. Нижний Новгород

Техническое 594,16 280 74,16 120 120 2012- 2731,3 внедрение перевооружение _______ ___ _____ ___ ___ 2015 современной и реконструкция 297,08* 140 37,08 60 60 технологии с производства соответствующим электронных переоснащением сверхвысокочастотных высоко- модулей на производительным федеральном оборудованием. государственном Увеличение объема унитарном предприятии выпуска продукции "Нижегородский в 1,5 раза** научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

212. Открытое акционерное общество "Концерн "Автоматика", г. Москва

Техническое 510 210 160 70 70 2012- 1963,26 обеспечение перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 разработки, и реконструкция 255* 105 80 35 35 производства производства систем, и аттестации комплексов и средств средств защиты информации комплексов и на федеральном систем защиты государственном информации. унитарном предприятии Увеличение объема "Научно- выпуска продукции исследовательский до 0,8 - 1,2 млрд. институт рублей** автоматики", г. Москва

213. Открытое акционерное общество "Всероссийский научно- исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону

Техническое 300 80 70 75 75 2012- 909 обеспечение перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 потребности и реконструкция 150* 40 35 37,5 37,5 организаций регионального в базовых несущих производства базовых конструкциях для несущих конструкций всех видов (БНК) на федеральном радиоэлектронной государственном аппаратуры. унитарном предприятии Увеличение объема "Всероссийский выпуска продукции научно- в 2 раза** исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону

214. Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

Реконструкция 360 90 90 90 90 2012- 1060 обеспечение и техническое ____ __ __ __ __ 2015 разработки, перевооружение 180* 45 45 45 45 производства производственно- и аттестации технологической комплексов и лабораторно- средств испытательной базы автоматизации для создания информационно- комплексов средств управляющих систем. автоматизации Увеличение объема информационно- выпуска продукции управляющих систем до 0,52 млрд. на федеральном рублей** государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

215. Открытое акционерное общество "Калугаприбор", г. Калуга

Техническое 300 80 70 75 75 2012- 5400 организация перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной с целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 1,8 раза** унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга

216. Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1100 организация перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной с целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение унифицированных объема электронных модулей производства на федеральном контрактной государственном продукции унитарном предприятии в 1,7 раза** "Ростовский-на-Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону

217. Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1060 организация перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной с целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 2,5 раза** унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

218. Техническое 300 70 90 70 70 2012- 2490,5 организация перевооружение ____ __ __ __ __ 2015 контрактной с целью создания 150* 35 45 35 35 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей в контрактной открытом акционерном продукции обществе "Курский в 2,5 раза** завод "Маяк", г. Курск

219. Открытое акционерное общество "Научно- исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва

Техническое 400 100 200 50 50 2012- 2411 организация перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной с целью создания 200* 50 100 25 25 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 1,8 раза** унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва

220. Открытое акционерное общество "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург

Техническое 300 100 100 50 50 2012- 1210 организация перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной с целью создания 150* 50 50 25 25 сборки массовой контрактного продукции, производства увеличение объема унифицированных производства электронных модулей контрактной на федеральном продукции государственном в 1,7 раза** унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург

221. Техническое 224,2 120 104,2 2012- 1282 увеличение объема перевооружение ______ ___ _____ 2013 производства с целью создания 112,1* 60 52,1 в 1,5 раза** мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско- технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород

222. Открытое акционерное общество "Брянский электромеханический завод", г. Брянск

Реконструкция 400 100 140 80 80 2012- 9586,6 увеличение объема и техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 производства перевооружение 200* 50 70 40 40 радиоэлектронных производства и изделий испытательной базы на 170 млн. широкополосных рублей** сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск

223. Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро по радиоконтролю систем управления, навигации и связи", г. Ростов-на-Дону

Техническое 100 100 2012 1035 увеличение объема перевооружение ___ __ выпуска продукции и реконструкция 50* 50 на 100 млн. производственно- рублей, освоение испытательных серийного мощностей на производства федеральном изделий государственном "Орион-3М", унитарном предприятии "Орион-3СМ", "Государственное "Анализ", конструкторское бюро "Страж-ПМ" аппаратно- и других** программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону

224. Техническое 800 240 380 180 2013- 2285*** увеличение объема перевооружение ____ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции научно-технического и 400* 120 190 90 до 1,6 млрд. производственного рублей в год комплексов по выпуску в открытом электровакуумных акционерном приборов обществе сверхвысокочастотного "Владыкинский диапазона в открытом механический акционерном обществе завод", снижение "Российская себестоимости электроника", продукции** г. Москва

225. Техническое 178,61 102,6 76,01 2008- 2010 увеличение объема перевооружение ______ _____ _____ 2009 выпуска продукции и реконструкция 169,8* 100 69,8 в 2 раза** регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород

226. Техническое 480 380 50 50 2013- 2628,6*** обеспечение перевооружение ____ ___ __ __ 2015 выпуска производственной и 240* 190 25 25 конкурентоспособных лабораторно- высокотехнологичных испытательной электрических базы для выпуска соединителей нового поколения нового поколения. электрических Увеличение соединителей объемов в открытом производства акционерном обществе соединителей "Карачевский завод общепромышленного "Электродеталь", назначения в г. Карачев, Брянская натуральном область выражении до 2000000 штук в год **

227. Техническое 373,66 200 173,66 2012- 1145 увеличение объема перевооружение _______ ___ ______ 2013 производства испытательного 186,83* 100 86,83 изделий до центра для 1,9 млн. штук и обеспечения комплекса 650 млн. рублей** работ по корпусированию и испытаниям сложно- функциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно- исследовательский институт "Электрон- стандарт", г. Санкт-Петербург

228. Реконструкция 700 220 240 240 2013- 550*** увеличение объема и техническое ____ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции перевооружение 350* 110 120 120 на 2 млрд. научно-технического рублей** комплекса по разработке и производству ВЧ и СВЧ акустоэлектронных и пьезокварцевых устройств в открытом акционерном обществе "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск

229. Реконструкция 557,6 113,5 108,4 115,7 220 2008- 879 создание и техническое _____ _____ _____ _____ ___ 2011 конкурентоспособных перевооружение 403* 110 88 95 110 изделий производственно- мирового уровня. технологической и Разработка лабораторно- технологий испытательной базы двойного на федеральном назначения. государственном Увеличение объема унитарном предприятии производства "Научно- в 1,5 раза** исследовательский институт "Экран", г. Самара

230. Открытое акционерное общество "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск

Реконструкция 694,52 15,5 79,2 300 119,82 90 90 2010- 1300 создание и техническое _______ ____ ____ ___ ______ __ __ 2015 комплексов перевооружение 349,91* 10,4 39,6 150 59,91 45 45 конкуренто- производственно- способной аппаратуры технологической специальной и лабораторной базы радиосвязи и для комплексов управления. специальной Увеличение объема радиосвязи и выпуска продукции управления на в 1,5 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск

231. Техническое 280 140 70 70 2013- 900*** создание перевооружение ____ ___ __ __ 2015 производства предприятия для 140* 70 35 35 перспективного создания производства вакуумного перспективного оборудования** вакуумного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт вакуумной техники им. С.А.Векшинского", г. Москва

232. Открытое акционерное общество "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза

Техническое 557,08 200 127,08 115 115 2012- 8488,4 увеличение объема перевооружение и _______ ___ ______ ____ ____ 2015 выпуска продукции реконструкция 278,54* 100 63,54 57,5 57,5 до 421,5 млн. производственно- рублей** технологической и лабораторно- испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза

233. Открытое акционерное 594,16 280 74,16 120 120 2012- 1365,3 создание общество "Федеральный _______ ___ _____ ___ ___ 2015 метрологической, научно- 297,08* 140 37,08 60 60 испытательной производственный базы для центр разработки и "Нижегородский производства научно- контрольно- исследовательский измерительной приборостроительный аппаратуры институт "Кварц" миллиметрового имени А.П.Горшкова", диапазона длин г. Нижний Новгород волн. Техническое Увеличение объема перевооружение и производства реконструкция квантовых метрологической, рубидиевых испытательной базы и стандартов производства частоты в оптических изделий на 3 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

234. Техническое 190 100 90 2012- 362 создание перевооружение и ___ ______ __ 2013 сверхшироко- реконструкция 95* 50**** 45 полосных стендовой и измерительных испытательной базы комплексов для сложных измерения радио-электронных параметров систем и комплексов в одиночных антенн и открытом акционерном линейных, плоских обществе и объемных "Производственное решеток систем объединение "Азимут", навигации, г. Махачкала, посадки и Республика радиолокации в Дагестан ближней и дальней зонах (до 1000 м) и модернизация существующей в организации испытательной базы для проведения научно- исследовательских и опытно- конструкторских работ**

235. Техническое 570 210 120 120 120 2012- 2000 увеличение объема перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции производственно- 285* 105 60 60 60 до 3 - 3,5 млрд. технологической и рублей в год** лабораторно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск

236. Открытое акционерное общество "Научно- производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород

Техническое 1014,14 640 374,14 2012- 2087,41 увеличение объема перевооружение и _______ ___ ______ 2013 производства реконструкция 507,07* 320 187,07 монолитно- производства интегральных и сверхвысокочастотной гибридно- техники на монолитных приборов федеральном и электронных государственном компонентов унитарном предприятии (в том числе "Научно- импортозамещающих) производственное до 250 тыс. штук предприятие в год, электро- "Салют", г. Нижний вакуумных и Новгород вакуумно- твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиа- тюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. шт. в год, унифициро- ванных приемо- передающих модулей (в диапазоне частот 20-150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год**

237. Реконструкция и 224 120 104 2012- 2752 увеличение объема техническое ____ ______ ___ 2013 выпуска продукции перевооружение для 112* 60**** 52 до 761,5 млн. выпуска рублей в год. теплоотводящих Серийный выпуск керамических подложек электронных для твердотельных компонентов, сверхвысокочас- керамических тотных устройств и подложек, IGBT-модулей в керамических открытом акционерном корпусов, обществе "Холдинговая обеспечивающих компания увеличение "Новосибирский объемов электровакуумный производства в завод - Союз", различных г. Новосибирск отраслях промышленности, сверхвысокочастотной техники и силовой полупроводниковой электроники**

238. Техническое 610,50 400 90,5 120 2012- 2032,5 реконструкция перевооружение и _______ ___ _____ ___ 2014 опытного реконструкция 305,25* 200 45,25 60 производства с опытного приборного учетом реализации производства в новых открытом акционерном технологий по обществе "Концерн изготовлению "Океанприбор", интегральных г. Санкт-Петербург сборок, датчиков на пьезопленках и других **

239. Реконструкция и 832 200 240 196 196 2012- 2450 комплексное техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 дооснащение перевооружение 416* 100 120 98 98 базовых организации для технологий совершенствования производства судовой электронных электротехнической средств продукции в вычислительной Федеральном техники с целью научно- импорто-замещения производственном и повышения центре открытом конкуренто- акционерном обществе способности; "Научно- создание производственное экспериментально- объединение лабораторного "Марс", г. Ульяновск комплекса для проведения контроля технологи- ческих параметров и испытаний**

240. Реконструкция и 240 80 60 50 50 2012- 800 техническое техническое ____ __ __ __ __ 2015 перевооружение перевооружение 120* 40 30 25 25 обеспечит: опытно- внедрение экспериментального современных производства технологий модулей производства функциональной модулей микроэлектроники в функциональной открытом акционерном микроэлектроники; обществе "Концерн рост объема "Гранит-Электрон", производства г. Санкт-Петербург функциональных модулей в 2 - 2,5 раза; расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей**

241. Создание 1100 280 270 275 275 2012- 3250 создание участков производственного ____ ___ ___ _____ _____ 2015 по производству комплекса для 550* 140 135 137,5 137,5 кремниевых массового датчиков, производства многослойных компонентов плат, сборке и инерциальных корпусированию микромеханических инерциальных датчиков двойного микромеханических назначения в открытом изделий** акционерном обществе "Концерн "Центральный научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург

242. Реконструкция 620 160 260 100 100 2012- 2065 внедрение инженерно- ____ ___ ___ ___ ___ 2015 современных испытательного 310* 80 130 50 50 базовых корпуса в открытом технологий акционерном обществе производства "Концерн электронных "Гранит-Электрон", модулей цифровой г. Санкт-Петербург и цифроаналоговой вычислительной техники; обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук в год**

243. Техническое 460 80 70 155 155 2012- 3272 создание новой перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 оптической производственно- 230* 40 35 77,5 77,5 элементной базы технологического перспективных комплекса по созданию оптико-электронных оптико-электронной систем, компонентной обеспечивающей базы в открытом предельно акционерном обществе возможные "Научно- технические производственное параметры систем, объединение в том числе "Государственный комплекси- институт прикладной рованных и оптики", г. Казань, многоспектральных Республика оптических Татарстан каналов**

244. Открытое акционерное общество "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург

Реконструкция 640 200 195 245 2013- 2000*** разработка, производственно- ____ ___ ____ _____ 2015 испытания, испытательного 320* 100 97,5 122,5 опытные поставки комплекса и серийное федерального производство государственного новых видов унитарного оптико-электронных предприятия систем, "Научно- обеспечивающих производственная предельно корпорация возможные "Государственный технические оптический параметры институт имени изделий** С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург

245. Открытое акционерное общество "НПО "Орион", г. Москва

Реконструкция корпуса 700 180 160 180 180 2012- 900 создание единого 2Ж для создания ____ ___ ___ ___ ___ 2015 аналитического лабораторно- 350* 90 80 90 90 центра по аналитического исследованиям и центра сертификации инфракрасной фото- и важнейших оптоэлектроники на материалов и федеральном компонентов государственном инфракрасной унитарном предприятии фотоэлектроники** "НПО "Орион", г. Москва

246. Открытое акционерное общество "НПО "Орион", г. Москва

Техническое 3681 1280 261 930 1210 2012- 8960 создание перевооружение _______ ____ _____ ___ ____ 2015 производственно- производственно- 1840,5* 640 130,5 465 605 технологического технологического комплекса, комплекса который обеспечит по созданию промышленный оптоэлектронной выпуск изделий компонентной базы на компонентной базы федеральном 2-го и 3-го государственном поколений и унитарном предприятии оптико-электронных "НПО "Орион", систем на их г. Москва основе с параметрами, превышающими современный, и прогнозируемый мировой уровень**

247. Реконструкция и 420 70 60 145 145 2012- 1500 обеспечение техническое ____ __ __ ____ ____ 2015 возможности перевооружение 210* 35 30 72,5 72,5 проведения стендово- испытаний опытных экспериментальной образцов базы в открытом источников акционерном обществе электроэнергии, "Научно- статических исследовательский преобразователей институт и аппаратуры авиационного защиты и оборудования", коммутации для г. Жуковский, проекта Московская область "полностью электрический самолет"**

248. Реконструкция и 520 164 130 226 2013- 9000*** изготовление техническое ____ ___ ___ ___ 2015 конкурентоспособных перевооружение 260* 82 65 113 изделий производственной авиационной базы, освоение техники, инновационных соответствующих технологий для современным и изготовления перспективным радиоэлектронных международным изделий авиационной стандартам** техники с использованием новых уровней технологий в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область

249. Реконструкция и 370,08 100 54,08 123 93 2012- 1556,8 создание техническое _______ ___ _____ ____ ____ 2015 производственных перевооружение 185,04* 50 27,04 61,5 46,5 мощностей по экспериментально- производству технологической современной базы для микро-электронной производства аппаратуры** микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан

250. Реконструкция и 222,12 100 42,12 60 20 2012- 2040,8 производство техническое _______ ___ _____ __ __ 2015 конкурентоспособной перевооружение цеха 111,06* 50 21,06 30 10 продукции, по производству обладающей первичных современными преобразователей и показателями по вторичной аппаратуры надежности, в открытом быстродействию и акционерном обществе массогабаритным "Казанское характеристикам** приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан

251. Реконструкция и 458 150 154 154 2013- 1350*** серийное техническое ____ ___ ___ ___ 2015 производство перевооружение 229* 75 77 77 широкой производства номенклатуры электронных систем статических самолетного преобразова- энергоснабжения в телей напряжения открытом акционерном авиационных обществе "Агрегатное перспективных конструкторское бюро объектов (проект "Якорь", г. Москва "полностью электрический самолет", истребитель 5-го поколения, программа развития гражданской авиационной техники)**

252. Реконструкция и 1070 260 265 545 2013- 2700*** полигон позволит техническое ____ ___ _____ _____ 2015 проводить работы перевооружение для 535* 130 132,5 272,5 с радиоэлектронной создания электронного аппаратурой в полигона по условиях исследованиям, реального полета отработке и с учетом сертификации информационного бортового взаимодействия с авиационного наземными и радиоэлектронного самолетными оборудования в системами открытом акционерном обеспечения обществе воздушного "Летно- движения в исследовательский реальных условиях институт имени естественных и М.М.Громова", промышленных г. Жуковский, помех** Московская область

253. Техническое 300 100 100 100 2013- 1300*** создание перевооружение с ____ ___ ___ ___ 2015 производственного целью создания 150* 50 50 50 участка настройки производственного быстродействующих участка настройки бортовых цифровых быстродействующих устройств с бортовых цифровых тактовой частотой устройств с тактовой более 500 МГЦ** частотой более 500 МГЦ в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь

254. Техническое 380 150 115 115 2013- 1785*** создание перевооружение с ____ ___ ____ ____ 2015 лабораторно- целью создания 190* 75 57,5 57,5 испытательной базы лабораторно- для изготовления и испытательной испытаний базы для сверхширокополосных изготовления и СВЧ-устройств испытаний сантиметрового сверхширокопо- диапазона с лосных перекрытием по СВЧ-устройств частоте более сантиметрового 3 октав** диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь

255. Реконструкция 1040 240 270 530 2013- 5000*** освоение техническое ____ ___ ___ ___ 2015 технологии перевооружение 520* 120 135 265 производства производства перспективных специализированных многопроцессорных цифровых специализиро- вычислительных ванных цифровых машин в открытом вычислительных акционерном обществе машин, "Государственный построенных на Рязанский приборный основе завод", г. Рязань архитектуры единой коммутируемой вычислительной среды, с использованием принципов Интегральной Модульной Авионики (ИМА) второго поколения, ориентированных на обеспечение принципиально нового уровня надежности и универсальности комплекса аппаратуры авионики**

256. Реконструкция и 296 160 68 68 2013- 800*** ввод в техническое ____ ___ __ __ 2015 эксплуатацию перевооружение 148* 80 34 34 производственных участков монтажа линий с высокой электронных систем и степенью электронно-оптических автоматизации модулей на производства федеральном современной государственном авиационной унитарном предприятии радио- "Санкт-Петербургское электронной и опытно- оптико-электронной конструкторское бюро аппаратуры "Электро-автоматика" для коммерческой имени П.А.Ефимова", и военной г. Санкт-Петербург авиации**

257. Техническое 258 100 33 125 2013- 4700*** выпуск цифровых перевооружение с ____ ___ ____ ____ 2015 плоско- целью создания 129* 50 16,5 62,5 панельных производства цифровых телевизионных плоскопанельных приемников и телевизионных цифровых приемников и цифровых телевизионных телевизионных приставок приставок в открытом акционерном обществе "Электросигнал", г. Дербент, Республика Дагестан

258. Техническое 320 140 90 90 2013- 588*** увеличение перевооружение ___ ___ __ __ 2015 объемов участка 160 70 45 45 производства микроэлектроники в сверхвысоко- открытом акционерном частотной обществе электронной "Научно- компонентной базы производственное на основе предприятие перспективных "Радиосвязь", технологий низко- г. Красноярск температурной керамики**

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

259. Техническое 100 100 2011 135,1 создание перевооружение ___ ___ межотраслевого федерального 50* 50 базового центра государственного системного унитарного проектирования** предприятия "Научно- производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра системного проектирования

260. Реконструкция и 119,873 119,873 2008 1911 создание базового техническое _______ _______ центра системного перевооружение 60 60 проектирования открытого производительностью акционерного общества 40 аппаратно- "Информационные программных телекоммуникационные комплексов технологии", в год** г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов

261. Техническое 120 120 2011 1324 обеспечение перевооружение для ___ ___ проектирования, создания базового 60* 60 производства, центра системного испытаний, проектирования контроля, микроэлектронных тестирования и модулей нового сертификации поколения на основе перспективных технологии "систем в изделий, включая модуле" двойного и климатические, специального механические, применения на надежностные и открытом акционерном другие обществе специализированные "Научно- испытания, а исследовательский также институт сертификации "Вектор", выпускаемых г. Санкт-Петербург изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**

262. Техническое 50 50 2011 422,8 создание базового перевооружение ___ __ центра системного открытого 25* 25 проектирования** акционерного общества "Всероссийский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования

263. Техническое 540 80 460 2010- 151,3 создание базового перевооружение ____ __ ___ 2011 центра системного открытого 270* 40 230 проектирования** акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

264. Реконструкция и 35,37 35,37 2009 493 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 30* 30 проектирования ** федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования

265. Техническое 140 140 2011 599,85 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного федерального 70* 70 проектирования** государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

266. Техническое 182,3 62,3 120 2010- 700 создание базового перевооружение _____ ____ ___ 2011 центра системного открытого 100* 40 60 проектирования** акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования

267. Техническое 130 130 2010 998 создание базового перевооружение ____ ___ центра системного открытого 100* 100 проектирования акционерного общества площадью "Концерн 998 кв. м** радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования

268. Реконструкция и 120,6 120,6 2010 500 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования федерального площадью государственного 500 кв. м** унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

269. Реконструкция и 17 17 2008 500 создание базового техническое ___ __ центра системного перевооружение 17* 17 проектирования действующего площадью предприятия 500 кв. м** федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно- исследовательский институт приборо- строения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)

270. Техническое 120 120 2011 490 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного открытого 60* 60 проектирования акционерного общества площадью "Российский институт 490 кв. м** радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

271. Техническое 232 232 2014 300 базовый центр перевооружение с ____ ___ проектирования целью создания 116* 116 сложно- базового центра функциональных проектирования комплексированных сложнофункциональных СВЧ-устройств комплексированных площадью СВЧ-устройств на 300 кв. м** федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область

272. Реконструкция и 80 80 2010 800 создание базового техническое ______ ______ центра системного перевооружение 80**** 80**** проектирования открытого площадью акционерного общества 800 кв. м** "Центральный научно- исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

272.1 Техническое 200 200 2011 648 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного федерального 100 100 проектирования государственного площадью унитарного 648 кв. м** предприятия мощностью "Государственный 360 тыс. штук завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования

273. Реконструкция и 68,9 68,9 2008 532 создание базового техническое ____ ____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования** федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

274. Реконструкция и 30 15 15 2014- 500 создание базового техническое ___ ___ ___ 2015 центра системного перевооружение 15* 7,5 7,5 проектирования федерального площадью государственного 500 кв. м** унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования

275. Реконструкция и 83,62 83,62 2009 500 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования федерального площадью государственного 500 кв. м** унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

276. Реконструкция и 101,54 101,54 2008 600 создание базового техническое ______ ______ центра системного перевооружение 80* 80 проектирования федерального площадью государственного 600 кв. м** унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

277. Техническое 140 140 2011 600 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного открытого 70* 70 проектирования акционерного общества площадью "Концерн 600 кв. м** "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

278. Реконструкция и 75,4 75,4 2008 1097,8 создание базового техническое _____ ____ центра системного перевооружение 72,7* 72,7 проектирования** федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования

279. Техническое 104 104 2008 650 создание базового перевооружение и ___ ___ центра системного реконструкция 80* 80 проектирования открытого площадью акционерного общества 650 кв. м** "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования

280. Техническое 240 240 2011 1134,5 создание базового перевооружение ____ ___ центра системного федерального 120* 120 проектирования государственного площадью унитарного 1134,5 кв. м** предприятия мощностью "Научно- 2000 штук исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования

281. Открытое акционерное общество "Государственный оптический институт им. С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург

Создание базового 500 290 160 50 2012- 2000 создание базового центра проектирования ____ ___ ________ __ 2014 центра по на базе федерального 250* 145 80****** 25 проектированию, государственного моделированию, унитарного изготовлению, предприятия тестированию и "Научно- сертификации производственная перспективных корпорация оптических систем "Государственный и оптико- оптический институт электронного имени С.И.Вавилова", оборудования** г. Санкт-Петербург

282. Реконструкция и 2200 590 520 545 545 2012- 6800 повышение техническое _____ ___ ___ _____ _____ 2015 качества и перевооружение 1100* 295 260 272,5 272,5 надежности систем открытого цифровой акционерного общества обработки, систем "Концерн ПВО твердотельных "Алмаз-Антей", передающих и г. Москва, для приемных систем, создания базового приемо- центра проектирования передающих систем цифровой модулей активных обработки, фазированных твердотельных системных решеток передающих и приемных С-диапазона для систем, приемо- перспективных передающих модулей средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения**

283. Реконструкция и 500 192,38 120 93,81 93,81 2012- 865,5 создание базового техническое ____ ______ ___ ______ ______ 2015 центра перевооружение для 250* 96,19 60 46,905 46,905 проектирования создания базового сложных центра проектирования функциональных в открытом блоков и акционерном обществе сверхбольших "Концерн "Созвездие", интегральных г. Воронеж схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуника- ционных систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**

284. Техническое 440 440 2011 1852 обеспечение перевооружение для ____ ___ производства создания базового 220* 220 комплексных центра системного средств проектирования автоматизации для (дизайн-центра) управления радиоэлектронных автомобильным и модулей и узлов железнодорожным стационарных и транспортом, мобильных средств объектами автоматизации в топливно- открытом акционерном энергетического обществе "Научно- комплекса** производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

285. Создание базового 200 90 110 2010- 790 обеспечение центра системного ____ __ ___ 2011 возможности проектирования 100* 45 55 изготовления унифицированных разработанных электронных модулей электронных на основе современной модулей по электронной современным компонентной базы в технологиям; открытом акционерном повышение обществе "Челябинский надежности и радиозавод "Полет", качества и г. Челябинск ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня; разработка технологий двойного назначения**

286. Создание базового 119,7 119,7 2010 750 обеспечение центра системного _____ _____ возможности проектирования 100* 100 изготовления унифицированных разработанных электронных модулей электронных на основе современной модулей по электронной современным компонентной базы в технологиям; открытом акционерном разработка обществе технологий "Рыбинский завод двойного приборостроения", назначения** г. Рыбинск, мощностью Ярославская область 5 модулей в год

287. Техническое 180 180 2011 640 обеспечение перевооружение для ___ ___ проектирования, создания 90* 90 производства, базового центра испытаний, системного контроля, проектирования тестирования и микроэлектронных сертификации модулей нового перспективных поколения на основе изделий, включая технологии "систем в климатические, модуле" двойного и механические, специального надежностные и применения в открытом другие акционерном обществе специализированные "Калужский испытания, а научно- также исследовательский сертификации институт выпускаемых телемеханических изделий по устройств", г. Калуга требованиям различных категорий заказчиков и производств**

288. Создание базового 30 30 2010 260 обеспечение центра системного ______ ______ проектирования, проектирования 30**** 30**** производства, микроэлектронных испытаний, модулей нового контроля, поколения на основе тестирования и технологии "систем в сертификации модуле" двойного и перспективных специального изделий, включая применения в открытом климатические, акционерном обществе механические, "Московский надежностные и научно- другие исследовательский специализированные институт связи", испытания, а г. Москва также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**

289. Расширение базового 317,56 141,4 100 76,16 2012- 881 расширение центра системного _______ _____ ___ _____ 2014 возможностей и проектирования по 158,78* 70,7 50 38,08 объемов базового проектированию центра системного радиоэлектронной проектирования аппаратуры на базе за счет сверхбольших использования интегральных схем передовых "система на технологий кристалле" в открытом разработки акционерном обществе радиоэлектронных "Концерн изделий. радиостроения "Вега", Ускорение г. Москва процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза**

290. Техническое 210 210 2011 773,5 обеспечение перевооружение для ____ ___ проектирования, создания базового 105* 105 производства центра системного высокоплотных проектирования электронных узлов высокоплотных на основе электронных узлов на технологии основе технологии многокристальных многокристальных модулей как модулей в открытом ключевой акционерном обществе технологии "Научно- достижения исследовательский высоких институт технических "Кулон", характеристик г. Москва разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук в год **

291. Создание базового 165,6 45,6 120 2010- 350 обеспечение центра системного _____ ____ ___ 2011 проектирования, проектирования 105* 45 60 производства высокоплотных высокоплотных электронных узлов на электронных узлов основе технологии на основе многокристальных технологии модулей в открытом многокристальных акционерном обществе модулей как "Конструкторское бюро ключевой "Луч", технологии г. Рыбинск, достижения Ярославская высоких область технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук**

292. Техническое 500 210,7 289,3 2014- 1650*** создание базового перевооружение для ____ ______ ______ 2015 центра обеспечения 250* 105,35 144,65 проектирования и интеграции базовых расширение центров системного возможностей и проектирования в объемов сквозную разрабатываемой корпоративную систему номенклатуры разработки изделий за счет радиоэлектронных тесной интеграции комплексов в открытом разнодисциплинарных акционерном обществе базовых "Концерн центров радиостроения "Вега", системного г. Москва проектирования радиоэлектронных изделий, существенное снижение времени и себестоимости комплексных разработок высокопроизводи- тельных СБИС, микропроцессорной техники, матричных корпусов, в том числе для СБИС с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков, радиоэлектронной аппаратуры, универсальных цифровых устройств, комплексов, систем и средств связи двойного и гражданского назначения**

293. Техническое 450 80 90 140 140 2010- 1530 создание базового перевооружение для ____ ______ __ ___ ___ 2014 центра разработки создания базового 265* 80**** 45 70 70 высоко- центра проектирования производительной универсальных микропроцессорной микропроцессоров, техники двойного систем на кристалле, назначения, цифровых приборов оснащенного обработки современной сигналов и других технологией цифровых устройств, разработки комплексов и систем многоядерных на базе современных систем на лицензионных систем кристалле, автоматизированного матричных проектирования и корпусов для технических средств сверхбольших открытого интегральных схем акционерного общества с большим "Институт электронных количеством управляющих машин" выводов, им. И.С.Брука, контроллеров г. Москва перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высоко- производительных вычислительных систем широкого применения**

294. Техническое 835,62 280 235,62 160 160 2012- 414,5 ускорение перевооружение и _______ ___ ______ ___ ___ 2015 проектирования и реконструкция 417,81* 140 117,81 80 80 отработки базового технологии регионального производства научно- перспективных технологического устройств центра по микросистемотехники микросистемотехнике для открытого комплектования акционерного общества аппаратуры "Омский научно- управления, исследовательский средств институт телекоммуникации приборостроения", и связи, г. Омск высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**

295. Реконструкция и 490 120 160 105 105 2012- 1701,8 создание техническое ____ ___ ___ ____ ____ 2015 конкурентоспособных перевооружение центра 245* 60 80 52,5 52,5 изделий системного мирового уровня проектирования и двойного производства назначения для радиоэлектронных комплексов средств спутниковой аппаратуры связи открытого спутниковой акционерного связи** общества "Научно- производственный центр "Вигстар", г. Москва

296. Открытое акционерное общество "Научно- производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов

Реконструкция и 1000,12 670 330,12 2012- 3221,35 создание техническое _______ ___ ______ 2013 дизайн-центра перевооружение на 500,06* 335 165,06 площадью федеральном 3221,35 кв. м и государственном увеличение унитарном предприятии выпуска продукции "Научно- на 500 млн. производственное рублей в год** предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств

297. Техническое 89,1 89,1 2008 189 создание перевооружение для ____ ____ конкурентоспособной создания центра 45* 45 технологии проектирования автоматизированного перспективной проектирования электронной кристаллов компонентной базы на сверхбольших федеральном интегральных схем государственном и систем на унитарном предприятии кристалле с "Научно- проектными исследовательский нормами институт 0,18 - 0,13 мкм и электронной техники", степенью г. Воронеж интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложно- функциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам**

298. Создание отраслевого 340 90 174 38 38 2012- 303 организация центра системного ____ __ ___ __ __ 2015 современного уровня проектирования 170* 45 87 19 19 центра системного интеллектуальных уровня датчиков различного проектирования на назначения в открытом основе акционерном обществе отечественной "Концерн "Центральный электронной научно- компонентной исследовательский базы: институт микромеханических "Электроприбор", датчиков; г. Санкт-Петербург датчиков акустического давления; датчиков угловых перемещений и других**

299. Создание отраслевого 360 90 135 135 2012- 609 создание центра проектирования ____ __ ____ ____ 2015 отраслевого сложных 180* 45 67,5 67,5 центра функциональных блоков проектирования и сверхбольших (дизайн-центра) интегральных схем сложных типа "система на функциональных кристалле" в открытом блоков и акционерном обществе сверхбольших "Концерн интегральных схем "Моринформсистема- типа "система на Агат", кристалле" для г. Москва обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли**

300. Техническое 300 200 100 2013- 600*** создание базового перевооружение ____ ___ ___ 2014 центра базового центра 150* 100 50 проектирования проектирования и площадью производства 600 кв. м** специальных многокристальных микросистем и микромодулей с использованием технологии 3D TSV в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва

301. Реконструкция и 844 280 564 2014- 6000*** создание базового техническое ___ ___ ___ 2015 центра перевооружение для 422 140 282 проектирования создания базового площадью центра проектирования 6000 кв. м** составных частей, компонентов и приемо-передающих модулей РЛС с АФАР в открытом акционерном обществе "Корпорация "Фазотрон - Научно- исследовательский институт радиостроения", г. Москва

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

302. Реконструкция и 724,95 156 404,55 164,4 2008- 375,5 создание техническое _______ ___ ______ _____ 2010 межотраслевого перевооружение 590,75* 78 352,75 160 центра открытого проектирования, акционерного общества каталогизации и "Российская изготовления электроника", фотошаблонов с г. Москва (включая объемом приобретение производства не программно- менее 1200 штук технических в год** средств), с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

Итого по Минпромторгу 70680,25 1618,71 1643,48 2125,3 5740 18466,52 15026,44 12807,68 13252,12 России ________ _______ _______ ______ ____ ________ ________ ________ ________ 37021,79 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7513,22 6403,84 6626,06

Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом")

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

303. Техническое 196 40 48 48 60 2010- 267 создание перевооружение ___ __ __ __ __ 2013 технологического федерального 98* 20 24 24 30 комплекса для государственного производства унитарного сверх- предприятия высокочастотных федеральный монолитных научно- интегральных схем производственный на широкозонных центр "Научно- полупроводниковых исследовательский материалах** институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

304. Техническое 160 60 50 50 2013- 616,7*** техническое перевооружение ___ __ __ __ 2015 перевооружение производства 80* 30 25 25 производства сильноточных сильноточных электронных электронных коммутирующих коммутирующих элементов на элементов** федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва

305. Техническое 214 102 94 18 2013- 850*** техническое перевооружение для ____ ___ __ __ 2015 перевооружение организации 107* 51 47 9 производства высокотехнологичного металлокерамических производства корпусов металлокерамических микросборок и корпусов микросборок микросхем** и микросхем на федеральном государственном унитарном предприятии федеральном научно- производственном центре "Производственное объединение "Старт" имени М.В.Проценко", г. Заречный, Пензенская область

306. Техническое 130 50 80 2014- 509,3*** техническое перевооружение ___ __ __ 2015 перевооружение участков производства 65* 25 40 участков коммутирующих производства элементов нового коммутирующих поколения с лазерным элементов нового поджигом на поколения с федеральном лазерным государственном поджигом** унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва

307. Техническое 400 100 100 100 100 2012- 2148,1 создание перевооружение с ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- целью производства 200* 50 50 50 50 технологического радиационно стойких участка изделий изготовления микроэлектроники с изделий применением методов микроэлектроники нанотехнологий на для систем федеральном автоматики государственном специзделий** унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва

308. Техническое 350 134 104 112 2013- 2500*** создание перевооружение с ____ ___ ___ ___ 2015 производственно- целью производства 175* 67 52 56 технологического быстродействующих участка в радиационно межведомственном стойких монолитных центре по интегральных схем на разработке и федеральном производству государственном радиационно унитарном предприятии стойкой федеральный электронной научно- компонентной производственный базы** центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

309. Техническое 536 204 158 174 2013- 1100*** создание перевооружение с ____ ___ ___ ___ 2015 производственно- целью производства 268* 102 79 87 технологического радиационно стойких участка в изделий межведомственном микросистемотехники центре по на федеральном разработке и государственном производству унитарном предприятии радиационно федеральный стойкой научно- электронной производственный компонентной центр "Научно- базы** исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

310. Техническое 1780 232 300 724 524 2012- 3287 техническое перевооружение с ____ ___ ___ ___ ___ 2015 перевооружение целью производства 890* 116 150 362 262 технологических радиационно стойких участков по изделий изготовлению микроэлектроники на радиационно федеральном стойких изделий государственном микроэлектроники унитарном предприятии в РФЯЦ ВНИИЭФ "Российский обеспечит федеральный ядерный создание центр - "чистых" Всероссийский помещений с научно- высокотехнологичным исследовательский оборудованием, институт что позволит экспериментальной внедрить в физики", г. Саров, производство Нижегородская область более 120 новых технологических процессов по изготовлению принципиально новых радиационно стойких высокофункциональных МЭМС и МСТ приборов автоматики**

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

311. Реконструкция 200 80 68 52 2008- 2976 реконструкция дизайн-центра ____ __ __ __ 2011 дизайн-центра** радиационно стойкой 100* 40 34 26 мощностью электронной 1 млн. компонентной базы на транзисторов федеральном в год государственном унитарном предприятии федеральный научно- производственный центр "Научно- исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

312. Техническое 240 100 120 20 2012- 506 техническое перевооружение ____ ___ ___ __ 2014 перевооружение дизайн-центра 120* 50 60 10 дизайн-центра радиационно стойкой радиационно электронной стойкой компонентной базы на электронной федеральном компонентной базы государственном позволит унитарном обеспечить предприятии разработку и "Всероссийский автоматизированную научно- верификацию исследовательский ПЛИС - прототипов институт разрабатываемых автоматики СБИС объемом до им. Н.Л.Духова", нескольких г. Москва десятков тысяч логических элементов, а также верификацию в составе аппаратуры разработанных СБИС объемом от нескольких сотен тысяч до нескольких миллионов эквивалентных вентилей**

313. Техническое 120 20 80 20 2012- 330 техническое перевооружение ___ __ __ __ 2014 перевооружение дизайн-центра 60* 10 40 10 дизайн-центра радиационно стойкой позволит электронной создать компонентной базы на высокотехнологичный федеральном кластер по государственном разработке унитарном предприятии принципиально "Российский новых радиационно федеральный ядерный стойких центр - Всероссийский электронных схем научно- и СБИС на основе исследовательский современных БМК, институт АЦ БМК, ПЛИС и экспериментальной ПЗУ большой физики", емкости, что г. Саров, позволит Нижегородская область выполнять до 500 логических проектов в год: а) радиационно- стойких СБИС на основе полузаказных микросхем; б) сложно- функиональных блоков для СБИС типа "Система на кристалле"; в) микросхем для технологий КМОП и КМОП-КНД**

314. Техническое 180 40 40 40 60 2012- 877,32 техническое перевооружение ___ __ __ __ __ 2015 перевооружение дизайн-центра 90* 20 20 20 30 дизайн-центра радиационно стойкой позволит создать электронной сквозную систему компонентной базы на автоматизированного федеральном проектирования государственном модулей типа унитарном предприятии "система в "Российский корпусе" Федеральный Ядерный (SIP-модулей) с Центр - Всероссийский сокращением на 30% научно- продолжительности исследовательский цикла разработки, институт испытаний и технической физики изготовления имени академика SIP-модулей, Е.И.Забабахина", расширить г. Снежинск, номенклатуру Челябинская область разрабатываемых приборов с использованием указанной технологии до 12 наименований и моделировать тепловые и механические процессы, происходящие в SIP-модулях, с учетом внешних воздействующих факторов**

Итого по 4506 80 68 40 100 540 1200 1360 1118 Госкорпорации ____ __ __ __ ___ ___ ____ ____ ____ "Росатом" 2253 40 34 20 50 270 600 680 559

Федеральное космическое агентство (Роскосмос)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

315. Реконструкция и 320 110 105 105 2013- 1230*** переоснащенное техническое ____ ___ ____ ____ 2015 производство перевооружение 160* 55 52,5 52,5 многокристальных открытого систем в корпусе, акционерного общества микро- и "Российская радиоэлектронных корпорация модулей, в том ракетно-космического числе на основе приборостроения и устройств информационных микросистемной систем", г. Москва, в техники; целях создания оснащенное производства отраслевое многокристальных автоматизированное систем в корпусе, хранилище микро- и производимых и радиоэлектронных приобретаемых модулей, в том числе электронных на основе устройств компонентов микросистемной со встроенной техники системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции**

316. Реконструкция и 320 200 60 60 2013- 1120*** переоснащение техническое ____ ___ __ __ 2015 производства по перевооружение 160* 100 30 30 выпуску: открытого параметрического акционерного общества ряда модулей "Научно- сверхвысокочастотных исследовательский устройств; институт точных узлов и приборов", г. Москва, крупноблочных для создания радиоэлектронных производства модулей функциональных сверхвысокочастотных модулей приемо- устройств для особо передающей жестких условий аппаратуры. эксплуатации Реализация указанных мероприятий обеспечивает: сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2-3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза**

317. Реконструкция и 160 60 50 50 2013- 590*** переоснащение техническое ___ __ __ __ 2015 производственной перевооружение 80* 30 25 25 линии для выпуска открытого облегченных акционерного общества сверхвысокочастотных "Информационные волноводов; спутниковые системы" увеличение имени академика производства М.Ф.Решетнёва", сверхвысокочастотных г. Железногорск, волноводов с Красноярский край, с низким уровнем целью создания потерь и производственной улучшенными линии для массовыми изготовления характеристиками; облегченных оснащение сверхвысокочастотных отраслевого волноводов автоматизированного миллиметрового хранилища для модулей диапазона радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции**

318. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 665*** дооснащение техническое ____ __ __ __ 2015 производства перевооружение 100* 40 30 30 электромеханических федерального и радиоэлектронных государственного компонентов для унитарного микромодульных предприятия средств "Научно- автономного производственное управления и объединение контроля; автоматики имени увеличение академика производства Н.А.Семихатова", изделий бортовой г. Екатеринбург, для и промышленной создания производства радиоэлектроники электромеханических на 35 процентов и и радиоэлектронных более; компонентов оснащение микромодульных отраслевого средств автономного автоматизированного управления и контроля хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции**

319. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 690*** создание техническое ____ __ __ __ 2015 межотраслевой перевооружение 100* 40 30 30 лаборатории открытого контроля акционерного общества стойкости "Научно- электронной исследовательский компонентной базы институт для специальной космического радиоэлектронной приборостроения", аппаратуры в г. Москва, для условиях создания отраслевой космического лаборатории контроля пространства, что стойкости электронной обеспечит компонентной базы внедрение радиоэлектронной технологических аппаратуры к процессов прямого дестабилизирующим (в том числе факторам космического неразрушающего) пространства контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально- аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства, увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет**

320. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 800*** перевооружение техническое ____ __ __ __ 2015 производственных перевооружение 100* 40 30 30 линий для открытого изготовления акционерного общества встроенных "Научно- модульных производственный пассивных центр "Полюс", радиоэлементов г. Томск, для для систем технического бортовой и перевооружения промышленной действующего радиоэлектроники производства и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания, расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более **

321. Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 770*** переоснащение техническое ____ __ __ __ 2015 производства перевооружение 100* 40 30 30 матричных федерального оптико-электронных государственного модулей для унитарного работы в составе предприятия оптико-электронных "Научно- преобразователей исследовательский высокого институт разрешения и микроприборов - К", матричных г. Москва, для сверх- создания матричных высокочастотных оптико- приборов для электронных модулей модулей на основе фазированных кремниевых мембран и антенных решеток, гетеропереходов что позволит на основе арсенида расширить галлия и нитрида номенклатуру галлия выпускаемой мелкосерийной продукции в 2 раза, увеличить объем выпускаемых дискретных и модульных элементов в 10 раз**

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

322. Реконструкция и 726 486 240 2012- 570 создание базового техническое ____ ___ ___ 2013 центра системного перевооружение 363* 243 120 проектирования открытого площадью акционерного общества 570 кв. м** "Российская корпорация ракетно- космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования

323. Реконструкция и 914 120 120 28 160 486 2008- 500 создание техническое ____ ___ ___ __ ___ ___ 2012 отраслевого перевооружение для 461* 60 60 18 80 243 центра создания отраслевого автоматизированного центра проектирования автоматизированного и функциональной проектирования поддержки в открытом процессов акционерном обществе изготовления и "Научно- эксплуатации исследовательский параметрических институт точных рядов приборов", г. Москва сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. м**

324. Реконструкция и 280 100 90 90 2013- 380*** создание центра техническое ____ ___ __ __ 2015 проектирования перевооружение для 140* 50 45 45 унифицированных создания центра микроэлектронных проектирования датчиков площадью унифицированных 380 кв. м для микроэлектронных проектирования датчиков для работы в унифицированных особо жестких полупроводниковых условиях эксплуатации микродатчиков и в открытом преобразователей акционерном обществе физических "Научно- величин в исследовательский системах институт физических управления, измерений", г. Пенза контроля и диагностики динамических объектов**

325. Реконструкция и 140 80 60 2013- 350*** создание базового техническое ___ __ __ 2014 центра площадью перевооружение для 70* 40 30 350 кв. м для создания базового системного центра системного проектирования с проектирования полным циклом интегральных проектирования и микроэлектронных производства датчиков и параметрического датчикопреобразующей ряда интегральных аппаратуры в открытом микроэлектронных акционерном обществе датчиков и "Научно- нанодатчиков для производственное контрольной объединение аппаратуры на измерительной основе техники", г. Королев, специализированных Московская область электронных узлов по технологии "кремний на изоляторе" для особо жестких условий эксплуатации**

326. Реконструкция и 200 160 40 2013- 220*** создание центра техническое ____ ___ __ 2014 системного перевооружение для 100* 80 20 проектирования создания центра матричных проектирования преобразователей матричных и микроэлектронных преобразователей и сигнальных микроэлектронных процессоров сигнальных высокоточных процессоров на навигационных федеральном приборов государственном бортового и унитарном предприятии промышленного "Научно- назначения с производственный использованием центр автоматики прецизионного и приборостроения высоко- имени академика технологичного Н.А.Пилюгина", оборудования г. Москва для повышения качества проектирования, изготовления и надежности аппаратуры систем управления, уменьшения габаритно- массовых характеристик изделий, сокращение стоимости аппаратуры и т. д.**

327. Реконструкция и 148 80 34 34 2013- 300*** создание базового техническое ___ __ __ __ 2015 центра сквозного перевооружение для 74* 40 17 17 системного создания базового проектирования и центра системного функциональной проектирования и поддержки технического в процессе перевооружения эксплуатации действующего аппаратуры производства в модульных средств открытом акционерном связи и навигации обществе для бортовых и "Информационные промышленных спутниковые системы" систем площадью имени академика 300 кв. м** М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край

Итого по Роскосмосу 4008 120 120 28 160 972 1350 679 579 ____ ___ ___ __ ___ ___ ____ _____ _____ 2008 60 60 18 80 486 675 339,5 289,5

Министерство образования и науки Российской Федерации (Минобрнауки России)

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

328. Техническое 78 48 30 2009- 515,1 создание базового перевооружение ___ __ __ 2010 центра системного государственного 54* 24 30 проектирования образовательного площадью учреждения высшего 515,1 кв. м** профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

329. Реконструкция и 50 50 2008 500 создание базового техническое __ __ центра системного перевооружение 25 25 проектирования государственного площадью образовательного 500 кв. м учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

330. Техническое 200 200 2012 400 создание базового перевооружение ____ ___ центра системного федерального 100* 100 проектирования государственного площадью бюджетного 400 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования

331. Реконструкция и 200 200 2013 400*** создание базового техническое ____ ___ центра системного перевооружение 100* 100 проектирования федерального площадью государственного 400 кв. м** бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана", г. Москва, для создания базового центра проектирования

332. Реконструкция и 200 200 2013 400*** создание базового техническое ____ ___ центра системного перевооружение 100* 100 проектирования федерального площадью государственного 400 кв. м** автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Южный федеральный университет", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

333. Реконструкция и 200 100 100 2014- 400*** создание базового техническое ____ ___ ___ 2015 центра системного перевооружение 100* 50 50 проектирования федерального площадью государственного 400 кв. м** бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

334. Реконструкция и 230 115 115 2014- 600*** создание базового техническое ____ ____ ____ 2015 центра системного перевооружение 115* 57,5 57,5 проектирования федерального площадью государственного 600 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

335. Техническое 80 40 40 2013- 600*** создание базового перевооружение в _____ 2014 центра системного целях создания ***** проектирования базового центра площадью проектирования в 600 кв. м** федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

336. Техническое 80 40 40 2013- 600*** создание базового перевооружение в _____ 2014 центра целях создания ***** проектирования базового центра площадью проектирования в 600 кв. м** федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)", г. Москва

Итого по Минобрнауки 1318 50 48 30 200 480 295 215 России ____ __ __ __ ___ ___ _____ _____ 594 25 24 30 100 200 107,5 107,5

Федеральная служба по техническому и экспортному контролю (ФСТЭК России)

Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

337. Техническое 200 66,76 133,24 2011- 2000 создание новых перевооружение ________ _____ ______ 2012 производственных федерального 100***** 33,38 66,62 мощностей государственного по выпуску унитарного оптоволоконных предприятия соединителей "Производственное изделий объединение микромеханики** "Октябрь", г. Каменск-Уральский, Свердловская область

Итого по ФСТЭК России 200 66,76 2033,24 ___ _____ _______ 100 33,38 66,62

Итого по разделу II 80712,25 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,761 18056,44 15141,687 15164,12 ________ _______ _______ ______ _______ _________ ________ _________ ________ 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 0155,88 8988,22 530,84 7582,06

_________________ * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации. ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования. *** Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта. **** Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет. ***** Вопрос бюджетного финансирования (в 2013 году - в объеме 400 млн. рублей, в 2014 году - в объеме 80 млн. рублей) будет рассмотрен в ходе исполнения Федерального закона "О федеральном бюджете на 2013 год и на плановый период 2014 и 2015 годов" при корректировке Программы в 2013 году. ****** Объемы финансирования в 2013 году будут уточнены в ходе исполнения Федерального закона "О федеральном бюджете на 2013 год и на плановый период 2014 и 2015 годов" при корректировке Программы в 2013 году.

Примечания: 1. Срок получения предусмотренных настоящим приложением результатов работ соответствует году окончания их финансирования. 2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

____________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 3 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359)

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -----------------------------------------|-----------|------------------------------------------------------------------------------- | 2008- | В том числе | 2015 | | годы - |--------|--------|--------|----------|----------|--------|----------|---------- | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | год | год | год | год | год | год | год | год -----------------------------------------|-----------|--------|--------|--------|----------|----------|--------|----------|---------- Всего по Программе 104663,296 5372,7 5772,01 54000 12963,38 25180 18619 16001,646 15354,56

из них:

Минпромторг России 91115,91 4757,7 5157,21 4952,62 11940 21953,26 15538,5 13624,56 13192,06

Роскосмос 6064,5 290 320 168 430 1776 1473 824 783,5

Госкорпорация "Росатом" 5877,586 240 246,5 179,38 400 1124,12 1265 1293,586 1129

Минобрнауки России 1505,3 85 48,3 100 160 260 342,5 259,5 250

ФТЭК России 100 - - - 33,38 66,62 - - -

Капитальные вложения - всего 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8988,22 7530,84 7582,06

из них:

Минпромторг России 37021,79 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7513,22 6403,84 6626,06

Роскосмос 2008 60 60 18 80 486 675 339,5 289,5

Госкорпорация "Росатом" 2253 40 34 20 50 270 600 680 559

Минобрнауки России 594 25 24 30 - 100 200 107,5 107,5

ФСТЭК России 100 - - - 33,38 66,62 - - -

Научно-исследовательские и 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5 опытно-конструкторские работы - всего

из них:

Минпромторг России 54094,12 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8025,28 7220,72 6566

Роскосмос 4056,5 230 260 150 350 1290 798 484,5 494

Госкорпорация "Росатом" 3624,59 200 212,5 159,38 350 854,12 665 613,586 570

Минобрнауки России 911,3 60 24,3 70 160 160 142,5 152 142,5

__________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 4 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359)

ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------|-----------|-------------------------------------------------------------------------------- | 2008-2015 | В том числе | годы - |---------|---------|---------|---------|---------|---------|----------|--------- | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | год | год | год | год | год | год | год | год ------------------------------|-----------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|----------|--------- Всего по Программе 175613,905 7903,837 8478,112 8267,417 20961,76 42829,41 32502,61 27847,889 26822,87

в том числе:

федеральный бюджет 104663,296 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18619 16001,646 15354,56

внебюджетные средства 70950,609 2531,137 2706,102 2867,417 7998,38 17649,41 13883,61 11846,243 11468,31

Капитальные вложения - всего 80712,25 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,76 18056,44 15141,68 15164,12

в том числе:

федеральный бюджет 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8988,22 7530,84 7582,06

внебюджетные средства 38735,46 476,01 348,77 460,3 3033,38 10155,88 9068,22 7610,84 7582,06

Научно-исследовательские и 94901,655 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12706,209 11658,75 опытно-конструкторские работы - всего

в том числе:

федеральный бюджет 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5

внебюджетные средства 32215,149 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 4815,39 4235,403 3886,25".

6. В приложении N 5 к указанной Программе:

а) в абзаце пятнадцатом цифры "179224,366" заменить цифрами "175613,905", цифры "106844,71" заменить цифрами "104663,296", цифры "72379,66" заменить цифрами "70950,609", цифры "64554,9" заменить цифрами "66746,5", цифры "131640" заменить цифрами "125754,3 ";

б) в абзаце шестнадцатом цифры "203443,4" заменить цифрами "196247,7";

в) в абзаце семнадцатом цифры "7,9" заменить цифрой "7";

г) в абзаце восемнадцатом цифры "1,54" заменить цифрами "1,57";

д) таблицы 1-3 изложить в следующей редакции:

"Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) ---------------------------------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|----------|---------|-------|-------|------------ Показатели | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 |За расчетный | год | год | год | год | год | год | год | год | год | год | период ---------------------------------------|---------|---------|---------|---------|---------|---------|----------|---------|-------|-------|------------ Условно-переменная часть текущих 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 - издержек производства (себестоимости) (процентов)

Годовой объем реализуемой продукции 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - отрасли (объем продаж)

Инвестиции из всех источников 7903,837 8478,112 8267,417 20961,8 42829,41 32502,61 27847,889 26822,87 - - 175613,905 финансирования - всего по Программе

в том числе:

средства федерального бюджета на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

капитальные вложения и прочие нужды 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18619 16001,65 15354,56 - - 104663,296

из них

капитальные вложения 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8988,22 7530,84 7582,06 - - 41976,79

внебюджетные средства на 2531,137 2706,102 2867,417 7998,38 17649,41 13883,61 11846,243 11468,31 - - 70950,609 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.)

налогооблагаемая база налога на 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Рентабельность реализованной продукции 10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 - (процентов)

Амортизационные отчисления (процентов 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 - себестоимости)

Материалы 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 - (процентов себестоимости)

Фонд оплаты труда 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 - (процентов себестоимости)

Налог на имущество организаций 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - (процентов)

Налог на прибыль организаций 24 20 20 20 20 20 20 20 20 20 - (процентов)

Налог на доходы физических лиц 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 - (процентов)

Страховые взносы 26 26 26 34 30 30 30 30 30 30 - (процентов)

Налог на добавленную стоимость 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 - (процентов)

Норма дисконта (средняя за расчетный - - - - - - - - - - 0,1 период) (процентов)

Таблица 2

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) --------------------------------|---------------------------------------------------------------------------------------------|---------- | Расчетный период | За |--------|--------|--------|--------|---------|---------|--------|--------|---------|---------| расчетный Наименование показателей |2008 год|2009 год|2010 год|2011 год|2012 год | 2013 год|2014 год|2015 год| 2016 год| 2017 год| период |--------|--------|--------|--------|---------|---------|--------|--------|---------|---------| | номер шага (m) | |--------|--------|--------|--------|---------|---------|--------|--------|---------|---------| | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | --------------------------------|--------|--------|--------|--------|---------|---------|--------|--------|---------|---------|----------

Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)

Годовой объем реализованной 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - продукции отрасли без налога на добавленную стоимость

Себестоимость годового объема 52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 - реализованной продукции отрасли

Прибыль от реализации продукции 5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 -

Налогооблагаемая база налога на 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Налог на имущество организаций 660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 -

Налогооблагаемая прибыль 4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 -

Налог на прибыль организаций 1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 -

Чистая прибыль 3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 -

Амортизационные отчисления в 1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 - структуре себестоимости

Материальные затраты в 26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666,7 175000 - структуре себестоимости

Фонд оплаты труда в структуре 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 - себестоимости

Налог на добавленную стоимость 4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 -

Налог на доходы физических лиц 1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 -

Страховые взносы 3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 10991,4 13347,5 15000 16875 21250,3 26250 -

Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 12631,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2 внебюджетные фонды (приток в бюджет)

Сальдо от операционной 5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 - деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)

Коэффициент дисконтирования 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 - (норма дисконта Е = 0,1)

Сальдо от операционной 5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования

Величина инвестиций из всех 7903,8 8478,1 8267,4 20961,8 42829,4 32502,6 27847,9 26822,9 - - 175613,905 источников финансирования (оттоки)

Сальдо суммарного потока от -2572,1 -1478,1 2121,2 -6353 -17306 2143,8 15192,1 22722,1 63806,7 80570 - инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования

Величина инвестиций из всех 7903,8 7707,4 6832,6 15748,9 29253,1 20181,6 15719,4 13764,4 - - 117111,1 источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования

Сальдо суммарного потока от -2572,1 -1343,7 1753 -4773,1 -11820,2 1331,2 8575,6 11660 29766,3 34169,5 66746,5 инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)

Чистый дисконтированный доход -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6935,9 -18756,1 -17424,9 -8849,4 2810,7 32577 66746,5 -

Срок окупаемости инвестиций 7 лет (период возврата) (лет)

Индекc доходности - - - - - - - - - - 1,57 (рентабельность инвестиций)

Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)

Средства федерального бюджета 5372,7 5772,01 5400 12963,4 25180 18619 16001,6 15354,6 - - 104663,3 на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)

Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 12621,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2 внебюджетные фонды

Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Отток бюджетных средств 5372,7 5772 5400 12963,4 25180 18619 16001,6 15354,6 - - -

Отток бюджетных средств с 5372,7 5247,3 4462,8 9739,6 17198,3 11560,9 9032,5 7879,3 - - 70493,41 учетом дисконтирования

Сальдо суммарного потока от 5173,7 6227,1 8584,3 5874,2 3130,9 10834,6 13873,8 15539,9 26674,1 29841,6 125754,3 финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Чистый дисконтированный доход 5173,7 11400,8 19985 25859,2 28990,1 39824,8 53698,6 69238,6 95912,7 125754,3 - государства или бюджетный эффект

Индекс доходности бюджетных 2 2,2 2,9 1,6 1,2 1,9 2,5 2,9 - - 2,8 средств

Налоги, поступающие в бюджет и 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Удельный вес средств 0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,57 0,58 0,57 - - 0,6 федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)

Период возврата бюджетных 1 год средств (лет)

Уровень безубыточности 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68

Таблица 3

Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей) -----------------------------------------------------------|---------- Наименование показателей |2008-2017 | годы -----------------------------------------------------------|---------- Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) 175613,905

в том числе:

средства федерального бюджета 104663,3

внебюджетные средства 70950,61

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход в 2017 году 66746,5

Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации 7 лет (лет)

Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой 1,57 прибыли

Уровень безубыточности 0,68

Показатели бюджетной эффективности

Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом 196247,7 дисконтирования

Бюджетный эффект 125754,3

Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований 2,8 по налоговым поступлениям

Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме 0,6 финансирования (степень участия государства)

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым 1 год". поступлениям (лет)

7. В разделе "Показатели бюджетной эффективности" приложения N 6 к указанной Программе:

а) абзацы десятый и одиннадцатый изложить в следующей редакции: "налог на имущество организаций в размере, не превышающем 2,2 процента среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости; налог на прибыль организаций в размере 20 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество организаций);";

б) абзацы тринадцатый и четырнадцатый изложить в следующей редакции: "налог на доходы физических лиц в размере 13 процентов фонда оплаты труда; страховые взносы в размере 30 процентов фонда оплаты труда;".

____________